C30B 29/46 — серо-, селен- или теллурсодержащие соединения

Способ получения соединения CuAl5S8

Загрузка...

Номер патента: 18174

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Мянзелен Руслан Равильевич, Шелег Александр Устинович, Соболь Валерий Романович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46

Метки: cual5s8, соединения, получения, способ

Текст:

...состоящую из химических элементов меди, алюминия и серы, для предотвращения взаимодействия алюминия с материалом ампулы загружали в тигель из нитрида бора и помещали его в кварцевой ампуле. После загрузки ампулу вакуумировали, запаивали и размещали в вертикальную печь сопротивления, изготовленную таким образом,что на ее протяжении существует температурный градиент более 20 и не более 30 /см. После этого с целью получения однородного...

Способ получения тонких пленок SnS

Загрузка...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: C30B 29/46, C23C 14/24, H01L 31/18...

Метки: получения, пленок, тонких, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Способ получения полупроводниковых твердых растворов

Загрузка...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Пушкарев Анатолий Васильевич, Олехнович Николай Михайлович, Корзун Борис Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18

Метки: твердых, способ, растворов, получения, полупроводниковых

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Полупроводниковый материал

Загрузка...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Шелег Александр Устинович, Желудкевич Александр Ларионович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46

Метки: материал, полупроводниковый

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения

Загрузка...

Номер патента: 15410

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ХААСС, Франк

МПК: C30B 29/46, H01L 35/16

Метки: легированные, применения, свинца, термоэлектрического, теллуриды

Текст:

...дробление материала, полученного на этапе (1)(3) прессование материала, полученного на этапе (2), до формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3). Другим предметом данного изобретения является применение описанного выше полупроводникового материала и полупроводникового материала, полученного с помощью описанного выше способа, в качестве термоэлектрического генератора или устройства Пельтье. Еще одним...

Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS

Загрузка...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович, Иванов Василий Алексеевич, Унучек Денис Николаевич

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 28/00...

Метки: элементов, солнечных, способ, тонкопленочной, получения, основе, структуры

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Способ получения полупроводникового соединения со структурой халькопирита CuAlTe2

Загрузка...

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Соболь Валерий Романович, Шелег Александр Устинович, Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич

МПК: C01B 19/00, C30B 29/46

Метки: халькопирита, способ, полупроводникового, соединения, структурой, получения, cualte2

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...