H01L 21/00 — Способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей

Способ изготовления планарного микроэлектродного массива для регистрации электрофизиологических сигналов

Загрузка...

Номер патента: 17448

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Булай Павел Михайлович, Черенкевич Сергей Николаевич, Денисов Андрей Анатольевич, Молчанов Павел Геннадьевич

МПК: A61N 1/04, A61B 5/04, G01N 27/00...

Метки: способ, электрофизиологических, регистрации, массива, изготовления, сигналов, микроэлектродного, планарного

Текст:

...проволочных электродов в стеклянную поликапиллярную матрицу, внедрении электродов путем температурного оплавления матрицы, скалывании матрицы в плоскости границы оплавления для освобождения выводов микроэлектродного массива, шлифовке торца матрицы для формирования рабочей поверхности. Такое решение позволяет использовать для изготовления матрицы и внедрения электродов одну и ту же электропечь, в качестве сигнальных выводов использовать...

Солнечный элемент

Загрузка...

Номер патента: U 8962

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 21/00

Метки: солнечный, элемент

Текст:

...инфракрасные приемники, соединенные последовательно или параллельно и содержащие как минимум по одному детектору и полуволновому вибратору, геометрические размеры которых заданы длиной волны преобразуемого инфракрасного излучения окружающей среды, содержит сформированные в каждом первом слое полупроводникового материала параллельно лицевой поверхности субмикронные структуры, а на торцах - зеркала. Для эффективного решения поставленной...

Солнечный элемент

Загрузка...

Номер патента: U 8036

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 21/00

Метки: элемент, солнечный

Текст:

...усеченных прямоугольных пирамид расположены диэлектрические концентраторы с зеркальной внешней поверхностью, оптически связанные с первым слоем полупроводникового материала первый слой полупроводникового материала содержит варизонные структуры, а на участках прозрачной проводящей пленки между металлическими усеченными прямоугольными пирамидами выполнены массивы щелевых плазменных волноводов в виде периодических металлических...

Фотодиод

Загрузка...

Номер патента: U 7483

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Голуб Елена Степановна, Лемешевская Алла Михайловна, Блынский Виктор Иванович, Цымбал Владимир Сергеевич

МПК: H01L 21/00

Метки: фотодиод

Текст:

...точек их генерации до области полупроводника с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки. Большая глубина рельефа перехода позволяет увеличить чувствительность фотодиода не только к фиолетовому и голубому, но и к зеленому свету. Сущность полезной модели поясняется фигурами, где 1 - подложка,2 - первая область,3 - вторая область,4 - локальная область,5 - область пространственного заряда - перехода,6 - охранное кольцо,7 -...

Способ изготовления быстродействующих транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 14223

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Кульгачев Владимир Ильич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: способ, быстродействующих, транзисторов, изготовления

Текст:

...их в корпуса, за счет электронного облучения и отжига бесспорно технологично, но транзисторные структуры, посаженные в корпуса требуют небольшой корректировки своих параметров по быстродействию (времени выключения). Выбор флюенса повторного облучения (в пределах до 81013 см-2) обусловлен необходимостью получения транзисторов с минимальным разбросом по времени выключения,допустимым изменением статических характеристик и максимальным...

Фоточувствительная интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: U 7262

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Блынский Виктор Иванович

МПК: H01L 21/00

Метки: фоточувствительная, схема, интегральная

Текст:

...случае расстояние от фоточувствительной поверхности фотоприемника до легированной золотом области должно равняться этой величине. На большей глубине поглощается в основном ИК-излучение. Вследствие большого коэффициента диффузии золота, легированная золотом область не имеет четкой границы. Поэтому при ширине легированной золотом области, большей ширины фотоприемника в случае, если легированная золотом область примыкает к переходу...

Солнечный элемент

Загрузка...

Номер патента: U 6977

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 21/00

Метки: элемент, солнечный

Текст:

...первый барьер Шоттки,инфракрасные приемники, подложка выполнена проводящей, на которой расположены,как минимум, два первых электрически связанных проводящих элемента в виде треугольных призм, а вся оставшаяся площадь проводящей подложки и первых проводящих элементов покрыта последовательно первым слоем полупроводникового материала и прозрачной проводящей пленкой, на которой в непосредственной близости к первым проводящим элементам расположены...

Способ радиационно-термической обработки силовых диодов на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 13932

Опубликовано: 30.12.2010

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: обработки, способ, кремния, силовых, радиационно-термической, диодов, основе

Текст:

...кроме последней, ступени облучения. Сущность изобретения заключается в том, что при ступенчатом наборе дозы электронного облучения с последующей дополнительной термообработкой после каждого шага облучения происходит более эффективное, чем при непрерывном облучении и однократном отжиге, накопление рекомбинационного центра (или центров), контролирующих время жизни ННЗ. Возможной причиной такой особенности ступенчатой РТО является то,что...

