Достанко Анатолий Павлович

Устройство инфракрасного нагрева

Загрузка...

Номер патента: U 10287

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Ланин Владимир Леонидович, Костюкевич Анатолий Александрович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: F24C 3/04

Метки: инфракрасного, нагрева, устройство

Текст:

...в том, что устройство инфракрасного нагрева, содержащее трубчатый излучатель, на одном конце которого электрический нагреватель, а на другом конце установлен вентилятор, рефлектор, расположенный над излучателем, снабжено вторичным тепловым излучателем, замыкающим отражающую поверхность рефлектора и выполненным из материала с высокой температуропроводностью, а также теплоизолирующими элементами тороидальной формы с переменным углом раскрытия,...

Система определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки

Загрузка...

Номер патента: U 9421

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Полыко Валерий Владимирович, Цивако Алексей Александрович, Бордусов Сергей Валентинович, Достанко Анатолий Павлович, Мадвейко Сергей Игоревич, Шикуло Владимир Евгеньевич

МПК: H05H 1/00

Метки: плазмохимической, система, процессов, проведения, обработки, плазмообразующей, среды, оптимального, определения, давления, свч

Текст:

...зависимости для процесса удаления фоторезистивных покрытий с поверхности кремниевых подложек в атмосфере 2. Результаты исследований были положены в основу разработанной системы определения оптимального давления плазмообразующей среды для проведения процессов СВЧ плазмохимической обработки материалов. Аналоги описываемой полезной модели представлены в 3, 4, 5. По своей технической сущности и достигаемому техническому результату к...

Устройство регулирования величины мгновенной мощности работающего на плазменную нагрузку СВЧ магнетрона

Загрузка...

Номер патента: U 6517

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Бордусов Сергей Валентинович, Мадвейко Сергей Игоревич

МПК: H05B 6/66

Метки: регулирования, величины, свч, устройство, плазменную, мгновенной, работающего, нагрузку, магнетрона, мощности

Текст:

...импульсным напряжением с формой импульса, близкой к прямоугольной, что увеличивает эффективность процесса плазменной обработки материалов. Задача предлагаемой разработки состоит в создании простого и эффективного способа регулирования величины мгновенной мощности работающего на плазменную нагрузку СВЧ магнетрона. Сущность предлагаемой полезной модели заключается в создании системы регулирования величины мгновенной мощности в...

Автоматическое программно-управляемое устройство токовой защиты

Загрузка...

Номер патента: U 6233

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Годун Дмитрий Васильевич, Бордусов Сергей Валентинович

МПК: H02H 3/08

Метки: автоматическое, защиты, программно-управляемое, токовой, устройство

Текст:

...элемент, соединенный с выходом мультивибратора. 2 62332010.06.30 Однако при детальном рассмотрении данного изобретения возможно обнаружить некоторую схемотехническую избыточность радиоэлементов, а также невозможность изменять время повторного включения, которое в 3 определяется параметрами ждущего мультивибратора, и порог срабатывания устройства программным образом. Схемотехническое решение, рассмотренное в 2 и 3, также применимо только для...

Устройство токовой защиты

Загрузка...

Номер патента: 10436

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Неделько Вячеслав Алексеевич, Бордусов Сергей Валентинович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H02H 3/00, H02H 3/08

Метки: защиты, токовой, устройство

Текст:

...усилителя, содержащая два резистивных элемента фильтр нижних частот, установленный на выходе операционного усилителя блок триггерной защиты, состоящий из -триггера и ждущего мультивибратора с цепью обратной связи с триггером,входустановки которого соединен с выходом компаратора, на инвертирующий вход которого подано опорное напряжение коммутирующий элемент, соединенный с выходом мультивибратора. Сущность изобретения заключается в том, что...

Способ сопряженной электростимуляции стенок пищеводно-желудочного соустья и устройство для его реализации

Загрузка...

Номер патента: 10560

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Завада Николай Васильевич, Осипов Анатолий Николаевич, Достанко Анатолий Павлович, Адамович Антон Михайлович, Ролевич Игорь Викторович

МПК: A61N 1/32

Метки: реализации, соустья, сопряженной, пищеводно-желудочного, устройство, стенок, способ, электростимуляции

Текст:

...соустья, содержащее генератор стимулирующих импульсов, выход которого соединен с первым входом модулятора, второй вход которого соединен с выходом генератора огибающей стимулирующего сигнала, выход модулятора соединен со входом усилителя мощности, выход которого соединен с электродами, блок отображения информации,содержит генератор видеоизображения, блок отображения информации, генератор син 2 10560 1 2008.04.30 хросигналов, первый...

