C30B — Выращивание монокристаллов

Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия тетрагональной модификации повышенной оптической прочности

Загрузка...

Номер патента: 18269

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Фекешгази Иштван Винцеевич, Шёлковая Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 23/00, C30B 29/10, C01B 25/08...

Метки: модификации, прочности, повышенной, кадмия, получения, монокристаллов, оптической, тетрагональной, дифосфида, способ

Текст:

...Задачей изобретения является уменьшение времени гомогенизирующего отжига(2) путем увеличения температуры в зоне кристаллизации и уменьшения температурного градиента. Поставленная задача решается тем, что монокристалл дифосфида кадмия тетрагональной модификации получают из поликристаллического дифосфида кадмия, который помещают в вакуумированную кварцевую ампулу с коническим дном, помещают ее в двухзонную печь, нагревают в зоне сублимации и...

Способ получения соединения CuAl5S8

Загрузка...

Номер патента: 18174

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Шелег Александр Устинович, Мянзелен Руслан Равильевич, Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович

МПК: C30B 29/46

Метки: способ, получения, соединения, cual5s8

Текст:

...состоящую из химических элементов меди, алюминия и серы, для предотвращения взаимодействия алюминия с материалом ампулы загружали в тигель из нитрида бора и помещали его в кварцевой ампуле. После загрузки ампулу вакуумировали, запаивали и размещали в вертикальную печь сопротивления, изготовленную таким образом,что на ее протяжении существует температурный градиент более 20 и не более 30 /см. После этого с целью получения однородного...

Способ получения монокристаллического антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Изотов Александр Дмитриевич, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович, Малышев Максим Леонидович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C01G 45/00, C30B 21/02, C30B 29/10...

Метки: способ, антимонида, монокристаллического, получения, марганца

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Материал на основе кубического нитрида бора

Загрузка...

Номер патента: 17946

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Мосунов Евгений Игоревич, Шишонок Елена Михайловна, Якунин Александр Сергеевич, Абдуллаев Олег Рауфович

МПК: C09K 11/77, C01B 21/064, C09K 11/63...

Метки: материал, бора, нитрида, основе, кубического

Текст:

.... Фотолюминесцентный (ФЛ) анализ микропорошковпоказал наличие зеленой ФЛ ионов 3, инкорпорированных в кристаллическую решетку , интенсивность которой увеличивалась с увеличением концентрацииот 0,05 до 0,1 ат. . Травление микропорошков в кипящей кислоте в течение 1 ч с последующей промывкой в дистиллированной воде не показало изменения структуры спектров ФЛ и изменения ее интенсивности при возбуждении лазерным излучением с 325 нм....

Керамический электродный материал

Загрузка...

Номер патента: 18048

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Федотова Вера Васильевна, Шаповалова Елена Федоровна, Терешко Нина Викторовна, Чобот Александра Николаевна, Мантыцкая Ольга Станиславовна

МПК: C30B 29/22, H01M 4/86

Метки: керамический, электродный, материал

Текст:

...ионы церия в соотношении, соответствующем химической формуле 0,25-0,753, где 00,12. Данное замещение вызывает локальные кристаллоструктурные искажения, происходит фазовое расслоение, препятствующее коагуляции частиц при подъеме температуры в процессе синтеза, что приводит к уменьшению размера зерна в среднем в 80-100 раз. На фиг. 1 представлена микроструктура состава 0,250,753, отожженного при 1200 С в течение 20 ч. Размер зерна составлял...

Способ получения тонких пленок SnS

Загрузка...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 14/24...

Метки: тонких, получения, пленок, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Способ получения микрокристаллического нелегированного или легированного иттрий-алюминиевого граната

Загрузка...

