Емельянов Виктор Андреевич

Многослойное защитное покрытие

Загрузка...

Номер патента: U 10679

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович, Романов Игорь Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Жижченко Алексей Геннадьевич, Посылкина Ольга Ивановна

МПК: C23C 14/00

Метки: многослойное, покрытие, защитное

Формула / Реферат:

Многослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся тем, что упомянутые чередующиеся слои выполнены из нитрида иМногослойное защитное покрытие, содержащее первый слой титана и последующие чередующиеся слои на основе титана толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев от 4 до 50, отличающееся...

Режущий инструмент

Загрузка...

Номер патента: U 10678

Опубликовано: 30.06.2015

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Карпович Дмитрий Семенович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Виктор Андреевич, Комаровская Виктория Маратовна

МПК: C23C 28/00

Метки: режущий, инструмент

Формула / Реферат:

Режущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов толщиной 30-200 нм каждый при суммарном количестве слоев оРежущий инструмент, содержащий режущую часть из твердосплавного материала с нанесенными на нее слоем на основе титана и последующими чередующимися слоями на основе соединений тугоплавких металлов...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрическая, межуровневая, приборов, изоляция, полупроводниковых

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, приборов, межуровневой, полупроводниковых, диэлектрической, изоляции

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Режущий инструмент

Загрузка...

Номер патента: U 9270

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Куис Дмитрий Валерьевич, Сенько Сергей Федорович, Латушкина Светлана Дмитриевна, Рудак Павел Викторович

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы отличаются от радиуса атомов титана не более чем на 12 , что обеспечивает образование твердых растворов замещения в широком интервале концентраций. Присутствие инородных атомов в процессе кристаллизации пленки титана препятствует образованию крупных...

Режущий инструмент

Загрузка...

Номер патента: U 9269

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Латушкина Светлана Дмитриевна, Жижченко Алексей Геннадьевич, Емельянов Виктор Андреевич, Гапанович Ольга Ивановна, Карпович Дмитрий Валерьевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: C23C 28/00

Метки: инструмент, режущий

Текст:

...и упрочняющей пленкой на основе соединений тугоплавких металлов, адгезионная пленка толщиной 0,1-2,0 мкм выполнена на основе твердого раствора хрома, или циркония, или молибдена в титане при концентрации примеси 0,5-3,0 . Сущность заявляемого технического решения заключается в измельчении структуры упрочняющей пленки. Хром, цирконий и молибден обладают электрохимическими свойствами, близкими к свойствам титана, а их атомные радиусы...

Многослойное защитное покрытие

Загрузка...

Номер патента: U 9268

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Гапанович Ольга Ивановна, Латушкина Светлана Дмитриевна, Емельянов Виктор Андреевич, Жижченко Алексей Геннадьевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/00

Метки: защитное, многослойное, покрытие

Текст:

...зерен. Структура вместо столбчатой становится мелкозернистой, что сопровождается дополнительным повышением прочности. Кроме того, рассматриваемые твердые растворы характеризуются более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая...

Многослойное защитное покрытие

Загрузка...

Номер патента: U 9267

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Комаровская Виктория Маратовна, Пискунова Ольга Юрьевна, Емельянов Виктор Андреевич, Латушкина Светлана Дмитриевна, Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/00

Метки: покрытие, защитное, многослойное

Текст:

...более высокой твердостью по сравнению с чистым титаном. Хотя слой титана в составе покрытия служит для обеспечения адгезии к основанию и не несет основную прочностную нагрузку, его упрочнение благотворно сказывается на износостойкости покрытия в целом. Такая совокупность свойств рассматриваемых легирующих элементов позволяет получать высокопрочные пленки легированных слоев при одновременном уменьшении размеров зерен. Наличие...

Полевой транзистор с плавающим затвором

Загрузка...

Номер патента: U 9208

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Алиева Наталья Васильевна, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H01L 29/788

Метки: транзистор, плавающим, полевой, затвором

Текст:

...вовсе не присущи 6. Несмотря на небольшое различие в значении коэффициентов линейного термического расширения (клтр) 34 и кремния (3,410-6 -1 для 34 5 и 3,7210-6 -1 для 6), использование высоких температур при изготовлении ИС и отсутствие полиморфных превращений 34 приводят к возникновению высоких механических напряжений на границах раздела слоев. В связи с этим заявляемое техническое решение предусматривает использование тонких...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: U 9178

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Хмыль Александр Александрович, Алиева Наталья Васильевна, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Трусов Виктор Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...конденсатора и максимально возможную релаксацию механических напряжений. За счет этого резко снижается дефектность многослойного конденсаторного диэлектрика в целом и повышается воспроизводимость его характеристик. Мягкий пробой конденсаторного диэлектрика исчезает, емкость формируемого конденсатора стабилизируется. В итоге это позволяет уменьшить толщину диэлектрика и уменьшить площадь, занимаемую конденсатором, а также повысить выход...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: 16227

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремниевая, полупроводниковая, пластина

Текст:

...пленке а- препятствуют эпитаксиальной рекристаллизации поли- и способствуют уменьшению размеров его зерен. В результате суммарная площадь межзеренных границ, определяющая эффективность геттерирования, возрастает. Использование промежуточного слоя - в составе заявляемой пластины позволяет увеличить толщину исходного слоя оксида кремния до 2,5 нм, что обеспечивает возможность проведения ее химической отмывки в процессе изготовления, делает...

Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния

Загрузка...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: H01L 21/322

Метки: способ, пластины, кремния, полупроводниковой, изготовления

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, диэлектрическая, полупроводниковых, приборов, межуровневая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 21/322

Метки: пластин, покрытие, геттерирующее, полупроводниковых, кремниевых

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, состав, полупроводниковых, металлизации, удаления, приборов, изготовлении, фоторезиста

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, полупроводниковых, системы, изготовления, приборов, способ

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Способ формирования геттерирующего покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: C23C 16/22, H01L 21/322

Метки: покрытия, способ, полупроводниковых, кремниевых, пластин, формирования, геттерирующего

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Способ нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент

Загрузка...

Номер патента: 14401

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Вершина Алексей Константинович

МПК: B23P 15/28, C23C 14/32

Метки: режущий, нанесения, покрытия, износостойкого, способ, инструмент

Текст:

...также снижает качество формируемого покрытия. Технической задачей предлагаемого изобретения является увеличение износостойкости инструмента путем повышения качества наносимого покрытия за счет обеспечения оптимальной температуры нагрева инструментов для формируемого покрытия. Поставленная задача решается тем, что в способе нанесения износостойкого покрытия на режущий инструмент, включающем размещение инструмента на держателе, очистку и...

Способ контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: частности, изделия, способ, структуры, поверхности, пластины, контроля, качества, полупроводниковой

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Устройство для контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, G01B 9/00...

Метки: частности, полупроводниковой, изделия, устройство, пластины, контроля, структуры, качества, поверхности

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 6967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводниковая, кремниевая, пластина

Текст:

...между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -ОН. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 25 до нескольких ангстрем. Слой 2 толщиной несколько ангстрем, как и в случае прототипа, уже не является 3 69672011.02.28 препятствием для диффузии неконтролируемых примесей из объема кремниевой подложки в поликристаллическую пленку. Наличие групп - в объеме пленок - и...

Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: U 6966

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, полупроводниковых, покрытие, кремниевых, геттерирующее

Текст:

...примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых примесей, поскольку характеризуется еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, металлизации, системы, кремниевых, приборов, способ, изготовления

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: U 5775

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: контроля, поверхности, устройство, качества, изделий

Текст:

...уменьшением радиуса кривизны наблюдаемых топографических дефектов. В ряде случаев это приводит к фокусировке их изображения (изображение дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемая полезная модель поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения...

Электростатический микроактюатор

Загрузка...

Номер патента: 11976

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Мухуров Николай Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Котова Инна Федоровна, Белоус Анатолий Иванович, Ефремов Георгий Игнатьевич

МПК: H01H 59/00

Метки: микроактюатор, электростатический

Текст:

...подложка выполнена плоской и с прямоугольным подвижным элементом, выполненным посредством сквозных пазов, соотношение коротких и длинных сторон которого составляет 1(1020), соединенным серединами коротких сторон с подложкой посредством Г-образных опор, расположенных симметрично относительно короткой оси симметрии подвижного элемента, при этом подложка выполнена с четырьмя симметричными выступами, направленными к длинным сторонам...

Способ осаждения пленки полуизолирующего поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 12058

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Емельянов Виктор Андреевич, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/02, C23C 16/455, B05D 5/12...

Метки: пленки, способ, кремния, поликристаллического, осаждения, полуизолирующего

Текст:

...Данные загрязнения формируются при межоперационном хранении кремниевых пластин с кристаллами ИСМЭ (от очистки поверхности кремния до начала осаждения пленки ППК) и обусловливают катастрофическое увеличение поверхностной проводимости кремния. Причиной их возникновения является наличие оборванных связей атомов кремния на поверхности, что усиливает адсорбцию поверхностных загрязнений. Формирование относительно тонкого слоя химического оксида...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 12057

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Емельянов Виктор Андреевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 29/66, H01L 21/02

Метки: изготовления, шоттки, способ, диода

Текст:

...эпитаксиального слоя примесями из подложки на стадии его нанесения, а также при выполнении последующих высокотемпературных операций формирования активной структуры диода Шоттки. Если толщина защитного эпитаксиального слоя менее 3,0 мкм, то эффективной защиты от загрязнения автолегированием примесями из подложки не будет вследствие их сквозной диффузии через защитный эпитаксиальный слой. Это, в свою очередь, приведет к разбросу...

МОП-транзистор со встроенным каналом

Загрузка...

