H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона

Загрузка...

Номер патента: U 10687

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Белый Владимир Николаевич, Казак Николай Станиславович, Гасенкова Ирина Владимировна, Мохаммед А. Бинхуссаин, Мухуров Николай Иванович, Хани Абдулкарим Аларифи, Марзук Салех Алшамари

МПК: H01L 29/06

Метки: конструкция, гиперболического, спектрального, метаматериала, оптического, диапазона

Формула / Реферат:

Конструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности, заполненных благородными металлами, отличающаяся тем, что наноотвеКонструкция гиперболического метаматериала для оптического спектрального диапазона, содержащая диэлектрическую подложку с периодической системой наноотверстий по всей площади поверхности,...

Магниточувствительный датчик

Загрузка...

Номер патента: U 10337

Опубликовано: 30.10.2014

Автор: Ярмолович Вячеслав Алексеевич

МПК: G01R 33/07, H01L 43/06

Метки: магниточувствительный, датчик

Текст:

...отличительной части, показывает, что некоторые из них могут встречаться по отдельности в различных аналогах технических решений. Однако в совокупности набор этих элементов не известен, поэтому является новым. Кроме того, совокупность этих элементов придает датчику новое качество функционирования и обеспечивает полное решение поставленной комплексной задачи. Поэтому заявляемый датчик соответствует критерию новизна по действующему...

Способ герметизации корпуса интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Зубович Анатолий Николаевич, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Довженко Александр Алексеевич

МПК: H01L 21/56, H01L 31/0203

Метки: способ, схемы, герметизации, корпуса, интегральной

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Устройство для поддержания уровня освещённости в помещении и система регулирования уровня освещённости в помещении

Загрузка...

Номер патента: U 10243

Опубликовано: 30.08.2014

Автор: Жуковский Юрий Владимирович

МПК: F21V 33/00, E06B 9/24, F21V 11/00...

Метки: регулирования, уровня, помещении, система, поддержания, освещённости, устройство

Текст:

...и связанной со средством накопления электрической энергии в виде общего аккумулятора с регулятором напряжения. Благодаря предложенным конструктивным и структурным особенностям заявляемой системы, она обеспечивает возможность функционирования в оптимальном режиме всех устройств для поддержания уровня освещенности в помещении, независимо от того, находятся они в течение светового дня на солнце или с теневой стороны. За счет наличия общего...

Способ удаления фоторезиста после плазмохимического травления поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18444

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Цивако Алексей Александрович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 3/02, H01L 21/02

Метки: после, травления, кремния, удаления, способ, плазмохимического, фоторезиста, поликристаллического

Текст:

...обработкой в течение 3-7 мин выполняют аэрозольную обработку в смеси, содержащей аммиак, перекись водорода и нагретую от 80 до 90 С деионизованную воду при следующих расходах компонентов, л/мин аммиак 0,125-0,250 перекись водорода 0,2-0,3 вода деионизованная 1,3-2,0. Использования идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения поставленной задачи не обнаружено. 18444 1 2014.08.30 При обработке пластин в...

Способ реставрации пластин с пленкой поликристаллического кремния при изготовлении интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 18443

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/311

Метки: пленкой, кремния, реставрации, интегральных, изготовлении, способ, микросхем, поликристаллического, пластин

Текст:

...проводят удаление углеродсодержащих остатков в кислородной плазме в течение 15-40 с, проводят очистку в перекисно-аммиачном растворе и проводят химическое травление остаточной пленки поликристаллического кремния при температуре 55-65 С в течение 10-20 мин в растворе, содержащем аммиак водный,хлористый аммоний и воду при следующем соотношении компонентов, мас.аммиак водный (в пересчете на 3) 15-80 хлорид аммония 0,04-2,0 вода остальное....

Фотоприемник на основе германия

Загрузка...

Номер патента: 18508

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Шадурская Людмила Иосифовна, Гусев Олег Константинович, Яржембицкая Надежда Викторовна, Жарин Анатолий Лаврентьевич, Свистун Александр Иванович, Тявловский Андрей Константинович, Воробей Роман Иванович, Тявловский Константин Леонидович

МПК: H01L 31/16

Метки: основе, германия, фотоприемник

Текст:

...многозарядных уровней и с возможностью заполнения указанных уровней при разных плотностях мощности оптического излучения. Сущность изобретения поясняется фигурами, где на фиг. 1 приведена конструкция составного фотоприемника и его сенситометрические характеристики на фиг. 2 приведена конструкция фотоприемника, выполненного в одном объеме полупроводника на фиг. 3 приведена энергетическая диаграмма германия с примесью золота на фиг. 4 приведены...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18438

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Блынский Виктор Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Малышев Сергей Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...с одинаковым шагом, образующие с подложкой омический контакт, причем упомянутые локальные области выполнены с шириной в области эпитаксиального слоя, большей 2 мкм, и высотой, большей 0,1 толщины эпитаксиального слоя, но меньшей глубины залегания перехода охранного кольца. Барьерный электрод может быть сформирован в выемке глубиной от 0,1 до 0,3 мкм,выполненной в эпитаксиальном слое, что позволит улучшить чистоту границы раздела...