Способ повышения радиационной стойкости биполярных кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 13703

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: стойкости, структур, способ, кремниевых, повышения, биполярных, радиационной

Текст:

...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...

Способ изготовления биполярных транзисторов с изолированным затвором

Загрузка...

Номер патента: 13721

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/00, H01L 29/00

Метки: способ, биполярных, изолированным, изготовления, затвором, транзисторов

Текст:

...часто стоит проблема выбора оптимального соотношения 6. Чтобы уменьшить потери проводимости, импульсная энергия должна увеличиваться, и наоборот. В заявляемом техническом решении увеличение быстродействия транзисторов за счет контролируемого уменьшения времени жизни носителей достигается без существенного роста потерь проводимости (транзисторы с пониженным значением (. В основе выбора режимов электронного облучения транзисторов лежат...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6339

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: пластина, полупроводниковая, ориентации, 111, кремниевая

Текст:

...на дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов - окон и островков приводит к тому, что конечная структура состоит только из элементов минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6338

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковая, пластина, 111, ориентации, кремниевая

Текст:

...состоит только из элементов минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6337

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: 111, пластина, ориентации, кремниевая, полупроводниковая

Текст:

...тетраэдров одного уровня находятся на одной и той же высоте и лежат в плоскости (111), которая также является плоскостью скольжения, что приводит к образованию нового элемента дислокационной структуры - октаэдра. Его можно рассматривать так же,как фигуру, образованную в результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого 5 63372010.06.30 тетраэдра совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит...

Солнечный элемент

Загрузка...

Номер патента: U 6182

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H01L 21/00

Метки: элемент, солнечный

Текст:

...технической задачи инфракрасные приемники выполнены в виде двух полуволновых вибраторов, изготовленных из металлов с разной работой выхода электронов, внутренние плечи которых электрически подключенных к детекторам. Для эффективного решения поставленной технической задачи детекторы выполнены в виде наноконденсаторов. Совокупность указанных признаков позволяет увеличить эффективность преобразования солнечного излучения в электричество за счет...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6166

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: 111, кремниевая, ориентации, полупроводниковая, пластина

Текст:

...моменты перпендикулярны линиям нарушений. Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных...

Полупроводниковая кремниевая пластина ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6148

Опубликовано: 30.04.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковая, пластина, ориентации, 001, кремниевая

Текст:

...процесса генерации дислокаций в плоскостях (101), (1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ), которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических нарушений изгибающие моменты перпендикулярны линиям нарушений. Плоскости (101) и ( 1 0 1 ), (011) и ( 0 1 1 ) попарно перпендикулярны друг другу,поэтому генерируемые в...

Установка направленной кристаллизации расплава лейкосапфира

Загрузка...

Номер патента: U 5888

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Скубилин Михаил Демьянович, Авдеев Сергей Петрович

МПК: G06F 15/00, G01J 5/58, G05B 23/02...

Метки: лейкосапфира, кристаллизации, направленной, установка, расплава

Текст:

...лодочки, что ведет к минимизации временных и энергетических затрат на технологический процесс. Технический результат обеспечивается тем, что в установку направленной кристаллизации расплава лейкосапфира, содержащую вакуумную камеру, теплоизолированную камеру, размещенную в вакуумной камере, вакуумный насос, соединенный патрубком с вакуумной камерой, первый датчик, датчик глубины вакуума, соединенный патрубком с вакуумной камерой, источник...

Устройство подачи паров жидкого вещества в реактор установки химического осаждения из газовой фазы

Загрузка...

Номер патента: 11859

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Пшеничный Евгений Николаевич, Плебанович Владимир Иванович, Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: F24H 9/02, B01F 03/04, G05D 23/00...

Метки: устройство, осаждения, вещества, химического, реактор, жидкого, газовой, паров, подачи, фазы, установки

Текст:

...использование резервуара меньшей емкости (например, 5 литров или менее). Использование обогреваемого трубопровода для подачи паров жидкого вещества в реактор технологической установки позволяет исключить конденсацию паров и засорение трубопровода. Для исключения конденсации паров внутри трубопровода необходимо обеспечить нагрев трубопровода до температуры на 2-5 С выше температуры паров жидкого вещества. Использование измерителя потока паров...

Двухкоординатный стол с линейным шаговым двигателем на воздушной подушке

Загрузка...

Номер патента: U 4640

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Адзерихо Борис Георгиевич, Агейченко Александр Степанович, Теплоухов Игорь Семенович, Назаров Юрий Николаевич

МПК: G01B 11/00, H01L 21/00, H01H 31/00...