Номер патента: 11992

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Дудар Наталия Леонидовна, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Шведов Сергей Васильевич, Леонов Николай Иванович

МПК: H01L 29/00

Метки: каналом, встроенным, моп-транзистор

Текст:

...обеспечивается постоянный ток стока в заданном диапазоне подаваемых на структуру транзистора обратных сток-истоковых напряжений. Сущность изобретения заключается в том, что в МОП-транзисторе области стока и истока отнесены на определенное расстояние (например, на 1 мкм) от границ затвора,причем длина встроенного канала превышает длину затвора, в результате чего ток стока 11992 1 2009.06.30 транзистора остается постоянным в заданном диапазоне...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: поликристаллического, травления, пленок, состав, кремния

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора

Загрузка...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Котов Владимир Семенович, Дударь Наталья Леонидовна, Шведов Сергей Васильевич, Леонов Николай Иванович, Лемешевская Алла Михайловна

МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 29/00...

Метки: высокоомного, резистора, поликремниевого, изготовления, способ

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...

Высокоомный поликремниевый резистор

Загрузка...

Номер патента: 11703

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Леонов Николай Иванович, Котов Владимир Семенович, Лемешевская Алла Михайловна, Дударь Наталья Леонидовна, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01C 1/00, H01L 29/00, H01C 7/00...

Метки: поликремниевый, резистор, высокоомный

Текст:

...снижается. Указанныепричины делают трудновыполнимой задачу получения резисторов с большим поверхностным сопротивлением с высокой точностью. В случае, когда ионное легирование тела поликремниевого резистора и его отжиг при сравнительно низкой температуре проводят после формирова 2 11703 1 2009.04.30 ния металлизации, возможно использование достаточно больших легкоконтролируемых доз легирующей примеси. За счет того, что ионное легирование тела...

Состав для проявления позитивного фоторезиста

Загрузка...

Номер патента: 11541

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Бахматова Надежда Андреевна, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна

МПК: G03F 7/32

Метки: проявления, позитивного, фоторезиста, состав

Текст:

...бак установки приготовления растворов расчетный объем воды. 2.3. Взвесить расчетные массы гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля 4000 и высыпать в транспортную емкость. 2.4. Перемешать полученный состав. Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами. Для приготовления заявляемого состава были взяты различные концентрации гидроксида натрия, синтанола АЛМ-10, полиэтиленгликоля...

Способ очистки отборника проб деионизованной воды, выполненного в виде гибкой поливинилхлоридной трубки

Загрузка...

Номер патента: 11521

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: B08B 11/00

Метки: гибкой, проб, отборника, способ, деионизованной, поливинилхлоридной, воды, выполненного, очистки, трубки, виде

Текст:

...протоком со скоростью движения воды не менее 1,5 м/с, изготовленных из поливинилхлоридных (ПВХ) трубок, установленных после фильтра тонкой очистки (ФТО). ПВХ трубки с внутренним диаметром 4-10 мм достаточно гибкие и удобные для проведения качественного отбора проб деионизованной воды в стерильные промежуточные емкости. Однако внутренняя поверхность трубок из ПВХ пористая, что способствует оседанию на них бактерий и их росту 1. По этой...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: очистки, контроля, пластины, химической, полупроводниковой, поверхности, ph больше 7, растворе, кремниевой, способ, качества

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Способ изготовления полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, прибора, полупроводникового, способ

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Способ изготовления системы металлизации кремниевого полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: металлизации, кремниевого, системы, изготовления, прибора, полупроводникового, способ

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, полупроводникового, системы, изготовления, металлизации, способ

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Состав для удаления металло-кремнийорганических полимерных остатков при изготовлении кремниевых интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9536

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Плебанович Владимир Иванович, Медведева Анна Борисовна, Шикуло Владимир Евгеньевич, Кисель Анатолий Михайлович, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: изготовлении, интегральных, удаления, кремниевых, полимерных, микросхем, остатков, состав, металло-кремнийорганических

Текст:

...конце концов, фтор замещает кислород с образованием 51134. Однако из-за низкой растворимости фторида аммония в растворе, концентрация фторид-ионов в органической фазе мала и соответственно низкая скорость реакции. Кроме того, нуклеофильность фтора мала в реакциях нуклеофильного замещения и реакция протекает с маленькой скоростью.Низкая скорость реакции растворения диоксида кремния и соответственно органической составляющей полимера...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Турыгин Анатолий Викторович, Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: состав, алюминия, очистки, пленок, химической, основе, поверхности

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Мелкоразмерный инструмент для обработки высокоточных металлических изделий

Загрузка...

Номер патента: U 3518

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Рогачев Александр Владимирович, Емельянов Виктор Андреевич, Саян Николай Иосифович, Попов Александр Николаевич, Федосенко Николай Николаевич

МПК: B26F 1/00

Метки: изделий, высокоточных, обработки, металлических, мелкоразмерный, инструмент

Текст:

...шероховатость. Это приводит к тому, что при резании в результате отделения отдельных капель протекает разрушение покрытия нитрида титана. По этой причине для получения покрытия с более высокими триботехническими свойствами необходимо осаждение достаточно толстого алмазоподобного слоя, обеспечивающего формирование более гладкой внешней поверхности. 2 35182007.04.30 Техническая задача, решаемая заявляемой полезной моделью, заключается в...