Гременок Валерий Феликсович

Способ получения тонких пленок SnS

Загрузка...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18, C23C 14/24, C30B 29/46...

Метки: способ, тонких, получения, пленок

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Тонкопленочный полупроводниковый фотодетектор

Загрузка...

Номер патента: 16917

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18

Метки: полупроводниковый, тонкопленочный, фотодетектор

Текст:

...его стоимости. Новым, по мнению авторов, является использование в тонкопленочном полупроводниковом фотодетекторе в качестве полупроводникового слоя тонкой пленки - толщиной от 0,5 до 3 мкм. Сущность изобретения заключается в создании многослойной структуры стекло/-/. Создание структуры включает следующие стадии получение тонкой пленки - толщиной 0,5-3 мкм на стекле,нанесение на полученную пленку тонкого слоятолщиной 1-2 мкм. На первом...

Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS

Загрузка...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Унучек Денис Николаевич, Иванов Василий Алексеевич, Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: C23C 28/00, C30B 29/46, H01L 31/18...

Метки: основе, структуры, способ, тонкопленочной, элементов, получения, солнечных

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Способ получения тонких пленок сульфоселенида олова

Загрузка...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/10

Метки: тонких, пленок, способ, получения, сульфоселенида, олова

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Способ получения тонкой пленки Ba1xSrxTiO3

Загрузка...

Номер патента: 13507

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Романюк Виктор Леонидович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: ba1xsrxtio3, тонкой, пленки, способ, получения

Текст:

...импульсное лазерное напыление на кремниевую подложку пленки 1-3 из материала мишени. Новым, по мнению авторов, является то, что импульсное лазерное напыление осуществляют лазером, работающим в режиме свободной генерации, с длиной волны 1,06 нм, длительностью импульса 10-3 с и энергией импульса 150-160 Дж, причем во время напыления давление составляет 200,5 Па и температура подложки 2002 С. На фиг. 1 представлена рентгенограмма пленки...

Способ получения тонкой пленки соединения Cu(InxZn1-x)(SeyS1-у)2

Загрузка...

Номер патента: 11399

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Иванов Василий Алексеевич, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: получения, тонкой, способ, cu(inxzn1-x)(seys1-у)2, пленки, соединения

Текст:

...методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя халькогениды цинка и пленки металлов (С, ) - с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах селена и серы (селенизация-сульфидизация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре 250 С происходит...

Способ формирования пленки соединения Cu2ZnSn(Se,S)4

Загрузка...

Номер патента: 11393

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, пленки, соединения, формирования, cu2znsn(se,s)4

Текст:

...2(,)4 пленки. Способ получения 2(,)4 тонких пленок включает следующую последовательность операций формирование на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементов базового слоя (С, ), (либо их бинарных селенидов и/или сульфидов) с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжиг полученной структуры в парах серы и селена...

Способ получения тонкой пленки Cu(In,Ga)(S,Se)2

Загрузка...

Номер патента: 11392

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Тиванов Михаил Сергеевич, Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: пленки, cu(in,ga)(s,se)2, способ, получения, тонкой

Текст:

...для синтеза однофазной (,)(,)2 пленки. Способ получения (,)(,)2 тонких пленок включает следующую последовательность операций формируют на исходной подложке (или на подложке с проводящим контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) элементы базового слоя и/или их бинарные селениды, и/или сульфиды с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением отжигают полученную структуру...

Способ получения пленок твердых растворов Zn2-2xCuxInxIV2

Загрузка...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, растворов, zn2-2xcuxinxiv2, получения, твердых, пленок

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Способ получения халькопиритных CuInSe2, Сu (In, Ga) Se2 или CuGaSe2 тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Курдесов Федор Васильевич, Ковалевский Вячеслав Иосифович, Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18

Метки: или, cuinse2, халькопиритных, cugase2, пленок, способ, получения, тонких

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...