Солнечный элемент на основе диода Шоттки с металлическим полупрозрачным наноячеистым электродом

Загрузка...

Номер патента: U 10183

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Муха Евгений Владимирович, Смирнов Александр Георгиевич, Соловьев Ярослав Александрович, Сацкевич Янина Владимировна, Степанов Андрей Анатольевич

МПК: H01L 27/14, H01L 31/06, H01L 31/108...

Метки: элемент, наноячеистым, электродом, полупрозрачным, солнечный, основе, диода, металлическим, шоттки

Текст:

...часть поступающего светового потока отражается и поглощается металлическим электродом, что заметно снижает эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую энергию указанного солнечного элемента. Предлагаемая полезная модель решает задачу увеличения эффективности солнечного элемента, равномерности преобразования падающей световой энергии в электрическую энергию по площади структуры солнечного элемента и срока службы...

Помехоустойчивый тактильный сенсор для робота

Загрузка...

Номер патента: U 10096

Опубликовано: 30.06.2014

Автор: Ярмолович Вячеслав Алексеевич

МПК: H01L 41/08, B25J 19/00, B25J 19/02...

Метки: помехоустойчивый, тактильный, робота, сенсор

Текст:

...цилиндрической формы и немагнитных полусфер, выступающих над рабочей поверхностью пластины и имеющих возможность осевого перемещения относительно каркаса, идентичные магниточувствительные преобразователи размещены под упомянутым каркасом в параллельных плоскостях,причем в каждом отверстии каркаса установлено по одному магниточувствительному преобразователю. Он отличается тем, что магниточувствительный преобразователь выполнен в виде...

Датчик магнитного поля на эффекте Холла

Загрузка...

Номер патента: U 10152

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Ярмолович Вячеслав Алексеевич, Шепелевич Василий Григорьевич

МПК: H01L 43/04, G01R 33/06

Метки: магнитного, холла, поля, датчик, эффекте

Текст:

...По мнению авторов, датчик магнитного поля на эффекте Холла содержит вышеприведенный ряд новых и отличительных признаков, позволяющих реализовать выполнение поставленной задачи по сравнению с прототипом. Следовательно, заявляемая полезная модель соответствует критерию новизна по действующему законодательству. Заявляемая полезная модель поясняется фиг. 1 и 2. На фиг. 1 схематично представлен датчик магнитного поля на эффекте Холла в...

Многоэлементный термоэлектрический преобразователь

Загрузка...

Номер патента: U 10093

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Ярмолович Вячеслав Алексеевич, Шепелевич Василий Григорьевич

МПК: H01L 35/34

Метки: многоэлементный, термоэлектрический, преобразователь

Текст:

...ветви которой имеют различные термоэлектрические свойства, обладающие - и -типом проводимости с горячими и холодными спаями и пара контактов к ним. Он отличается тем, что ветви термопар выполнены толщиной от 40 до 80 мкм в виде тонкой фольги сплавов висмута с сурьмой, -типа, и сплавов висмута с сурьмой, легированных оловом, -типа, с однородным распределением компонентов или дисперсных фаз,причем ветви термопар пространственно расположены в...

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Подковщиков Николай Николаевич

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: обратной, стороны, прибора, кристалла, полупроводникового, способ, формирования, металлизации

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: стороны, обратной, полупроводникового, металлизация, кристалла, прибора

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: кристаллодержателю, прибора, кремниевого, присоединения, кристалла, полупроводникового, способ

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Фотоэлемент

Загрузка...

Номер патента: 18325

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Лойко Валерий Александрович, Мискевич Александр Амуратович

МПК: H01L 31/042

Метки: фотоэлемент

Текст:

...длины электронов в полупроводниковом материале 1-5 мкм, использовании нескольких монослоев таких частиц вместо одного снижении затрат на изготовление - за счет снижения расхода полупроводникового материала. Кроме того, в заявляемом изобретении не используются частицы металла. Указанные преимущества позволяют снизить себестоимость вырабатываемой электроэнергии с помощью фотоэлементов за счет снижения стоимости ватта установленной мощности....

Солнечный термоэлектрический холодильник

Загрузка...

