H01L 21/02 — изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/02, H01L 21/02

Метки: способ, после, кремния, травления, удаления, плазмохимического, фоторезиста, поликристаллического

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, быстродействующих, тиристоров, основе, кремния, изготовления

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов, диэлектрическая, межуровневая, изоляция

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, изоляции, приборов, способ, межуровневой, полупроводниковых, диэлектрической

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Способ удаления полимера в контактных окнах при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17503

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/12, H01L 21/02

Метки: контактных, удаления, окнах, интегральных, полимера, изготовлении, способ, микросхем

Текст:

...в ванне с протоком воды. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. При частоте мегазвука менее 500 кГц наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При частоте мегазвука выше 1000 кГц наблюдается отслаивание и растрав силицида титана в контактных окнах. При обработке в течение времени менее 10 мин наблюдаются остатки полимера в контактных окнах. При обработке...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: G05D 23/00, H01L 21/02, B08B 3/02...

Метки: пластин, полупроводниковых, травления, способ, аэрозольной, очистке, диоксида, пленки, кремния, химической

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: C25D 9/08, C30B 29/10, H01L 21/02...

Метки: способ, групп, соединений, кремния, подложках, формирования, бинарных, полупроводниковых, монокристаллического, или, aіvbvі, пленок, aііbvі

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Адашкевич Сергей Владимирович, Чапланов Аркадий Михайлович, Стельмах Вячеслав Фомич, Турцевич Аркадий Степанович, Маркевич Мария Ивановна

МПК: C23C 14/16, H01L 21/02

Метки: дисилицида, титана, пленки, формирования, подложке, кремниевой, способ

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов, изоляция, диэлектрическая, межуровневая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовлении, композиция, источников, получения, изделий, твердых, микроэлектроники, бора, планарных

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: создании, бора, приборов, интегральных, схем, планарных, полупроводниковых, источников, способ, твердых, изготовления

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Способ формирования функционального покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15747

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пластин, покрытия, кремниевых, формирования, способ, ориентации, 001, функционального

Текст:

...по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15754

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, пластина, полупроводниковая, кремниевая, 001

Текст:

...второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов),глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности...

Способ формирования функционального покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15753

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: пластин, покрытия, способ, полупроводниковых, 001, функционального, кремниевых, формирования, ориентации

Текст:

...в качестве первичного элемента островка и соответственно островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е....

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15746

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевая, ориентации, пластина, полупроводниковая, 001

Текст:

...различного размера и фрактальный характер их взаимного расположения обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15752

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: структура, 001, эпитаксиальная, кремниевая, ориентации

Текст:

...к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15465

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, структура, ориентации, 001, кремниевая

Текст:

...структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что при...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, изготовления, пластин, кремния, 001, полупроводниковых, ориентации

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Пашкевич Михаил Викторович, Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович

МПК: B82B 3/00, H01L 21/02, H01L 33/00...

Метки: способ, p-gan, изготовления, галлия, эпитаксиальному, слою, прозрачного, омического, контакта, нитрида

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15361

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: структура, эпитаксиальная, 111, ориентации, кремниевая

Текст:

...Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости ( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных концами на обратной стороне...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15360

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: 001, ориентации, кремниевая, эпитаксиальная, структура

Текст:

...чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом направлении 100 или 010 приводит к генерации дислокаций в плоскостях (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15359

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: полупроводниковая, пластина, кремниевая, ориентации, 111

Текст:

...1 ) и (01 1 ) под действием термомеханических напряжений в области дефектов на торце пластины, скользят по направлению к центру пластины. На своем пути они встречают дислокации, генерируемые контролируемыми нарушениями и расположенные в плоскостях (110), (11 1 ), (101), (1 1 1),(011), ( 1 11) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины....