Реакторный блок установки эпитаксиального наращивания

Загрузка...

Номер патента: 10260

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Авдеев Сергей Мартинович, Достанко Анатолий Павлович, Завадский Сергей Михайлович, Голосов Дмитрий Анатолиевич

МПК: C23C 16/00

Метки: установки, блок, эпитаксиального, наращивания, реакторный

Текст:

...реакторный блок установки эпитаксиального наращивания отличается от известного тем, что внутренняя поверхность кожухов выполнена полированной со средней шероховатостью поверхностине более 1 мкм, отражающее покрытие выполнено из алюминия или его сплавов с содержанием не более 1,5 кремния, а поверх отражающего покрытия нанесен защитный слой из оксида кремния толщиной 1-5 мкм. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных...

Электрический излучательный обогреватель

Загрузка...

Номер патента: 8310

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Бурский Вячеслав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H05B 3/40, F24C 7/04

Метки: электрический, излучательный, обогреватель

Текст:

...С, что соответствует достаточно жестким нормам для строительных конструкций. Этому также способствует контакт элементов крепления с излучательным элементом в местах, затененных от ИК излучения, что исключает непосредственную передачу через них тепла теплоизолирующему элементу. На фигуре показана принципиальная схема предлагаемого устройства. Электрический обогреватель содержит кварцевые галогенные лампы ИК излучения 1,рефлектор 2 и...

Нагревательная плита с адаптированной ёмкостью

Загрузка...

Номер патента: 8309

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Достанко Анатолий Павлович, Бурский Вячеслав Александрович, Тхостов Михаил Хаджи-Муратович

МПК: A47J 36/00, F24C 15/10

Метки: адаптированной, ёмкостью, плита, нагревательная

Текст:

...(Лучистый поток). 90 мощности излучения передается в спектральной области 0,95-1,2 мкм. Часть лучистого потока (приблизительно 1/2) попадает на корпус нагревателя с отражающим покрытием и 80 его отражается от его поверхности. Некоторая часть этого лучистого потока переотражается ограничителями зоны активного нагрева в направлении отражающего покрытия корпуса и вновь направляется на пластину. Т.е.36-40 энергии отраженного лучистого потока...

Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю поверхность крупноформатных цилиндрических объектов ионно-плазменными методами

Загрузка...

Номер патента: U 2737

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: Завадский Сергей Михайлович, Достанко Анатолий Павлович, Голосов Дмитрий Анатольевич, Свадковский Игорь Витальевич

МПК: C23C 14/00

Метки: крупноформатных, многослойных, ионно-плазменными, нанесения, методами, тонкопленочных, внутреннюю, покрытий, объектов, цилиндрических, установка, поверхность

Текст:

...ионную очистку, нанесение слоев методами магнетронного распыления, реактивного магнетронного распыления, непосредственного нанесения из ионного пучка и получать многослойные тонкопленочные структуры на крупноформатные подложки в едином вакуумном цикле, в том числе на внутреннюю поверхность цилиндрических объектов. На фиг. 1 показано схематичное изображение установки для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий на внутреннюю...

Аэроионизатор

Загрузка...

Номер патента: 7300

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Кашицкий Эдуард Степанович, Достанко Анатолий Павлович, Осипов Анатолий Николаевич, Супрунюк Александр Степанович, Бондарик Василий Михайлович, Кракасевич Сергей Викторович, Клим Сергей Дмитриевич

МПК: A61N 1/44, A61L 9/22

Метки: аэроионизатор

Текст:

...в том, что в блок памяти вводится информация о времени включения/выключения устройства, которое сравнивается с данными счетчика реального времени, что позволяет определить реальное время включения/выключения ионизатора. На фигуре приведена структурная схема устройства. Устройство содержит блок питания 1, выход которого соединен с первым входом блока индикации 2 и первым входом первого коммутатора 3, выход которого соединен с входом...

Устройство для плазменной обработки материалов

Загрузка...

Номер патента: 7025

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Ануфриев Леонид Петрович, Бордусов Сергей Валентинович, Варатницкий Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/302

Метки: обработки, устройство, материалов, плазменной

Текст:

...устройство содержит диэлектрическую разрядную камеру, выполненную в виде вертикально расположенного и герметично закрытого с обоих торцов полого кварцевого цилиндра с размещенными внутри верхним и нижним плоскопараллельными электродами, а магнитная система выполнена в виде двух соленоидов, расположенных друг над другом вокруг кварцевого цилиндра, обмотки которых расположены между ограничительными стальными дисками-магнитопроводами,...

