Гурин Павел Михайлович

Способ изготовления кремниевых быстродействующих приборов

Загрузка...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Гурин Павел Михайлович

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, приборов, способ, изготовления, быстродействующих

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых приборах на эпитаксиальном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 13719

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: носителей, заряда, кремнии, жизни, приборах, неосновных, времени, регулирования, полупроводниковых, эпитаксиальном, способ

Текст:

...С для увеличения времени жизни и потом до флюенса 11016 см-2 при температурах от -150 до 150 С для снижения времени жизни, а интенсивность пучка электронов подбирают такой, чтобы время облучения не превышало 600 и 3000 с соответственно. Способ основан на радиационно-стимулированных процессах, протекающих в облученных эпитаксиальных структурах и приводящих к улучшению характеристик приборов на основе таких структур. Так, эффект малых доз,...

Способ изготовления быстродействующих тиристоров на основе кремния

Загрузка...

Номер патента: 12994

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Гурин Павел Михайлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: быстродействующих, кремния, способ, тиристоров, изготовления, основе

Текст:

...пробега электронов в материале экрана, и с расположением отверстий, соответствующим расположению отверстий шаблона для нанесения на кремниевую пластину контактов к управляющему электроду, подвергают воздействию тормозного гаммаизлучения весь объем структуры. Сущность способа состоит в следующем. В случае формирования в четырехслойной приборной структуре зоны повышенной рекомбинации (ЗПР) цилиндрической формы 5,когда ЗПР совпадает с...