Чубенко Евгений Борисович

Миниатюрный топливный элемент, батарея на основе миниатюрных топливных элементов и способы их изготовления

Загрузка...

Номер патента: 17356

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Холостов Константин Игоревич, Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович

МПК: H01M 8/00

Метки: элемент, топливных, основе, изготовления, батарея, способы, топливный, элементов, миниатюрный, миниатюрных

Текст:

...выполнены в виде пленок пористого кремния толщиной 30-100 мкм, содержащих газ-диффузионный слой, а слой катализатора выполнен толщиной 1-5 мкм. 2. Способ изготовления миниатюрного топливного элемента по п. 1, в котором используют две пластины монокристаллического кремния, на планарную сторону каждой из которых наносят маскирующий слой нитрида кремния, на котором фотолитографией и травлением формируют рисунок слоя пористого кремния,...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: C30B 29/10, C25D 9/08, H01L 21/02...

Метки: монокристаллического, способ, aііbvі, или, формирования, бинарных, пленок, соединений, групп, aіvbvі, полупроводниковых, кремния, подложках

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Способ формирования слоев кристаллического оксида цинка

Загрузка...

Номер патента: 16930

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: C30B 29/16, C23C 18/16

Метки: способ, цинка, оксида, слоев, формирования, кристаллического

Текст:

...стекло, сапфир, ситалл, керамика и другие, напыляют слой алюминия толщиной 0,1-2 мкм. Максимальная толщина слоя алюминия ограничена адгезией к материалу подложки и предельными механическими напряжениями. Минимальная толщина слоя алюминия выбирается исходя из необходимости либо полного преобразования металлического слоя в слой оксида цинка, либо частичного преобразования. Во втором случае непреобразованная часть слоя алюминия может служить в...