C30B — Выращивание монокристаллов

Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия тетрагональной модификации повышенной оптической прочности

Загрузка...

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C01B 25/08, C30B 29/10, C30B 23/00...

Метки: получения, тетрагональной, повышенной, дифосфида, оптической, монокристаллов, прочности, кадмия, модификации, способ

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Способ получения соединения CuAl5S8

Загрузка...

Номер патента: 18174

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Соболь Валерий Романович, Мянзелен Руслан Равильевич, Шелег Александр Устинович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46

Метки: получения, cual5s8, способ, соединения

Текст:

...состоящую из химических элементов меди, алюминия и серы, для предотвращения взаимодействия алюминия с материалом ампулы загружали в тигель из нитрида бора и помещали его в кварцевой ампуле. После загрузки ампулу вакуумировали, запаивали и размещали в вертикальную печь сопротивления, изготовленную таким образом,что на ее протяжении существует температурный градиент более 20 и не более 30 /см. После этого с целью получения однородного...

Способ получения монокристаллического антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Изотов Александр Дмитриевич, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Малышев Максим Леонидович

МПК: C30B 21/02, C01G 45/00, C30B 29/10...

Метки: антимонида, монокристаллического, способ, марганца, получения

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Материал на основе кубического нитрида бора

Загрузка...

Номер патента: 17946

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Якунин Александр Сергеевич, Мосунов Евгений Игоревич, Шишонок Елена Михайловна, Абдуллаев Олег Рауфович

МПК: C09K 11/77, C01B 21/064, C09K 11/63...

Метки: нитрида, основе, кубического, бора, материал

Текст:

.... Фотолюминесцентный (ФЛ) анализ микропорошковпоказал наличие зеленой ФЛ ионов 3, инкорпорированных в кристаллическую решетку , интенсивность которой увеличивалась с увеличением концентрацииот 0,05 до 0,1 ат. . Травление микропорошков в кипящей кислоте в течение 1 ч с последующей промывкой в дистиллированной воде не показало изменения структуры спектров ФЛ и изменения ее интенсивности при возбуждении лазерным излучением с 325 нм....

Керамический электродный материал

Загрузка...

Номер патента: 18048

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Чобот Александра Николаевна, Шаповалова Елена Федоровна, Терешко Нина Викторовна, Мантыцкая Ольга Станиславовна, Федотова Вера Васильевна

МПК: H01M 4/86, C30B 29/22

Метки: керамический, материал, электродный

Текст:

...ионы церия в соотношении, соответствующем химической формуле 0,25-0,753, где 00,12. Данное замещение вызывает локальные кристаллоструктурные искажения, происходит фазовое расслоение, препятствующее коагуляции частиц при подъеме температуры в процессе синтеза, что приводит к уменьшению размера зерна в среднем в 80-100 раз. На фиг. 1 представлена микроструктура состава 0,250,753, отожженного при 1200 С в течение 20 ч. Размер зерна составлял...

Способ получения тонких пленок SnS

Загрузка...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: C30B 29/46, C23C 14/24, H01L 31/18...

Метки: пленок, получения, тонких, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Способ получения микрокристаллического нелегированного или легированного иттрий-алюминиевого граната

Загрузка...

Номер патента: 17872

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Судник Лариса Владимировна, Белый Дмитрий Иванович, Бойко Андрей Андреевич, Подденежный Евгений Николаевич, Дробышевская Наталья Евгеньевна

МПК: C30B 29/28

Метки: нелегированного, легированного, микрокристаллического, граната, или, способ, иттрий-алюминиевого, получения

Текст:

...задача достигается способом получения микрокристаллического порошка нелегированного или легированного иттрий-алюминиевого граната, при котором проводят механохимическую обработку методом мокрого помола с дистиллированной водой смеси исходных реагентов, содержащей оксихлорид иттрия 1, промышленный бемит - алюминия оксигидроокись составав стехиометрическом соотношении и при необходимости оксихлорид церия или оксихлорид неодима,...

Способ получения полупроводниковых твердых растворов

Загрузка...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович, Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46

Метки: растворов, получения, твердых, способ, полупроводниковых

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Способ получения поликристаллического кобальтита неодима-бария NdBaCo2O5,72

Загрузка...