Номер патента: 17872

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Судник Лариса Владимировна, Белый Дмитрий Иванович, Бойко Андрей Андреевич, Дробышевская Наталья Евгеньевна, Подденежный Евгений Николаевич

МПК: C30B 29/28

Метки: граната, иттрий-алюминиевого, способ, легированного, нелегированного, или, получения, микрокристаллического

Текст:

...задача достигается способом получения микрокристаллического порошка нелегированного или легированного иттрий-алюминиевого граната, при котором проводят механохимическую обработку методом мокрого помола с дистиллированной водой смеси исходных реагентов, содержащей оксихлорид иттрия 1, промышленный бемит - алюминия оксигидроокись составав стехиометрическом соотношении и при необходимости оксихлорид церия или оксихлорид неодима,...

Способ получения полупроводниковых твердых растворов

Загрузка...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Желудкевич Александр Ларионович, Пушкарев Анатолий Васильевич, Олехнович Николай Михайлович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18

Метки: способ, растворов, полупроводниковых, твердых, получения

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Способ получения поликристаллического кобальтита неодима-бария NdBaCo2O5,72

Загрузка...

Номер патента: 17414

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Лобановский Леонид Сергеевич

МПК: C04B 35/50, C04B 35/626, C04B 35/32...

Метки: ndbaco2o5,72, неодима-бария, кобальтита, поликристаллического, способ, получения

Текст:

...до 95010 С, выдерживают 12020 мин, охлаждают со скоростью 10010 С/мин до комнатной температуры. Сущность изобретения состоит в том, что получение поликристаллического кобальтита неодима-бария в соответствии с предлагаемым способом осуществляют в течение одного этапа нагревания-охлаждения. Для получения кобальтита неодима-бария используют исходные компоненты - оксиды кобальта и неодима и карбонат бария. Путем растворения исходных...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: C30B 29/10, H01L 21/02, C25D 9/08...

Метки: полупроводниковых, пленок, подложках, формирования, кремния, групп, aіvbvі, или, бинарных, aііbvі, способ, соединений, монокристаллического

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Устройство для выращивания кристаллов

Загрузка...

Номер патента: U 9126

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Шут Виктор Николаевич, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Кашевич Ирина Федоровна

МПК: C30B 7/04

Метки: устройство, кристаллов, выращивания

Текст:

...по составу кристаллизующимися жидкостями. При этом один отвод крана соединен со входом насоса, а два других - с трубками, помещенными в кристаллизующиеся жидкости. Программное управление обеспечивает работу насоса и механизма поворота крана и воронки по определенному алгоритму. Сопоставительный анализ предлагаемого устройства с прототипом показывает, что оно отличается от прототипа введением воронки, трехходового крана, механизма поворота...

Способ формирования слоев кристаллического оксида цинка

Загрузка...

Номер патента: 16930

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: C23C 18/16, C30B 29/16

Метки: кристаллического, слоев, формирования, оксида, цинка, способ

Текст:

...стекло, сапфир, ситалл, керамика и другие, напыляют слой алюминия толщиной 0,1-2 мкм. Максимальная толщина слоя алюминия ограничена адгезией к материалу подложки и предельными механическими напряжениями. Минимальная толщина слоя алюминия выбирается исходя из необходимости либо полного преобразования металлического слоя в слой оксида цинка, либо частичного преобразования. Во втором случае непреобразованная часть слоя алюминия может служить в...

Способ выращивания монокристаллов титанил-фосфата калия

Загрузка...

Номер патента: 16848

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Конойко Алексей Иванович, Лугинец Александр Михайлович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна

МПК: C30B 9/12, C30B 15/36, C30B 29/14...

Метки: монокристаллов, калия, титанил-фосфата, выращивания, способ

Текст:

...монокристаллов титанил-фосфата калия больших размеров и высокого оптического качества. Поставленная задача решается способом выращивания монокристалла титанилфосфата калия, в котором на монокристаллической затравке, основание которой ориентировано в плоскости (100), формируют боковые грани в плоскостях (1 1 0), (110), (20 1 ) и(201), затравку медленно опускают в состоящий из кристаллообразующих окислов и растворителя 6413 раствор-расплав,...

Способ получения гибридного фотосенсибилизатора

Загрузка...

Номер патента: 16825

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Сташевский Александр Сергеевич, Галиевский Виктор Антонович

МПК: C09K 11/06, A61K 31/409, A61K 47/02...

