Глухманчук Владимир Владимирович

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 16184

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Блынский Виктор Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Малышев Сергей Александрович, Василевский Юрий Георгиевич, Голубев Николай Федорович, Чиж Александр Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...электрических импульсов за счет того, что выделение тепла в точках локального пробоя (приводящее к необратимым изменениям в полупроводнике и выходу из строя диода Шоттки или ухудшению его параметров) происходит одновременно во многих точках ОПЗ, распределенных по его объему, что уменьшает их локальный перегрев и обуславливает лучшие условия теплоотвода. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - полупроводниковая подложка 2 -...

Композиция для получения твердых планарных источников бора при изготовлении изделий микроэлектроники

Загрузка...

Номер патента: 15733

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: композиция, источников, получения, изделий, бора, изготовлении, твердых, планарных, микроэлектроники

Текст:

...менее 1,4 мас.затрудняется процесс нанесения пасты на кремниевую подложку из-за ее растекания, что приводит к снижению качества и выхода годных ТПИБ. При содержании аэросила в композиции более 2,4 мас.также снижается качество и выход годных ТПИБ вследствие повышенной густоты композиции, затрудняющей равномерное заполнение ею отверстий в трафарете при изготовлении ТПИБ. Тетраэтоксисилан - прозрачная бесцветная жидкость со специфическим...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, планарных, приборов, создании, источников, схем, изготовления, интегральных, бора, способ, твердых

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15400

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Высоцкий Виктор Борисович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Голубев Николай Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: шоттки, диод

Текст:

...поликристаллического кремния (ППК) в составе защитного диэлектрического покрытия выполняет функцию резистивной обкладки, обеспечивающей равномерное распределение напряжения обратного смещения по площади структуры. При толщине слоя ППК менее 0,05 мкм ухудшается равномерность распределения напряжения обратного смещения, что приводит к уменьшению обратного напряжения. При толщине слоя ППК более 0,5 мкм в защитном диэлектрическом покрытии...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15214

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...электрическим пробоем, улучшить качество наносимых слоев и контактные свойства силицидов. Первый барьерный слой содержит 10-30 мас.платины, что в 3-9 раз меньше, чем у наиболее близкого технического решения. Кроме того, слой наносится в одном процессе напыления. Указанные факторы позволяют снизить расход платины, сократить технологический цикл, повысить экономические показатели изготовления диодов Шоттки и их конкурентоспособность на рынке...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 15018

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Бармин Михаил Дмитриевич, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ковальчук Наталья Станиславовна

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диода, способ, изготовления

Текст:

...уменьшает обратный ток диода Шоттки. Кроме того, область -типа проводимости является геттером для примесных и структурных дефектов, что также способствует уменьшению обратного тока диода Шоттки. Удаление слоя окисла кремния после формирования ограничительного кольца -типа проводимости необходимо для обеспечения непосредственного электрического контакта слоя полуизолирующего поликристаллического кремния (ППК) защитного диэлектрического покрытия...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур

Загрузка...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Кривчик Петр Петрович, Становский Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 21/36, C30B 25/20

Метки: структур, способ, изготовления, кремниевых, эпитаксиальных

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Способ изготовления мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Сарычев Олег Эрнстович, Керенцев Анатолий Федорович, Зубович Анатолий Николаевич, Выговский Станислав Вячеславович

МПК: H01L 23/12

Метки: способ, полупроводникового, прибора, мощного, изготовления

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Металлизация интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: схемы, металлизация, интегральной

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Лабан Эдуард Казимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: способ, изготовления, межэлементных, микросхемы, соединений

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14848

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Голубев Николай Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...кольца будет сравнительно большим, что не позволит заметно улучшить устойчивость диода Шоттки к воздействию статического электричества. Превышение произведения ширины охранного кольца на глубину его залегания более 80 мкм 2 не приводит к дальнейшим улучшениям, что экономически нецелесообразно. При отношении глубины охранного кольца к толщине эпитаксиального слоя в диапазоне от 0,16 до 0,32 обеспечивается равномерное протекание ударного...

Способ изготовления фотодиода

Загрузка...

Номер патента: 15054

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сивец Василий Иосифович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Сарычев Олег Эрнстович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 31/00, H01L 27/14

Метки: способ, фотодиода, изготовления

Текст:

...2011.10.30 формированием контактов к областям анода и катода, причем легирование ионами гелия проводят дозой 1013-1015 см-2, энергией 30-150 кэВ, а отжиг проводят при температуре 500-750 С в течение 0,5-6 ч. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показал, что заявляемый способ отличается от известного тем, что легирование ионами гелия и отжиг в среде азота выполняют перед формированием контактов к областям катода и анода,...

Способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов

Загрузка...