Номер патента: 17414

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Лобановский Леонид Сергеевич

МПК: C04B 35/626, C04B 35/50, C04B 35/32...

Метки: кобальтита, способ, поликристаллического, получения, неодима-бария, ndbaco2o5,72

Текст:

...до 95010 С, выдерживают 12020 мин, охлаждают со скоростью 10010 С/мин до комнатной температуры. Сущность изобретения состоит в том, что получение поликристаллического кобальтита неодима-бария в соответствии с предлагаемым способом осуществляют в течение одного этапа нагревания-охлаждения. Для получения кобальтита неодима-бария используют исходные компоненты - оксиды кобальта и неодима и карбонат бария. Путем растворения исходных...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: H01L 21/02, C25D 9/08, C30B 29/10...

Метки: соединений, монокристаллического, aіvbvі, подложках, кремния, формирования, групп, или, бинарных, способ, полупроводниковых, aііbvі, пленок

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 9126

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шут Виктор Николаевич, Кашевич Ирина Федоровна, Мозжаров Сергей Евгеньевич

МПК: C30B 7/04

Метки: выращивания, устройство, кристаллов

Текст:

...по составу кристаллизующимися жидкостями. При этом один отвод крана соединен со входом насоса, а два других - с трубками, помещенными в кристаллизующиеся жидкости. Программное управление обеспечивает работу насоса и механизма поворота крана и воронки по определенному алгоритму. Сопоставительный анализ предлагаемого устройства с прототипом показывает, что оно отличается от прототипа введением воронки, трехходового крана, механизма поворота...

Способ формирования слоев кристаллического оксида цинка

Загрузка...

Номер патента: 16930

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: C23C 18/16, C30B 29/16

Метки: кристаллического, цинка, способ, слоев, оксида, формирования

Текст:

...стекло, сапфир, ситалл, керамика и другие, напыляют слой алюминия толщиной 0,1-2 мкм. Максимальная толщина слоя алюминия ограничена адгезией к материалу подложки и предельными механическими напряжениями. Минимальная толщина слоя алюминия выбирается исходя из необходимости либо полного преобразования металлического слоя в слой оксида цинка, либо частичного преобразования. Во втором случае непреобразованная часть слоя алюминия может служить в...

Способ выращивания монокристаллов титанил-фосфата калия

Загрузка...

Номер патента: 16848

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колесова Ирина Михайловна, Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич, Конойко Алексей Иванович, Гурецкий Сергей Арсеньевич

МПК: C30B 29/14, C30B 15/36, C30B 9/12...

Метки: титанил-фосфата, выращивания, способ, калия, монокристаллов

Текст:

...монокристаллов титанил-фосфата калия больших размеров и высокого оптического качества. Поставленная задача решается способом выращивания монокристалла титанилфосфата калия, в котором на монокристаллической затравке, основание которой ориентировано в плоскости (100), формируют боковые грани в плоскостях (1 1 0), (110), (20 1 ) и(201), затравку медленно опускают в состоящий из кристаллообразующих окислов и растворителя 6413 раствор-расплав,...

Способ получения гибридного фотосенсибилизатора

Загрузка...

Номер патента: 16825

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Галиевский Виктор Антонович, Сташевский Александр Сергеевич

МПК: A61K 31/409, A61K 47/02, C09K 11/06...

Метки: фотосенсибилизатора, способ, получения, гибридного

Текст:

...На фигуре представлены ИК Фурье-спектры порошка пористого кремния (кривая 1),порошка пористого кремния после выдерживания в растворе порфирина 5,10,15,20 тетрафенилпорфирина (кривая 2) и после последующего облучения образца с порфирином в течение 45 минут светом ксеноновой лампы (кривая 3). Способ реализуется следующим образом. Поликристаллический порошок кремния со средним размером зерен около 5 мкм помещают в раствор для химического...

Материал для магнитных рефрижераторов на основе монокристаллов арсенида марганца

Загрузка...

Номер патента: 16493

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Говор Геннадий Антонович, Рыжковский Владимир Михайлович, Митюк Виктор Иосифович

МПК: C30B 29/10, C01G 45/00, H01F 1/01...