Метки: двигателем, двухкоординатный, воздушной, шаговым, стол, линейным, подушке

Текст:

...пластин (печатных плат или ЖК-дисплеев) с размерами подвижной части более 600 на 600 мм и массой более 25 кг. Высокая стоимость устройства базирования стола обусловлена наличием дополнительного двигателя базирования и устройства управления этим двигателем. Задачей полезной модели является повышение производительности и надежности работы координатного стола, а также удешевление его конструкции. Поставленная задача достигается тем, что...

Способ получения распыляемой мишени для осаждения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 10821

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гулай Анатолий Владимирович, Барай Сергей Георгиевич, Ильющенко Александр Федорович, Шевченок Александр Аркадьевич

МПК: B22F 3/08, H01L 21/00

Метки: тонких, получения, мишени, пленок, распыляемой, осаждения, способ

Текст:

...свежего порошка во вторичный позволяет довести параметры материала шихты практически до уровня параметров первичного материала, а также получить качество последующих технологических операций на том же уровне, что и при использовании только первичного порошка. После этого производят активирование шихты путем ее обработки в ультразвуковой ванне в дистиллированной воде или этиловом спирте с последующей сушкой в сушильном шкафу. Затем...

Способ обработки низковольтных стабилитронов

Загрузка...

Номер патента: 10225

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/00

Метки: обработки, низковольтных, способ, стабилитронов

Текст:

...появление в запрещенной зоне полупроводника энергетических уровней. В низковольтных стабилитронах они проявляют себя, главным образом, как компенсирующие центры, снижающие концентрацию основных носителей заряда в полупроводнике, и как дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне,способствующие более эффективному туннельному просачиванию носителей 5. Первый из этих эффектов (снижение проводимости) ведет к росту...

Способ изготовления термокомпенсированных стабилитронов

Загрузка...

Номер патента: 10231

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/00

Метки: изготовления, стабилитронов, способ, термокомпенсированных

Текст:

...при 77-213 , используются пониженные температуры облучения. Сущность изобретения состоит в том, что готовые приборы подвергают электронному облучению определенными дозами, поддерживая в зоне облучения заданную температуру. Такая радиационная обработка приводит к введению в требуемой концентрации в активные физические области полупроводниковой структуры стабилитрона радиационных дефектов. Возникающие дефекты создают новые энергетические уровни...

Пленочная токопроводящая система для кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9889

Опубликовано: 30.10.2007

Автор: Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/00, H01L 21/02...

Метки: приборов, токопроводящая, полупроводниковых, кремниевых, система, пленочная

Текст:

...Стандартно используемые толщины пленок сплавов алюминия, как следует из описания прототипа, составляют от 0,5 до 2,0 мкм. При этом размер зерна на ее поверхности может на порядок превышать размер зерна на границе с барьерным слоем. Наличие мелкокристаллической фазы в полученной токоведущей системе в области барьерного слоя отрицательно сказывается на устойчивости к электромиграции, поскольку основным его механизмом является перенос вещества...

Установка разделения пластин

Загрузка...

Номер патента: U 3736

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Белолипецкий Сергей Александрович, Школык Святослав Борисович, Бондарчук Виталий Сидорович, Ковальчук Геннадий Филиппович, Нейман Александр Федорович

МПК: B28D 1/00, H01L 21/00

Метки: пластин, установка, разделения

Текст:

...4, а каретка координаты 4 установлена на основании 1 в аэростатических подшипниках. Такая конструкция позволяет обеспечить совмещение движения планшайбы 2 по координатамив одной плоскости, а также дает возможность закрепления корпуса электрошпинделя 5 таким образом, чтобы исключить консольность и максимально снизить вибрацию. В верхней части установки расположены устройства, обеспечивающие выполнение технологической операции резки и...

Способ получения распыляемых мишеней для осаждения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 4682

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Полынкова Елена Владимировна, Шевченок Александр Аркадьевич, Гулай Анатолий Владимирович, Колешко Владимир Михайлович

МПК: H01J 37/34, H01J 37/32, C23C 14/34...

Метки: пленок, способ, распыляемых, тонких, осаждения, получения, мишеней

Текст:

...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...

Устройство для сушки маркированных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 1467

Опубликовано: 16.12.1996

Автор: Кужелев Валентин Иванович

МПК: H01G 13/04, H01L 21/30, H01L 21/00...

Метки: сушки, устройство, маркированных, полупроводниковых, приборов

Текст:

...одною механизма в прорези другого при повышенных рабочих скоростях механизмов.Основная задача изобретения - создание надежного в эксгшуатации устройства с расширенными функциональными возможностями.Поставленная задача достигается тем, что устройство содержит магнитную систему, формирующую по длине устройства однородное магнитное поле в плоскости перемещения приборов, а перемещение приборов осуществляется гладкой непрерывной лентой с...