Метки: фотосенсибилизатора, получения, способ, гибридного

Текст:

...На фигуре представлены ИК Фурье-спектры порошка пористого кремния (кривая 1),порошка пористого кремния после выдерживания в растворе порфирина 5,10,15,20 тетрафенилпорфирина (кривая 2) и после последующего облучения образца с порфирином в течение 45 минут светом ксеноновой лампы (кривая 3). Способ реализуется следующим образом. Поликристаллический порошок кремния со средним размером зерен около 5 мкм помещают в раствор для химического...

Материал для магнитных рефрижераторов на основе монокристаллов арсенида марганца

Загрузка...

Номер патента: 16493

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Рыжковский Владимир Михайлович, Митюк Виктор Иосифович, Говор Геннадий Антонович

МПК: H01F 1/01, C30B 29/10, C01G 45/00...

Метки: арсенида, магнитных, рефрижераторов, монокристаллов, основе, марганца, материал

Текст:

...фазового состава были измерены дифрактограммы визлучении на порошковых образцах. Анализ дифрактограмм показал, что образцы являются однофазными. Предварительная ориентация кристаллов, заключающаяся в определении осей легкого и трудного намагничивания, производилась в магнитном поле. После предварительного ориентирования монокристаллов в магнитном поле плоскости легкого и трудного намагничивания выводились рентгеновским методом с точностью в...

Магнитный материал

Загрузка...

Номер патента: 16320

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Ткаченко Тамара Михайловна, Рыжковский Владимир Михайлович, Митюк Виктор Иосифович

МПК: C01G 45/00, C30B 29/10, H01F 1/01...

Метки: материал, магнитный

Текст:

...структуру типа 8 с более высокой температурой магнитного фазового перехода по сравнению с материалом-прототипом. Пример. Получение магнитного материала 1,10,10,9. Замещение сурьмы кремнием в исходном материале проводили из расчета формулы 1,10,10,9. Брали исходную смесь порошков ,ив пропорции 1,10,10,9 грамм-моль. Все исходные реактивы (, , ) имели чистоту 99,99 . Синтез материала был проведен по известной схеме получения соединений со...

Магнитный материал на основе антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 16317

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Митюк Виктор Иосифович, Ткаченко Тамара Михайловна, Рыжковский Владимир Михайлович

МПК: C01G 45/00, H01F 1/01, C30B 29/10...

Метки: материал, основе, магнитный, марганца, антимонида

Текст:

...24 часов) гомогенной смеси исходных компонентов, взятых в заданных весовых соотношениях, в откачанных до 10-3 мм. рт. ст. кварцевых ампулах до температуры сплавления 900-950 С. 2. Сплавление при 900-950 С в течение 4 часов. 3. Охлаждение в течение нескольких часов от 950 С до 840-860 С (температура образования в системе фазы типа 8). 4. Отжиг при 840-860 С в течение 24 часов. Закалка от отж в воду со льдом. Все исходные реактивы (, , )...

Способ получения поликристаллического сверхтвердого материала на основе наноалмазов

Загрузка...

Номер патента: 16118

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Маркова Людмила Владимировна, Витязь Петр Александрович, Жорник Виктор Иванович, Сенють Владимир Тадеушевич

МПК: C30B 29/04, B01J 3/06

Метки: материала, наноалмазов, способ, сверхтвердого, получения, основе, поликристаллического

Текст:

...соединений, химически и физически адсорбированной воды, которые препятствуют уплотнению порошка при прессованиии и термобарическом спекании. При давлении вакуумного отжига выше 1,3310-9 ГПа и длительности отжига менее 0,5 ч не происходит достаточно полной десорбции кислородсодержащих соединений с поверхности порошка. Кроме того, при указанном давлении отжига также происходит окисление наноалмазов из-за присутствия остаточного...

