G11C 11/00 — Цифровые запоминающие устройства, отличающиеся применением различных электрических или магнитных элементов памяти; элементы памяти для них

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 17482

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Булова Юлия Олеговна, Пацей Наталья Владимировна, Шиман Дмитрий Васильевич, Романенко Дмитрий Михайлович, Виткова Марина Федоровна, Урбанович Павел Павлович

МПК: G11C 11/00, H03M 13/09

Метки: запоминающее, устройство

Текст:

...- третьи паритеты), 60 - вторые паритеты между плоскостями(со сдвигом по горизонтали)(81-96) (в формуле изобретения - шестые паритеты), 61 третьи паритеты между плоскостями (со сдвигом по вертикали)(97-112) (в формуле изобретения - седьмые паритеты). Фиг. 3 - фрагмент порождающей матрицы трехмерного итеративного кода с семью линейно-независимыми паритетами, отображающий принцип формирования горизонтальных и вертикальных паритетов (на...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 13777

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Шиман Дмитрий Васильевич, Пацей Наталья Владимировна, Урбанович Павел Павлович, Романенко Дмитрий Михайлович

МПК: G11C 29/00, G11C 11/00

Метки: устройство, запоминающее

Текст:

...диагональными проверками (16). Сущность метода заключается в том, что система памяти состоит из 1 кристаллов, из которых имеют внутренние схемы дешифрации адреса, а (1)-й кристалл является устройством для хранения паритетов строк и столбцов (, ), первых и вторых объединенных диагональных паритетов (1 и 2), а также паритета контрольной суммы . Из этого следует, что вычисление проверочных символов осуществляется в четырех направлениях (, ,...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 11406

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Романенко Дмитрий Михайлович, Шиман Дмитрий Васильевич, Урбанович Павел Павлович, Пацей Наталья Владимировна

МПК: G11C 11/00, H03M 13/00

Метки: устройство, запоминающее

Текст:

...вычисления первых, вторых диагональных паритетов и контрольной суммы соединены с третьей, четвертой и пятой группой информационных входов (и 1)-го кристалла памяти. Изобретение поясняется чертежами фиг. 1 - фиг. 3. Фиг. 1 - Порождающая матрица линейного итеративного кода с двойными диагональными проверками (16). Фиг. 2 - Принцип формирования избыточных символов для линейного итеративного с двойными диагональными проверками (16), где 1 -...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 7277

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Урбанович Павел Павлович, Романенко Дмитрий Михайлович

МПК: G11C 29/00, G11C 11/00

Метки: запоминающее, устройство

Текст:

...-паритета связаны со вторыми информационными входами устройства, выходы второго блока вычисления -паритета соединены с третьей группой информационных входов (1)-го кристалла памяти. Сущность метода заключается в том, что система памяти состоит из 1 кристаллов, из которых имеют внутренние схемы дешифрации адреса и формирования паритетов строк и столбцов (, ), а (1)-ый кристалл является устройством для хранения вертикального паритета ....

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: U 654

Опубликовано: 30.09.2002

Автор: Яцкевич Виктор Антонович

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее, устройство

Текст:

...последовательных колебательных контуров в этих адресных блоках. На фиг. изображена схема предлагаемого запоминающего устройства. Обозначения на фиг.1 - адресный блок 2 - аналоговый сумматор 3 - матрица элементов памяти 4 блок считывания 5 - общая разрядная шина 6 - элемент памяти 7 - адресная шина строки 8 - адресная шина столбца 9 - первый адресный дешифратор 10 - второй адресный дешифратор 11 - генератор гармонических колебаний 12 - ключевой...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 4563

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Романенко Дмитрий Михайлович, Урбанович Павел Павлович

МПК: G11C 11/00, G11C 29/00

Метки: устройство, запоминающее

Текст:

...и назначение шин 8 и 9 будет рассмотрено ниже на конкретном примере). В соответствии с кодом адреса на шинах 9 формируется новый (внутренний) код адреса 10, 11, соответствующий адресу годного поднакопителя (часть накопителя) кристаллов 4 и адресу кристалла, имеющего годные накопители. Блок внешней памяти 2 может представлять собой программируемое или оперативное ЗУ. В первом случае входы 15 являются управляющими для программирования, во...