Голубев Николай Федорович

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 18137

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...РСЭ проходит через металлизацию анода и рассеивается через охранное кольцо и локальные области -типа проводимости. Наличие локальных областей -типа проводимости обуславливает дополнительные пути рассеивания импульса РСЭ и позволяет повысить устойчивость диода Шоттки к воздействию РСЭ. Увеличение выхода годных достигается благодаря выбору оптимальной концентрации областей -типа проводимости за счет снижения сопротивления и выравнивания...

Высоковольтный быстродействующий диод

Загрузка...

Номер патента: 16468

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Пуцята Владимир Михайлович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, быстродействующий, высоковольтный

Текст:

...функцию резистивной полевой обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии наблюдаются существенные внутренние механические напряжения, которые могут привести...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Малышев Сергей Александрович, Блынский Виктор Иванович, Василевский Юрий Георгиевич, Чиж Александр Леонидович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15400

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Сарычев Олег Эрнстович, Глухманчук Владимир Владимирович, Высоцкий Виктор Борисович, Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Высоковольтный биполярный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 12019

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: биполярный, транзистор, высоковольтный

Текст:

...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10443

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, шоттки, способ, диода

Текст:

...платины. При меньших значениях температуры термообработки и времени ее проведения не происходит полного перехода платины в силицид, что приводит к росту обратных токов, ухудшению качества и снижению выхода годных. При температуре термообработки более 575 С и времени термообработки более 60 мин наблюдаются рост обратных токов и снижение выхода годных диодов Шоттки, связанные с диффузией кислорода в слой силицида, диффузией никеля к границе...

Мощный биполярный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 6250

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Голубев Николай Федорович, Рубцевич Иван Иванович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 29/73

Метки: транзистор, биполярный, мощный

Текст:

...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...

Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою

Загрузка...

Номер патента: 4014

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Голубев Николай Федорович, Рубцевич Иван Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, пробою, обратному, биполярный, транзистор, вторичному, устойчивый

Текст:

...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...