Метки: материал, магнитных, рефрижераторов, арсенида, монокристаллов, марганца, основе

Текст:

...фазового состава были измерены дифрактограммы визлучении на порошковых образцах. Анализ дифрактограмм показал, что образцы являются однофазными. Предварительная ориентация кристаллов, заключающаяся в определении осей легкого и трудного намагничивания, производилась в магнитном поле. После предварительного ориентирования монокристаллов в магнитном поле плоскости легкого и трудного намагничивания выводились рентгеновским методом с точностью в...

Магнитный материал

Загрузка...

Номер патента: 16320

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Рыжковский Владимир Михайлович, Митюк Виктор Иосифович, Ткаченко Тамара Михайловна

МПК: C01G 45/00, H01F 1/01, C30B 29/10...

Метки: магнитный, материал

Текст:

...структуру типа 8 с более высокой температурой магнитного фазового перехода по сравнению с материалом-прототипом. Пример. Получение магнитного материала 1,10,10,9. Замещение сурьмы кремнием в исходном материале проводили из расчета формулы 1,10,10,9. Брали исходную смесь порошков ,ив пропорции 1,10,10,9 грамм-моль. Все исходные реактивы (, , ) имели чистоту 99,99 . Синтез материала был проведен по известной схеме получения соединений со...

Магнитный материал на основе антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 16317

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Митюк Виктор Иосифович, Ткаченко Тамара Михайловна, Рыжковский Владимир Михайлович

МПК: H01F 1/01, C01G 45/00, C30B 29/10...

Метки: материал, марганца, основе, антимонида, магнитный

Текст:

...24 часов) гомогенной смеси исходных компонентов, взятых в заданных весовых соотношениях, в откачанных до 10-3 мм. рт. ст. кварцевых ампулах до температуры сплавления 900-950 С. 2. Сплавление при 900-950 С в течение 4 часов. 3. Охлаждение в течение нескольких часов от 950 С до 840-860 С (температура образования в системе фазы типа 8). 4. Отжиг при 840-860 С в течение 24 часов. Закалка от отж в воду со льдом. Все исходные реактивы (, , )...

Способ получения поликристаллического сверхтвердого материала на основе наноалмазов

Загрузка...

Номер патента: 16118

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Жорник Виктор Иванович, Витязь Петр Александрович, Сенють Владимир Тадеушевич, Маркова Людмила Владимировна

МПК: B01J 3/06, C30B 29/04

Метки: материала, получения, поликристаллического, основе, способ, наноалмазов, сверхтвердого

Текст:

...соединений, химически и физически адсорбированной воды, которые препятствуют уплотнению порошка при прессованиии и термобарическом спекании. При давлении вакуумного отжига выше 1,3310-9 ГПа и длительности отжига менее 0,5 ч не происходит достаточно полной десорбции кислородсодержащих соединений с поверхности порошка. Кроме того, при указанном давлении отжига также происходит окисление наноалмазов из-за присутствия остаточного...

Способ термической обработки шихты для выращивания кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович, Якимович Владимир Никифорович, Постнова Лариса Ивановна

МПК: C30B 23/00, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, способ, шихты, обработки, селенида, цинка, термической

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Полупроводниковый материал

Загрузка...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Желудкевич Александр Ларионович, Корзун Борис Васильевич, Шелег Александр Устинович

МПК: C30B 29/46

Метки: полупроводниковый, материал

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии

Загрузка...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Левченко Владимир Иванович, Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна

МПК: C30B 23/06, G02B 1/10, C30B 29/48...

Метки: эпитаксиальных, кремнии, селенида, пористом, способ, выращивания, цинка, пленок

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Способ получения сверхтвердого материала

Загрузка...

Номер патента: 15704

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Ракицкая Людмила Иосифовна, Аниченко Николай Георгиевич, Игнатенко Олег Владимирович

МПК: C01B 21/064, B01J 3/06, C01B 31/06...

Метки: способ, получения, сверхтвердого, материала

Текст:

...мелкозернистой микроструктурой, обладающий повышенными физико-механическими свойствами. Этому же способствует присутствие дисперсноупрочняющей фазы частиц алмаза в композитах на основе кубического нитрида бора при преимущественном содержании в исходной шихте гексагонального нитрида бора или частиц кубического нитрида бора в композитах на основе алмаза при преимущественном содержании в исходной шихте графита. Предлагаемый способ позволяет...

Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения

Загрузка...

Номер патента: 15410

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ХААСС, Франк

МПК: C30B 29/46, H01L 35/16

Метки: легированные, термоэлектрического, применения, свинца, теллуриды

Текст:

...дробление материала, полученного на этапе (1)(3) прессование материала, полученного на этапе (2), до формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3). Другим предметом данного изобретения является применение описанного выше полупроводникового материала и полупроводникового материала, полученного с помощью описанного выше способа, в качестве термоэлектрического генератора или устройства Пельтье. Еще одним...

Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS

Загрузка...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Унучек Денис Николаевич, Иванов Василий Алексеевич, Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 28/00...

Метки: элементов, тонкопленочной, солнечных, структуры, получения, способ, основе

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Способ получения магнитного полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 15345

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01G 28/00, C30B 29/10, H01F 1/40...

Метки: получения, материала, магнитного, полупроводникового, способ

Текст:

...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...

Способ получения магнитного полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 15330

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович

МПК: H01F 1/40, C01B 25/08, C30B 29/10...

Метки: способ, материала, полупроводникового, магнитного, получения

Текст:

...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...

Пьезоэлектрический материал на основе оксида висмута

Загрузка...

Номер патента: 15329

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: C30B 29/22, C01G 29/00, C04B 35/26...

Метки: висмута, пьезоэлектрический, материал, основе, оксида

Текст:

...параметр 33 измерялся методом пьезосиловой микроскопии). На фиг. 2 представлены результаты измерения при комнатной температуре линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,860,140,103,отожженного при 250 С в течение 30 мин. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе феррита висмута при частичном замещении трехвалентных ионов висмута двухвалентными ионами кальция возникают...

Пьезоэлектрический материал на основе феррита висмута

Загрузка...

Номер патента: 15237

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Чобот Александра Николаевна, Мантыцкая Ольга Станиславовна, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: C04B 35/26, C01G 29/00, C30B 29/22...

Метки: основе, материал, феррита, висмута, пьезоэлектрический

Текст:

...линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0.82180,910,093 при комнатной температуре. Величина 33 превышает 40 / при напряжении до 10 В. На фиг. 4 представлены результаты измерения линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,81190.9050,0953 при комнатной температуре. Величина 33 составляет около 30 / при напряжении до 10 В. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе...

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01G 28/00, C30B 29/10, C30B 23/06...

Метки: основе, получения, материалов, полупроводниковых, способ, гетероструктуры

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Способ выращивания монокристаллических пленок Y3Al5O12:Yb3+

Загрузка...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Мащенко Александр Георгиевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Лугинец Александр Михайлович, Колесова Ирина Михайловна, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кулешов Николай Васильевич

МПК: C30B 29/28, C30B 19/02

Метки: выращивания, пленок, монокристаллических, способ, y3al5o12:yb3+

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Способ получения поликристаллов кубического нитрида бора

Загрузка...

Номер патента: 14982

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Игнатенко Олег Владимирович, Ракицкая Людмила Иосифовна

МПК: C01B 21/064, B01J 3/06, C30B 29/38...

Метки: получения, поликристаллов, способ, кубического, бора, нитрида

Текст:

...будет поляризоваться, возникающая при этом разность потенциалов может достигать нескольких киловольт. При не очень больших температурах на начальных стадиях превращения ПНБ-Р,Г в плотные модификации, процесс идет при наличии электрического поля в образце, что, по-видимому, позволяет увеличить поляризацию получаемых поликристаллов. Нагрев исходной заготовки осуществляется в две стадии. Сначала до 2400 К со скоростью, не превышающей 600 К/с,...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур

Загрузка...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Мышук Виктор Иванович, Довнар Николай Александрович, Становский Владимир Владимирович, Кривчик Петр Петрович

МПК: C30B 25/20, H01L 21/36

Метки: эпитаксиальных, структур, способ, изготовления, кремниевых

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Способ получения наноразмерных пленок BaxSr1-XTiO3

Загрузка...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович, Стогний Александр Иванович

МПК: C30B 29/32, C30B 23/06, H01L 27/00...