Номер патента: 14381

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Добриян Татьяна Сергеевна

МПК: C04B 41/88, C04B 41/80

Метки: алюмооксидных, керамических, способ, металлизации, изоляторов

Текст:

...алюмооксидных керамических изоляторов в среде водорода и азота, вжигание металлизации, совмещенное с окончательным обжигом алюмооксидных керамических изоляторов, осуществляют при температуре не ниже 1610 С с периодом толкания 20-45 мин. Сопоставительный анализ предлагаемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ металлизации алюмооксидных керамических изоляторов отличается от известного тем, что вжигание металлизации,...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Становский Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, кремниевые, приборов, примесей, диффузии, изготовления, пластины, способ, акцепторных, полупроводниковых

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 14452

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Комаров Фадей Фадеевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Кузик Сергей Владимирович, Мильчанин Олег Владимирович, Довнар Николай Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: диода, шоттки, изготовления, способ

Текст:

...платины, снижает процент выхода годных диодов. Увеличение содержания никеля в барьерном слое более 86,0 мас.приводит к уменьшению содержания платины и ванадия, увеличению магнитных свойств сплава, ухудшению качества наносимых слоев и контактных свойств силицида, снижению процента выхода годных. Содержание ванадия в барьерном слое менее 4 мас.не обеспечивает создания немагнитного многокомпонентного слоя, увеличения процента выхода...

Способ планаризации микрорельефа при изготовлении интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 13309

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Родин Георгий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/70

Метки: микрорельефа, схем, планаризации, способ, изготовлении, интегральных

Текст:

...Вт/см 2 до вскрытия диэлектрических слоев на планарной поверхности подложки. Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено. Нанесение слоя жидкого стекла на центрифуге, толщиной над планарными поверхностями 0,250,35 мкм планаризует микрорельеф над канавками. Применение жидкого стекла, толщиной более 0,35 мкм нецелесообразно, так как повышения процента выхода годных интегральных схем не...

Немагнитный сплав на основе никеля

Загрузка...

Номер патента: 13170

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C22C 19/03

Метки: немагнитный, сплав, основе, никеля

Текст:

...тины и ванадия приведет к неполному устранению магнитных свойств сплава, а значит, будет наблюдаться замыкание катодом-мишенью силовых линий магнитного поля. Это, в свою очередь, приведет к разогреву мишени и подложек, электрическим пробоям, деформации и оплавлению мишени и обусловит снижение качества металлических пленок, что ухудшает контактные свойства переходных слоев силицидов, сформированных твердофазной реакцией с кремнием...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13177

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: изготовления, диода, шоттки, способ

Текст:

...источника будет менее 950 С, а время менее 30 мин, то на поверхности не будет сформирован слой достаточно большой степени легирования бором, а значит, это приведет к низкой поверхностной концентрации бора в охранном кольце, приводящей к снижению обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Понижение температуры до первоначального уровня в окислительной среде проводят для...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 13060

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шамягин Виктор Павлович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Токарев Владимир Васильевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, изготовления, шоттки, диода

Текст:

...Если отжиг проводить более 180 минут при температуре более 1040 С, то глубина залегания перехода охранного кольца будет слишком большой, а поверхностная концентрация бора в охранном кольце пониженной,что приведет к снижению величины обратного напряжения и ухудшению устойчивости диода Шоттки к воздействию статического электричества. Если отжиг проводить в окислительной среде, то поверхностная концентрация бора в охранном кольце будет...

Пленкообразующая композиция для диффузии алюминия в кремний

Загрузка...

Номер патента: 12893

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Мойсейчук Сергей Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Бересневич Людмила Брониславовна, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: алюминия, кремний, пленкообразующая, диффузии, композиция

Текст:

...позволяет снизить количество неконтролируемых примесей и улучшить 2 12893 1 2010.02.28 качество легированных стекол для диффузии алюминия. При содержании ТЭОС менее 15,0 мас.в осажденных пленках содержится недостаточно нитрата алюминия для обеспечения требуемого содержания диффузанта, и глубина диффузии уменьшается. При содержании ТЭОС более 17,0 мас.образуется студенистая масса, которая непригодна для нанесения пленок диффузанта...

Состав для получения металлизационной пасты для алюмооксидной керамики

Загрузка...

Номер патента: 12549

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Выговский Станислав Вячеславович, Добриян Татьяна Сергеевна, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Козюк Викентий Геннадьевич, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C04B 41/88

Метки: пасты, металлизационной, состав, получения, керамики, алюмооксидной

Текст:

...металлизационной пасты более 20,0 мас. , молибдена менее 79,0 мас. , борида молибдена более 1,0 мас.происходит избыточное образование стеклофазы, приводящее к тому, что межзеренное пространство молибденовой металлизации заполняется диэлектрической средой, обеспечивая высокую адгезионную прочность сцепления металлизации с керамикой. Однако при этом диэлектрическая среда снижает электропроводность металлизированного слоя и затрудняет...