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15358

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: ориентации, пластина, кремниевая, полупроводниковая, 001

Текст:

...пути встречают дислокации, расположенные в одной из плоскостей (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , и блокируются ими с образованием дислокационных полупетель, закрепленных одним концом на торце пластины, а другим - на обратной стороне пластины. Скольжение дислокаций переходит в другую кристаллографическую плоскость, рост линии скольжения прекращается. В итоге рабочая поверхность пластины сохраняет высокое первоначальное качество. На поверхности...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: 111, эпитаксиальной, изготовления, структуры, ориентации, кремниевой, способ

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15077

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: изготовления, структуры, 111, эпитаксиальной, способ, ориентации, кремниевой

Текст:

...эпитаксиальной структуры ориентации (111) механические нарушения, в соответствии с заявляемым техническим решением, могут быть сформированы, по крайней мере, в одном из трех равнозначных кристаллографических направлений - 1 1 0 ,10 1 или 01 1. В случае формирования механических нарушений в двух или трех направлениях одновременно плотность генерируемой дислокационной структуры возрастает, эффективность захвата неконтролируемых примесей...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15132

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: 001, кремниевой, ориентации, эпитаксиальной, изготовления, способ, структуры

Текст:

...направлений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно плотность дислокационной сетки в объеме подложки и эффективность захвата неконтролируемых примесей возрастают. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки), режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: изготовления, кремниевой, полупроводниковой, ориентации, пластины, способ, 111

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Шильцев Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/28...

Метки: металлизация, интегральной, схемы

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Лабан Эдуард Казимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: способ, микросхемы, изготовления, межэлементных, соединений

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: полупроводниковой, 001, способ, кремниевой, изготовления, пластины, ориентации

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, силовых, диффузии, кремниевые, пластины, изготовления, способ, примесей, приборов, акцепторных

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Мильчанин Олег Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Комаров Фадей Фадеевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: способ, диода, изготовления, шоттки

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Паращук Валентин Владимирович, Рябцев Геннадий Иванович, Баранов Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович, Беляева Ада Казимировна

МПК: H01S 3/04, H01L 33/00, H01L 21/02...

Метки: структур, способ, лазерных, диодных, алмазного, изготовления, теплоотводящего, основания

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14318

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводникового, прибора, диэлектрическая, изоляция, межуровневая

Текст:

...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...

Способ изготовления датчика Холла

Загрузка...

Номер патента: 14260

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 43/06

Метки: способ, холла, датчика, изготовления

Текст:

...позволяет уменьшить размер кристалла готового прибора. В результате на исходной подложке одной и той же площади можно изготовить большее количество приборов. Как правило, чувствительный элемент выполняют со сторонами одинакового размера, что позволяет получать кристаллы квадратной формы. В этом случае использование заявляемого технического решения максимально эффективно. Заявляемое техническое решение поясняется фигурой, где показано...

Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/02

Метки: геттерирующее, полупроводниковых, покрытие, кремниевых, пластин

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: контакта, слою, эпитаксиальному, способ, изготовления, омического, прозрачного, p-gan

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Способ формирования силицидов металлов

Загрузка...

Номер патента: 13882

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Подсобей Григорий Захарович, Петухов Юрий Александрович, Асташинский Валентин Миронович, Черенда Николай Николаевич, Квасов Николай Трофимович, Углов Владимир Васильевич

МПК: C01B 33/00, H01L 21/02

Метки: способ, металлов, силицидов, формирования

Текст:

...индукцией от 0,22 до 12,5 мТл. При таком способе формирования силицидов металлов достигается глубокое проплавление металла и кремния и их эффективное перемешивание, что обеспечивает формирование глубокого однородного силицидного слоя, и, соответственно, уменьшение удельного поверхностного сопротивления. Исключение необходимой в известном способе операции аморфизации кремния упрощает способ. Заявляемый способ осуществляют следующим образом. На...

Корпусной алмазосодержащий диск для разделения полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: U 6787

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Гайдук Илья Леонидович, Васильев Валерий Лукич, Ковальчук Геннадий Филиппович, Цыбульская Людмила Сергеевна, Гаевская Татьяна Васильевна

МПК: H01L 21/02, B28D 5/00

Метки: диск, пластин, разделения, алмазосодержащий, полупроводниковых, корпусной

Текст:

...форму корпуса у основания лезвия (фиг. 1). Недостатком такой конструкции режущего диска является то, что в процессе разделения полупроводниковой пластины по ее периферийной части накапливаются осколки малого размера, которые под воздействием сил резания повреждают планарную сторону кристаллов, что приводит к уменьшению выхода годных, к снижению стойкости алмазного режущего диска, вплоть до поломки лезвия. Задачей, на решение которой...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 13719

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: неосновных, времени, регулирования, кремнии, носителей, способ, заряда, эпитаксиальном, приборах, полупроводниковых, жизни

Текст:

...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...