Способ термической обработки шихты для выращивания кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 16033

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович, Якимович Владимир Никифорович

МПК: C30B 29/48, C30B 23/00

Метки: цинка, способ, селенида, выращивания, обработки, кристаллов, термической, шихты

Текст:

...температуры и отпаивают. Недостатком прототипа является необходимость использования взрывоопасного оборудования и дорогостоящих средств безопасности, что приводит к высокой себестоимости выпускаемой продукции. Задачей настоящего изобретения является разработка простого, исключающего использование взрывоопасного водорода и сложного технологического оборудования способа повышения эффективности термической обработки исходной шихты. Поставленная...

Полупроводниковый материал

Загрузка...

Номер патента: 16032

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Шелег Александр Устинович, Желудкевич Александр Ларионович, Корзун Борис Васильевич

МПК: C30B 29/46

Метки: материал, полупроводниковый

Текст:

...определяли по знаку термо-э.д.с. Примеры конкретного получения нового полупроводникового материала. Пример 1. Для получения нового полупроводникового материала 1-1,99-(1-) с атомарной долей галлия 0,20 и недостатком серы 0,05, что соответствует составу 0,200,801,95, в кварцевую ампулу внутренним диаметром 28 мм и длиной 160 мм загружали шихту, содержащую механическую смесь химических элементов, ат. доля -0,2532,- 0,0506,- 0,2025,- 0,4937....

Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии

Загрузка...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович, Барсукова Екатерина Леонидовна

МПК: G02B 1/10, C30B 23/06, C30B 29/48...

Метки: выращивания, пористом, эпитаксиальных, селенида, пленок, цинка, кремнии, способ

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Способ получения сверхтвердого материала

Загрузка...

Номер патента: 15704

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Игнатенко Олег Владимирович, Ракицкая Людмила Иосифовна, Аниченко Николай Георгиевич

МПК: B01J 3/06, C01B 31/06, C01B 21/064...

Метки: сверхтвердого, получения, материала, способ

Текст:

...мелкозернистой микроструктурой, обладающий повышенными физико-механическими свойствами. Этому же способствует присутствие дисперсноупрочняющей фазы частиц алмаза в композитах на основе кубического нитрида бора при преимущественном содержании в исходной шихте гексагонального нитрида бора или частиц кубического нитрида бора в композитах на основе алмаза при преимущественном содержании в исходной шихте графита. Предлагаемый способ позволяет...

Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения

Загрузка...

Номер патента: 15410

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: ХААСС, Франк

МПК: H01L 35/16, C30B 29/46

Метки: применения, термоэлектрического, легированные, теллуриды, свинца

Текст:

...дробление материала, полученного на этапе (1)(3) прессование материала, полученного на этапе (2), до формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3). Другим предметом данного изобретения является применение описанного выше полупроводникового материала и полупроводникового материала, полученного с помощью описанного выше способа, в качестве термоэлектрического генератора или устройства Пельтье. Еще одним...

Способ получения солнечных элементов на основе тонкопленочной структуры CdS/SnS

Загрузка...

Номер патента: 15451

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Иванов Василий Алексеевич, Унучек Денис Николаевич, Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 28/00...

Метки: получения, тонкопленочной, солнечных, основе, способ, структуры, элементов

Текст:

...стекла,имеющей температуру 59010 С, химически осаждают на полученный слойслой, на который затем последовательно методом магнетронного распыления наносят высокоомный и низкоомный слоии алюминиевый контакт. Сущность изобретения заключается в том, что слоинаносят методом горячей стенки при давлении 10-6 мбар, температуре стенок 59010 С и температуре подложки 280-300 С в течение 15-30 мин, а также в использовании двух слоеви алюминиевого...

Способ получения магнитного полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 15345

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C01G 28/00, H01F 1/40, C30B 29/10...

Метки: полупроводникового, материала, получения, магнитного, способ

Текст:

...нагревают в течение 2,50,5 часа до температуры 790-810 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава диарсенида цинка с германием, марганцем и мышьяком, затем в течение 1,50,5 часа температуру повышают до 1050-1070 С и проводят вибрационное перемешивание в течение 2,00,5 часа, затем понижают температуру до 820830 С и проводят гомогенизирующий отжиг в течение 48 часов. На фиг. 1 приведены режимы синтеза по...