Номер патента: 18317

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 35/28

Метки: солнечный, термоэлектрический, холодильник

Текст:

...поглощения фотонов от воздействия солнечного излучения структурой термоэлектрического солнечного холодильника на поверхность слоя 6 нанесен слой проводящего материала 7 из светопрозрачного материала, который выполняет функцию просветляющего слоя, снижающего поверхностную рекомбинацию носителей заряда на границе -слой 6 - проводящий слой 7. Толщина проводящего слоя 7 из светопрозрачного материала ( 0,0) составляет (0,52,0) мк. При...

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый, солнечной, энергии, преобразователь

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводникового, способ, изготовления, энергии, преобразователя, солнечной

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: изготовления, солнечной, энергии, способ, полупроводникового, преобразователя

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Прецизионный частотный датчик магнитного поля

Загрузка...

Номер патента: U 10081

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Ярмолович Вячеслав Алексеевич, Шепелевич Василий Григорьевич

МПК: G01R 33/07, H01L 43/06

Метки: поля, магнитного, частотный, датчик, прецизионный

Текст:

...магнитного поля в разрезе. На фиг. 2 изображена блок-схема подключения магниточувствительного элемента к источнику постоянного напряжения. На фиг. 3 изображена электрическая блок-схема подключения элемента Пельтье. На фиг. 4 представлена зависимость частотывыходного сигнала от величины индукции приложенного внешнего магнитного поля 0 при коэффициенте усиления магнитомягким концентратором магнитного потока 10. 3 100812014.04.30 Прецизионный...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30, C23C 16/56...

Метки: пленок, легированных, осаждения, фосфором, кремния, способ

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Малый Игорь Васильевич, Ефименко Сергей Афанасьевич, Солодуха Виталий Александрович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: изготовления, интегральной, кремниевой, способ, микросхемы

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ изготовления силовых быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: способ, ядерно-легированном, силовых, изготовления, кремнии, быстродействующих, приборов, полупроводниковых

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Способ радиационной отбраковки диодов Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18058

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Петрович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: способ, диодов, шоттки, радиационной, отбраковки

Текст:

...до 5,1610-2 Кд/кг, одновременно пропуская через диоды прямой ток, величина которого составляет от 1 до 5 максимального прямого тока диода, измеряют величину пробивного напряжения у облученных диодов и осуществляют их отбраковку по изменению этой величины. Сущность способа состоит в следующем. Диоды Шоттки облучают при комнатной температуре малыми (относительно уровня легирования исходного полупроводника) дозами гамма-облучения при...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 18057

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, способ, тиристоров, кремния, быстродействующих, основе

Текст:

...структуры при этом защищают экраном,непроницаемым для электронов. Новым, по мнению автора, является то, что подвергают локальному облучению электронами область структуры под катодным электродом через отверстия в экране диаметром от 0,7 до 1,1 мм, которые равномерно распределены по площади экрана и расположены друг от друга на расстоянии от 0,8 до 1,2 мм, причем область поверхностной фаски тиристорной структуры при этом защищена...

Люминофорная композиция

Загрузка...

Номер патента: 18119

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Бобкова Нинель Мироновна, Трусова Екатерина Евгеньевна, Бойко Андрей Андреевич, Дробышевская Наталья Евгеньевна, Подденежный Евгений Николаевич, Урецкая Ольга Владиславовна

МПК: H01L 33/00, C09K 11/80, H05B 33/14...

Метки: люминофорная, композиция

Текст:

...наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием, прокаленный в атмосфере аргона, в качестве оксидного стекла легкоплавкое стекло состава 23-232-2 при следующем соотношении компонентов, мас.наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированного церием - 11,0 легкоплавкое стекло состава 2 з-23-2-2 - 44,5 порошок кварцевого стекла - 44,5. В состав композиции люминофор вводится в виде...

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Оджаев Владимир Борисович, Челядинский Алексей Романович, Турцевич Аркадий Степанович, Садовский Павел Кириллович, Васильев Юрий Борисович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/322

Метки: слоя, формирования, кремния, способ, геттерного, пластине

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: поверхности, кремния, монокристаллического, контроля, качества, пластины, способ

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Высоковольтный МОП-транзистор

Загрузка...

Номер патента: 18093

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Гетьман Сергей Николаевич, Дудар Наталия Леонидовна

МПК: H01L 29/772

Метки: высоковольтный, моп-транзистор

Текст:

...низкую концентрацию примеси, что ведет к образованию паразитного МОП 2 18093 1 2014.04.30 транзистора и образованию утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка транзистора, и подложкой. Для предотвращения утечки между областью того же типа проводимости, что и подложка высоковольтного МОП-транзистора, и подложкой необходимо запереть паразитный МОП-транзистор, подав на затвор паразитного транзистора потенциал области того...