Корпус мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович, Горобец Григорий Александрович, Осипов Александр Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/00

Метки: мощного, полупроводникового, прибора, корпус

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Высоковольтный биполярный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 12019

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: биполярный, транзистор, высоковольтный

Текст:

...до 0,2 мкм позволяет улучшить защитные свойства пассивирующего покрытия и компенсировать механические напряжения, возникающие на границе нитрид кремния - слой легкоплавкого стекла из-за разности их термических коэффициентов линейного расширения. В совокупности это обеспечивает дополнительное повышение выхода годных ВБТ. При толщине слоя нитрида кремния менее 0,05 мкм улучшение защитных свойств не достигается и компенсации механических...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: кристаллодержателю, полупроводникового, прибора, присоединения, кристалла, кремниевого, способ

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, H01L 29/66

Метки: способ, диода, шоттки, изготовления

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

Шликер для горячего литья керамических деталей

Загрузка...

Номер патента: 11692

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Выговский Станислав Вячеславович, Солодуха Виталий Александрович, Добриян Татьяна Сергеевна, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C04B 35/10, B28B 1/00

Метки: керамических, шликер, горячего, литья, деталей

Текст:

...уменьшенной усадкой, что снижает дефектообразование в процессе снятия деталей из отливаемой пресс-формы. При содержании полипропиленгликоля-2000 в шликере менее 1 мас. , воска менее 0,2 мас. , олеиновой кислоты менее 0,2 мас.происходит расслоение шликера и не обеспечивается однородная плотность отливки, возникают раковины внутри керамических деталей и на поверхности. Также при литье керамических деталей происходит неполное заполнение...

Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 29/00, H01L 49/02

Метки: тонкопленочный, интегральной, кремниевой, микросхемы, интегральный, резистор

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Бересневич Людмила Брониславовна, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Мойсейчук Константин Леонидович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: источников, полупроводниковых, бора, твердых, приборов, изготовлении, интегральных, схем, получения, композиция

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Пуцята Владимир Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: высоковольтных, приборов, многослойное, полупроводниковых, пассивирующее, покрытие

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 11278

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: шоттки, изготовления, диода, способ

Текст:

...геттерирующего слоя, а отжиг проводят перед формированием углубления в эпитаксиальном слое. Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Известно, что величина токов утечки диодов Шоттки определяется высотой барьера Шоттки, плотностью поверхностных состояний на границе металл-кремний, а также током генерации носителей заряда в области обеднения диода Шоттки 4, 5. Ионное легирование непланарной стороны подложки ионами...

Способ пассивации p-n переходов тиристора с меза-канавкой

Загрузка...

Номер патента: 11157

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: пассивации, тиристора, меза-канавкой, способ, переходов

Текст:

...менее 8,0 мас.резко ухудшается способность данного слоя к оплавлению. Это приводит к плохой планаризации топологического рельефа и ухудшает качество фотолитографии при формировании рисунка пассивирующих областей из-за уменьшения толщины и обрыва фоторезистивного слоя по краю меза-канавки. В случае суммарного содержания бора и фосфора более 10 мас.при содержании фосфора более 5 мас.слои БФСС будут характеризоваться плохой стойкостью к...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Кресло Сергей Михайлович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, приборов, примесей, способ, акцепторных, кремниевые, полупроводниковых, пластины, изготовления, диффузии

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, бора, полупроводниковых, твердых, способ, интегральных, диффузии, изготовлении, микросхем, источников

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: создании, схем, источников, планарных, интегральных, твердых, приборов, изготовления, способ, полупроводниковых, бора

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: полупроводникового, металлизация, прибора

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 10252

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Карпов Иван Николаевич

МПК: H01L 29/66, H01L 29/00

Метки: диод, шоттки

Текст:

...счет уменьшения механических напряжений в первом барьерном слое, величина которых может превышать 1 ГПа. Никель также блокирует диффузию кислорода в силицид платины и обеспечивает формирование платиносодержащего первого барьерного слоя диода Шоттки с однородными свойствами, что, в свою очередь, приводит к снижению обратных токов, улучшению качества диодов Шоттки и повышению выхода годных. Кроме того, никель снижает высоту барьера барьерного...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: твердый, схем, изготовления, полупроводниковых, бора, интегральных, приборов, планарный, источник, диффузии

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины

Загрузка...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: металлизации, способ, пластины, стороны, кремниевой, формирования, обратной

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 9449

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/329, H01L 29/872

Метки: шоттки, способ, изготовления, диода

Текст:

...дислокаций кристаллической структуры с поверхностной плотностью порядка 108 см-2. Такая поверхность является эффективным геттерирующим слоем, оттягивающим на себя металлические примеси из объема кремниевой подложки во время высокотемпературных обработок. Последующее полирование планарной стороны подложки приводит к удалению геттерирующего слоя только с планарной стороны, что обусловливает низкую плотность дефектов кристаллической структуры в...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Карпов Иван Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Малый Игорь Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/94, H01L 29/92

Метки: конденсатор, микросхем, интегральных

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...