Сумматор-накопитель

Загрузка...

Номер патента: 7066

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Бондарик Василий Михайлович, Осипов Анатолий Николаевич, Герасименя Николай Иванович

МПК: G06F 7/50, G06F 7/49

Метки: сумматор-накопитель

Текст:

...время преобразования не зависит от длины обрабатываемых чисел, что позволяет увеличить частоту поступления отсчетов сигнального вектора в устройство.На фиг. 1 приведена структурная схема сумматора-накопителя, на фиг. 2 - временные диаграммы работы сумматора-накопителя.Сумматор-накопитель содержит (фиг. 1) первый арифметический блок 1, первый вход которого соединен со входом устройства, а первый выход - с первым входом первого регистра 2,...

Устройство для измерения напряженности электрического поля

Загрузка...

Номер патента: U 1336

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Капралов Михаил Егорович, Грозберг Юрий Геннадьевич, Кундас Семен Петрович, Адамович Александр Леонидович, Бордусов Сергей Валентинович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: G01R 29/08

Метки: поля, напряженности, измерения, электрического, устройство

Текст:

...поля. Задача полезной модели - обеспечение возможности измерения напряженности мощных СВЧ электрических полей и нахождения их пространственного распределения. Поставленная задача решается тем, что устройство для измерения напряженности электрического поля, включающее датчик, представляющий собой заполненный инертным газом герметичный сосуд из материала, прозрачного для СВЧ полей, помещенный в герметичный кожух из аналогичного материала,...

Пассивирующее покрытие для подложек из арсенида галлия

Загрузка...

Номер патента: 5561

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Юрченок Лариса Григорьевна, Малькевич Владимир Эдуардович, Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/316

Метки: галлия, покрытие, подложек, арсенида, пассивирующее

Текст:

...взаимной диффузии между элементами, входящими в состав слоев. Пассивирующее покрытие функционирует следующим образом. Нижний слой 1 из оксидированного арсенида галлия обеспечивает высокую стабильность и низкий уровень, а верхний слой 3 из оксидированного арсенида галлия - требуемое значение электрической прочности. Толщина верхнего слоя составляет 0,1-0,8 мкм, а нижнего - обычно 0,005-0,006 мкм. Для верхнего слоя она определяется...

Маска для ионного легирования арсенида галлия

Загрузка...

Номер патента: 5321

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 21/266

Метки: маска, легирования, арсенида, ионного, галлия

Текст:

...сквозь него и внедряются в подложку из арсенида галлия 1. В процессе ионной имплантации к слою 2 подсоединяется заземление, что обеспечивает эффективное снятие положительного заряда и, соответственно, получение резких границ легированных областей. Кроме того, наличие защитного слоя 2 позволяет осуществлять внедрение ионов при температурах до 400-500 С, что будет способствовать формированию профиля залегания примеси, близкому к Гауссову, без...

Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления

Загрузка...

Номер патента: U 918

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович, Свадковский Игорь Витальевич, Достанко Анатолий Павлович

МПК: C23C 14/34

Метки: многослойных, нанесения, распыления, тонкопленочных, методом, магнетронного, покрытий, установка

Текст:

...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...

Акустическое устройство измерения расстояния до объекта

Загрузка...

Номер патента: 4774

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Боженков Владимир Владимирович, Осипов Анатолий Николаевич, Достанко Анатолий Павлович, Шахлевич Григорий Михайлович

МПК: G01S 15/08

Метки: объекта, акустическое, устройство, расстояния, измерения

Текст:

...Объект зондируетсясигналами, характеризующимися различными периодами следования сигнала, и определение расстояния до объекта производится порезультатам измерений в соответствии с китайской теоремой об остатках. Это позволяет измерять расстояние до объекта зондирующими сигналами с малой скважностью. На фиг. 1 приведена структурная схема устройства. На фиг. 2 и фиг. 3 приведены структурные схемы соответственно формирователя излучаемого...

Способ нанесения покрытий на основе серебра

Загрузка...