Детекторный диод с балочными выводами

Загрузка...

Номер патента: U 9936

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 29/86

Метки: детекторный, выводами, диод, балочными

Текст:

...с окном в центре над всей областью диода, а крайние части эластичного диэлектрика выполнены в виде периодических решеток, вокруг отверстий которых расположены прямоугольные разомкнутые микрорезонаторы, прямоугольные разомкнутые микрорезонаторы соединены между собой металлическими проводниками с образованием дополнительных вариантов резонансных комбинаций микрорезонаторов, а геометрические размеры сечений металлических проводников и...

Фотоэлектрический преобразователь

Загрузка...

Номер патента: U 9951

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Козадаев Константин Владимирович, Новиков Андрей Геннадьевич, Гайдук Петр Иванович, Микитчук Елена Петровна, Шевцова Виктория Игоревна

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, фотоэлектрический

Текст:

...прирост эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую на 8,3 за счет использования эффекта ППР золотых наночастиц 3. Основным недостатком этого устройства является технологически сложный метод формирования слоя наночастиц золота путем осаждения их из коллоидного раствора, мало пригодный для серийного производства и обладающий низкой адгезией к поверхности. Задача предлагаемой полезной модели заключается в создании...

Способ формирования пленки силицида титана для производства интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 17953

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Трусов Виктор Леонидович, Колос Владимир Владимирович

МПК: B08B 7/00, H01L 21/44

Метки: способ, интегральных, пленки, формирования, производства, титана, силицида, микросхем

Текст:

...характеристик нагреваемого материала, а именно соотношения коэффициентов отражения, поглощения и пропускания материала в спектральном диапазоне источника излучения. Таким образом, температура тел, находящихся в реакторе быстрой термической обработки, различается. В этом случае, контроль температуры полупроводниковой пластины с помощью термопары, располагающейся в реакторе, не дает адекватных результатов. Для контроля температуры...

Устройство для определения местоположения подвижного микрообъекта

Загрузка...

Номер патента: 17982

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Тимошков Юрий Викторович, Курмашев Виктор Иванович, Тимошков Вадим Юрьевич, Сакова Анастасия Александровна

МПК: G01B 7/004, H01L 27/22

Метки: устройство, определения, местоположения, подвижного, микрообъекта

Текст:

...элементов Холла (3), поверх которой расположен изоляционный слой(4) подвижного микрообъекта (5) с интегрированным в него магнитным высококоэрцитивным участком с перпендикулярной анизотропией (6). Структура в разрезе А-А состоит из подложки (1), матрицы элементов Холла (3), изоляционного слоя (4) подвижного микрообъекта (5) с интегрированным в него магнитным высококоэрцитивным участком с перпендикулярной анизотропией (6). Одиночный элемент...

Чувствительный элемент

Загрузка...

Номер патента: U 9799

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 27/14

Метки: чувствительный, элемент

Текст:

...эффективности преобразования электромагнитного излучения при одновременном увеличении помехоустойчивости. Поставленная техническая задача решается тем, что чувствительный элемент, представляющий собой четырехполюсник, содержащий две пары последовательно включенных переходов металл-полупроводник и полупроводник-металл с общим для них полупровод 2 97992013.12.30 никовым каналом, причем первая пара переходов, являющихся переходами Шоттки, имеет...

Способ получения тонких пленок SnS

Загрузка...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C23C 14/24, H01L 31/18, C30B 29/46...

Метки: тонких, получения, пленок, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, полупроводниковых, диэлектрическая, межуровневая, приборов

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Способ радиационной отбраковки биополярных транзисторов

Загрузка...

Номер патента: 17795

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: биополярных, радиационной, отбраковки, способ, транзисторов

Текст:

...обратного тока упомянутых транзисторов для обеспечения активации поверхностных дефектов в переходах транзисторных структур осуществляют термическое воздействие на транзисторы в течение 50,5 ч при температуре 125 С при подаче на транзисторы смещения, составляющего не более 70 от максимально установленного запирающего напряжения для данных транзисторов, после чего осуществляют низкоинтенсивное радиационное и термическое воздействие на...

Способ отбора МОП-транзисторов для космической аппаратуры

Загрузка...

Номер патента: 17800

Опубликовано: 30.12.2013

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: аппаратуры, отбора, космической, моп-транзисторов, способ

Текст:

...отбор транзисторов. Отбраковываются изделия,изменения параметров которых выходят за пределы обычного статистического распределения. В основу предлагаемого метода положены следующие физические явления. При воздействии ионизирующих излучений в МОП-транзисторах происходят следующие процессы 6 генерация и накопление заряда в защитном диэлектрике изменение заряда поверхностных состояний на границе полупроводник-диэлектрик...