Метки: пленок, получения, наноразмерных, способ, baxsr1-xtio3

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Способ получения полупроводникового соединения со структурой халькопирита CuAlTe2

Загрузка...

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Шелег Александр Устинович, Фадеева Елена Александровна, Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00

Метки: способ, соединения, структурой, полупроводникового, получения, cualte2, халькопирита

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Способ получения наноструктурированного порошка иттрий-алюминиевого граната, легированного церием

Загрузка...

Номер патента: 14779

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Малашкевич Георгий Ефимович, Хотченкова Татьяна Георгиевна, Добродей Александр Олегович, Подденежный Евгений Николаевич, Гришкова Елена Ивановна

МПК: C30B 29/28, C01F 7/02, C01F 17/00...

Метки: наноструктурированного, иттрий-алюминиевого, получения, легированного, порошка, церием, способ, граната

Текст:

...С и выше(900 С - 6 ч, 1000 С - 2 ч или более). Размол полученного порошка в аттриторе в течение 2-х часов приводит к получению продукта с размером частиц 0,55 мкм. Недостатками процесса является необходимость длительного размола получаемого спека в аттриторе и невозможность получения порошка иттрий-алюминиевого граната нанометрового размера. Наиболее близким к заявляемому является способ получения порошка иттрий-алюминиевого граната с...

Способ получения тонких пленок сульфоселенида олова

Загрузка...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна, Залесский Валерий Борисович

МПК: C30B 29/10, H01L 31/18

Метки: пленок, получения, тонких, способ, олова, сульфоселенида

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Способ выращивания монокристаллов манганита лантана LaMnO3+?

Загрузка...

Номер патента: 14280

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич, Барило Сергей Николаевич

МПК: C30B 9/00, C30B 17/00, C30B 29/10...

Метки: lamno3+, монокристаллов, способ, манганита, лантана, выращивания

Текст:

...вращения электрода 30 об/мин, температуре роста 10500,1 С, плотности тока 510 мА/см 2 в течение 80-100 часов до получения монокристалла и промывают выросшие монокристаллы в кислотном растворе. Новым, по мнению авторов, является то, что берут растворитель 24-3 в мольном соотношении 2,21, в качестве тигля используют платиновый тигель объемом 100 см 3, который является одним из электродов (катод), второй платиновый электрод(анод) с помещенной...

Шихта для получения термостабильного соединения со структурой перовскита на основе феррита висмута

Загрузка...

Номер патента: 14218

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Радюш Юрий Владимирович

МПК: C30B 29/10, C01G 29/00, C04B 35/26...

Метки: основе, перовскита, структурой, соединения, получения, висмута, феррита, термостабильного, шихта

Текст:

...основе оксидов висмута, магния и ниобия. При введении в шихту, состоящую из оксидов висмута и железа, дополнительно оксидов магния и ниобия в соотношении, соответствующем формуле (2/31/3)3, выше предела растворимости (2/31/3)3 в перовскитной кристаллической решетке феррита висмута в конечном продукте образуются дополнительные фазы на основе висмута магния и ниобия с флюоритоподобной кристаллической структурой (или) со структурой пирохлора....

Способ получения игольчатых монокристаллов фосфида кадмия

Загрузка...

Номер патента: 14072

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C30B 23/00, C01B 25/00

Метки: монокристаллов, кадмия, фосфида, способ, получения, игольчатых

Текст:

...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...

Способ получения поликристаллического изделия

Загрузка...

Номер патента: 13989

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Ковалевский Виктор Николаевич, Ковалевская Анна Викторовна, Григорьев Сергей Владимирович, Жук Андрей Евгеньевич, Гордеев Сергей Константинович, Корчагина Светлана Борисовна

МПК: B22F 3/08, B82B 3/00, C30B 29/10...

Метки: поликристаллического, способ, получения, изделия

Текст:

...кремния, в качестве алмазных кристаллов используют ультрадисперсные алмазы с размерами частиц 20-90 нм, кроме того, термообработанную в условиях, обеспечивающих удаление связки, заготовку вакуумируют, уплотняют взрывом и подвергают термобарическому спеканию, а на поверхность ультрадисперсных алмазов путем магнетронного распыления кремния наносят покрытие толщиной 10-20 нм. Заявляемый способ обеспечивает получение пористого...