Номер патента: 4205

Опубликовано: 30.12.2001

Авторы: Корженевский Александр Павлович, Кушнер Лариса Константиновна, Достанко Анатолий Павлович, Хмыль Александр Александрович, Губаревич Татьяна Михайловна

МПК: C25D 3/46, C25D 15/00

Метки: покрытий, серебра, основе, нанесения, способ

Текст:

...УДА служит местом концентрирования примесных атомов, что повышает чистоту собственно серебра и, следовательно, электропроводность получаемого КЭП. Введение в нецианистые электролиты серебрения ультрадисперсного алмаза в заявляемом соотношении с осаждаемым металлом приводит к получению высокотвердых осадков. В зависимости от режима электролиза, состава и типа нецианидного электролита микротвердость КЭП возрастает на 200-700 МПа по...

Полупроводниковый прибор

Загрузка...

Номер патента: 3537

Опубликовано: 30.09.2000

Авторы: Старовойтов Иван Васильевич, Баранов В. В., Дереченник Станислав Станиславович, Корчаго Наталия Васильевна, Урбан Михаил Владимирович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 23/48

Метки: прибор, полупроводниковый

Текст:

...а такжепоявления значительных обратных токов иснижения пробивного напряжения обратноемещенного диода в случаях касания проволочным проводом защитно-пассивирующего покрытия на планерной стороне. кристалла. Вероятность-такого касания существует по следующим причинамугловое смещение (перекос) вывода 10 при сборке из-за размягчения стекла баллона 13 в процессе образования метаплостеклянного спая. вероятного расположения кристалла со...

Способ нанесения никелевых покрытий

Загрузка...

Номер патента: 3088

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Хмыль Александр Александрович, Резникова Людмила Геннадьевна, Анисимович Василий Григорьевич

МПК: C25D 5/12, C25D 5/40

Метки: покрытий, нанесения, никелевых, способ

Текст:

...вокруг нее устойчивую парогазовую оболочку, которая отделяет анод от отрицательно заряженного электролита. Между анодом и электролитом создается сильное электрическое поле, которое вызывает ионизацию молекул и пробой парогазовой оболочки. Электрический ток воздействует на поверхность металла, подвергая ее эрозионной полировке. Под действием высокой температуры и интенсивно протекающих химических и электрохимических реакций происходит...

Способ контроля пористости покрытий на подложках из полупроводников АшВv

Загрузка...

Номер патента: 3078

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Достанко Анатолий Павлович, Ширипов Владимир Яковлевич

МПК: H01L 21/66, G01N 15/08

Метки: ашвv, контроля, пористости, полупроводников, подложках, способ, покрытий

Текст:

...испарения полупроводника, из которого изготовлена подложка. Это необходимо для того, чтобы создать давление,достаточное для вспучивания пленки. Нагрев при температуре меньшей, чем температура свободного конгруэнтного испарения, не обеспечивает значительной скорости испарения компонентов полупроводника и уменьшает экспрессность способа. Превышение температуры плавления над температурой испарения более чем в 1,1 раза нецелесообразно, т.к....

Способ ультразвуковой сварки

Загрузка...

Номер патента: 2339

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Ларин Владимир Леонидович, Емельянов Виктор Андреевич, Хмыль Александр Александрович, Достанко Анатолий Павлович, Седаев Владимир Павлович

МПК: B23K 20/10

Метки: способ, ультразвуковой, сварки

Текст:

...этом опреде- 35ЛЯТЬСЯ ИЗ ВЫРЗЖЕННЯ Пгде В коэффидиент диффузии металла ос 403 градиент КОНЦЕНТРЗЦНН металла П подвижность атомов металла под действием электрического тока 1 величина тока г УДЕЛЬНОЗ ЭЛЕКТРИческое сопротивление металла С 45КОНЦЕНТРЗЦНН ИОНОВ металла В ЗОНЕ СОЕДИНЕНИЯ.//диффуэионноподвнжного металла в сое динении приводит к увеличению прочное-50 ти микросварных соединений, посколь Редактор П.Зубкова Заказ 389/ДСПку...

Способ формирования пленочных микромостиков из высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 2309

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Матюнина Ольга Владимировна, Погребняков Алексей Владимирович

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: пленочных, способ, сверхпроводников, микромостиков, формирования, высокотемпературных

Текст:

...о наличии большого числа межзеренных переходов в микромостике. 2 2309 1 Одним из основных недостатков описанного способа является низкая воспроизводимость характеристик пленочных микромостиков, так как слабая связь создается на границе раздела двух зерен, образование которых представляет собой случайный процесс, поэтому и значения параметров пленочных микромостиков тоже являются случайными величинами. Задачей предлагаемого способа является...