C30B 7/00 — Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 6573

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Кашевич Ирина Федоровна, Шут Виктор Николаевич, Мозжаров Сергей Евгеньевич

МПК: C30B 35/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, устройство, кристаллов

Текст:

...механизм погружения кристаллодержателя с прикрепленным к нему кристаллом в раствор и перемещения кристаллодержателя по кругу в горизонтальной плоскости, а сосуд с кристаллизующейся жидкостью выполнен в виде емкости, разделенной перегородками на четыре отдельных секции, попарно заполненные различной по составу кристаллизующейся жидкостью. Программное управление обеспечивает движение кристаллодержателя по определенному алгоритму. Сущность...

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 5048

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Шут Виктор Николаевич, Мозжаров Сергей Евгеньевич

МПК: C30B 7/00, C30B 35/00

Метки: кристаллов, устройство, выращивания

Текст:

...направлена полезная модель, является создание устройства для выращивания кристаллов, обеспечивающего возможность выращивания из раствора кристаллов с закономерно неоднородным составом. Причем закон распределения примеси может быть определен заранее и изменен (при необходимости) во время роста кристалла, что предопределяет расширение технических возможностей устройства. Поставленная техническая задача решается тем, что при использовании...

Способ выращивания монокристаллической пленки Y3Al5O12:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Колесова Ирина Михайловна, Каланда Николай Александрович, Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич

МПК: C30B 7/00, C30B 9/00, C30B 15/00...

Метки: пленки, способ, выращивания, монокристаллической, y3al5o12:nd3+

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...