C30B 15/00 — Выращивание монокристаллов вытягиванием из расплава, например по методу Чохральского

Способ выращивания монокристаллической пленки Y3Al5O12:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11436

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Каланда Николай Александрович, Лугинец Александр Михайлович, Колесова Ирина Михайловна, Кравцов Андрей Валерьевич, Гурецкий Сергей Арсеньевич

МПК: C30B 7/00, C30B 9/00, C30B 15/00...

Метки: монокристаллической, способ, y3al5o12:nd3+, пленки, выращивания

Текст:

...поэтапное наплавление раствора-расплава с его последующим гомогенизированием при 1250-1300 С. Монокристаллическую затравку из 3 А 5 О 12 опускают в тигель до ее касания поверхности нагретого раствора-расплава при 945-1020 С, содержащего оксиды РО, ВаО, 2 О 3 и А 2 О 3 на основе растворителя Р/В 2 О 3 в соотношении 11/1 моль/моль и кристаллообразующих А 2 О 3/2 О 3 в соотношении, находящемся в диапазоне 1-1,6 моль/моль. Подложку реверсивно...

Способ выращивания монокристалла KGd(WO4)2:Nd3+

Загрузка...

Номер патента: 11195

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Каланда Николай Александрович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич

МПК: C30B 15/00

Метки: kgd(wo4)2:nd3+, выращивания, способ, монокристалла

Текст:

...затравка приводится во вращение и перемещается вверх с постоянной скоростью. Способ, описанный в работе 2, по своей сущности наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. К недостаткам указанного способа следует отнести наличие привнесенных механических дефектов в растущем кристалле из-за механического повреждения затравочного кристалла в процессе его изготовления, а также образование кругового...

Способ очистки металлического скандия

Загрузка...

Номер патента: 2878

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Хитько Валентин Иванович, КУДРЯВЦЕВ Валерий Васильевич, Алипчиков Сергей Михайлович, МАКСИМОВ Александр Вячеславович, ШУРИН Валерий Николаевич

МПК: C30B 15/00, C22B 59/00

Метки: скандия, способ, металлического, очистки

Текст:

...содержание кислорода в скандии до требуемого уровня при давлении аргона 1 кгс/см 2 имеют место значительные потери скандия за счет его сублимации на холодных поверхностях ростовой камеры. Задачей настоящего изобретения является повышение эффективности очистки скандия. Глубокую очистку скандия осуществляют, используя способ получения монокристаллических материалов по Чохральскому. Для реализации способа тигель изготавливают из...