Ефименко Сергей Афанасьевич

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Ефименко Сергей Афанасьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Шикуло Владимир Евгеньевич, Солодуха Виталий Александрович, Малый Игорь Васильевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: способ, микросхемы, изготовления, интегральной, кремниевой

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Транзисторно-транзисторный инвертор

Загрузка...

Номер патента: 2337

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Малькович Петр Петрович, Шпаковский Василий Глебович, Ефименко Сергей Афанасьевич

МПК: H03K 19/088

Метки: инвертор, транзисторно-транзисторный

Текст:

...Тддд 7 ток коллектора второго транзистора в режиме насыщенияд В -.коэффицнент усиления тока второго транзистора макснальный вьшодной ток эмиттерного повторителя 55 о- время пролета носителей через базу транзистора,В результате время Ердуменьшается.При подаче на вход уровня логической единицы, транзисторы 1, 3 открыты и на вьшоде инвертора, благодарянасыщенному-траненсТ 0 РУ 3, поддержи , вается низкий потенциал т.е. уровенъ логического...