Ефремов Василий Андреевич

Способ изготовления транзистора

Загрузка...

Номер патента: 15265

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Снитовский Юрий Павлович, Ефремов Василий Андреевич, Нелаев Владислав Викторович

МПК: H01L 21/331

Метки: изготовления, способ, транзистора

Текст:

...внедряемой примеси того же типа, которой легирован кремний 3) образованием атомов отдачи молибдена в приповерхностном слое (молибденпримесь -типа проводимости) кремния в эмиттере 4) образованием большого количества радиационных дефектов под действием как основного потока ионов фосфора, так и атомов отдачи молибдена, которые при достаточной дозе легирования образуют аморфизованный слой кремния. Низкотемпературная термообработка (отжиг)...