G01N 15/08 — определение проницаемости, пористости или поверхностной площади пористых материалов

Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления

Загрузка...

Номер патента: U 10690

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Петрова Радмила Святославовна, Борозна Вилия Дмитриевна, Буркин Александр Николаевич, Панкевич Дарья Константиновна

МПК: G01N 15/08

Метки: водонепроницаемости, гидростатического, определения, методом, давления, материалов, прибор

Формула / Реферат:

Прибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что он снабжен устройством светозвуковой индикации проникания воПрибор для определения водонепроницаемости материалов методом гидростатического давления, состоящий из манометра, зажимного устройства, узла подачи и поддержания давления, отличающийся тем, что...

Способ определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов

Загрузка...

Номер патента: 15531

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шкурдюк Петр Алексеевич, Маркова Людмила Владимировна, Александров Валерий Михайлович

МПК: G01N 15/08, G01N 1/32

Метки: определения, пористого, фактической, площади, материалов, способ, компактного, контакта

Текст:

...способа. Поставленная задача достигается тем, что в заявляемом способе определения фактической площади контакта пористого и компактного материалов, в котором спекают подложку из компактного материала с пластиной из пористого материала, изготавливают шлиф, после чего его поверхность со стороны компактной подложки обрабатывают травителем до момента выявления на ней границ, очерчивающих площади контакта частиц пористого материала с компактным,...

Прибор для определения водопоглощения образца строительного материала

Загрузка...

Номер патента: 11533

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Щепочкина Юлия Алексеевна, Воронова Наталья Петровна, Березовский Сергей Николаевич, Подлозный Эдуард Дмитриевич, Березовский Николай Иванович, Добриян Георгий Константинович

МПК: G01N 15/08

Метки: образца, строительного, прибор, определения, водопоглощения, материала

Текст:

...крепления исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизонтали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...

Прибор для определения водопоглощения строительных материалов

Загрузка...

Номер патента: U 3880

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Березовский Николай Иванович, Подлозный Эдуард Дмитриевич, Щепочкина Юлия Алексеевна, Березовский Сергей Николаевич, Добриян Георгий Константинович, Воронова Наталья Петровна

МПК: G01N 15/08

Метки: определения, прибор, водопоглощения, строительных, материалов

Текст:

...исследуемого образца 2, напорный резервуар (не показан), сообщающийся с сосудом 1 для жидкости посредством трубопровода 3 с запорным устройством 4, датчик 5 температуры. Прибор снабжен опорной площадкой 6 для установки исследуемого образца 2, закрепленной на валу 7 с возможностью ее поворота и фиксации под углом к горизон 2 38802007.10.30 тали. Сосуд 1 для жидкости выполнен в виде мерного цилиндра, открытый торец 8 которого контактирует с...

Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv

Загрузка...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Ширипов Владимир Яковлевич, Достанко Анатолий Павлович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: G01N 15/08, H01L 21/66

Метки: полупроводников, способ, контроля, покрытий, ашвv, подложках, пористости

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....