C30B 15/00 — Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского

Способ выращивания монокристаллической пленки Y3Al5O12:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Лугинец Александр Михайлович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Каланда Николай Александрович

МПК: C30B 15/00, C30B 9/00, C30B 7/00...

Метки: выращивания, способ, монокристаллической, пленки, y3al5o12:nd3+

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...

Способ выращивания монокристалла KGd(WO4)2:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11195

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Кравцов Андрей Валерьевич, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Каланда Николай Александрович

МПК: C30B 15/00

Метки: способ, выращивания, монокристалла, kgd(wo4)2:nd3+

Текст:

...затравка приводится во вращение и перемещается вверх с постоянной скоростью. Способ, описанный в работе 2, по своей сущности наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. К недостаткам указанного способа следует отнести наличие привнесенных механических дефектов в растущем кристалле из-за механического повреждения затравочного кристалла в процессе его изготовления, а также образование кругового...

Способ очистки металлического скандия

Загрузка...

Номер патента: 2878

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: КУДРЯВЦЕВ Валерий Васильевич, Хитько Валентин Иванович, Алипчиков Сергей Михайлович, ШУРИН Валерий Николаевич, МАКСИМОВ Александр Вячеславович

МПК: C22B 59/00, C30B 15/00

Метки: скандия, металлического, способ, очистки

Текст:

...содержание кислорода в скандии до требуемого уровня при давлении аргона 1 кгс/см 2 имеют место значительные потери скандия за счет его сублимации на холодных поверхностях ростовой камеры. Задачей настоящего изобретения является повышение эффективности очистки скандия. Глубокую очистку скандия осуществляют, используя способ получения монокристаллических материалов по Чохральскому. Для реализации способа тигель изготавливают из...