Способ получения магнитного полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 15330

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович

МПК: C30B 29/10, H01F 1/40, C01B 25/08...

Метки: получения, способ, материала, полупроводникового, магнитного

Текст:

...твердых растворов 1-2 соединение дифосфида кадмия, полученное из кадмия и фосфора, германий и марганец в стехиометрическом соотношении помещают в кварцевую ампулу, покрытую внутри пленкой углерода, вакуумируют ее и нагревают в течение 3,00,5 часа выше температуры плавления дифосфида кадмия до 800-820 С, выдерживают при этой температуре 1,0-1,5 часа для взаимодействия расплава дифосфида кадмия с германием и марганцем, затем в течение 1,50,5...

Пьезоэлектрический материал на основе оксида висмута

Загрузка...

Номер патента: 15329

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Бушинский Максим Владиславович

МПК: C30B 29/22, C01G 29/00, C04B 35/26...

Метки: висмута, пьезоэлектрический, оксида, основе, материал

Текст:

...параметр 33 измерялся методом пьезосиловой микроскопии). На фиг. 2 представлены результаты измерения при комнатной температуре линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,860,140,103,отожженного при 250 С в течение 30 мин. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе феррита висмута при частичном замещении трехвалентных ионов висмута двухвалентными ионами кальция возникают...

Пьезоэлектрический материал на основе феррита висмута

Загрузка...

Номер патента: 15237

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Чобот Александра Николаевна, Мантыцкая Ольга Станиславовна

МПК: C01G 29/00, C30B 29/22, C04B 35/26...

Метки: висмута, основе, феррита, пьезоэлектрический, материал

Текст:

...линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0.82180,910,093 при комнатной температуре. Величина 33 превышает 40 / при напряжении до 10 В. На фиг. 4 представлены результаты измерения линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,81190.9050,0953 при комнатной температуре. Величина 33 составляет около 30 / при напряжении до 10 В. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе...

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 23/06, C01G 28/00...

Метки: полупроводниковых, основе, получения, гетероструктуры, материалов, способ

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Способ выращивания монокристаллических пленок Y3Al5O12:Yb3+

Загрузка...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Лугинец Александр Михайлович, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Мащенко Александр Георгиевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Кулешов Николай Васильевич, Колесова Ирина Михайловна

МПК: C30B 29/28, C30B 19/02

Метки: y3al5o12:yb3+, пленок, способ, выращивания, монокристаллических

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Способ получения поликристаллов кубического нитрида бора

Загрузка...

Номер патента: 14982

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Аниченко Николай Георгиевич, Ракицкая Людмила Иосифовна, Игнатенко Олег Владимирович

МПК: C30B 29/38, B01J 3/06, C01B 21/064...

Метки: бора, нитрида, получения, способ, кубического, поликристаллов

Текст:

...будет поляризоваться, возникающая при этом разность потенциалов может достигать нескольких киловольт. При не очень больших температурах на начальных стадиях превращения ПНБ-Р,Г в плотные модификации, процесс идет при наличии электрического поля в образце, что, по-видимому, позволяет увеличить поляризацию получаемых поликристаллов. Нагрев исходной заготовки осуществляется в две стадии. Сначала до 2400 К со скоростью, не превышающей 600 К/с,...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур

Загрузка...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Мышук Виктор Иванович, Кривчик Петр Петрович, Довнар Николай Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/36, C30B 25/20

Метки: изготовления, способ, кремниевых, эпитаксиальных, структур

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Способ получения наноразмерных пленок BaxSr1-XTiO3

Загрузка...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович

МПК: H01L 27/00, C30B 29/32, C30B 23/06...

Метки: пленок, получения, baxsr1-xtio3, способ, наноразмерных

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Способ получения полупроводникового соединения со структурой халькопирита CuAlTe2

Загрузка...

Номер патента: 14710

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Корзун Борис Васильевич, Соболь Валерий Романович, Шелег Александр Устинович, Фадеева Елена Александровна

МПК: C30B 29/46, C01B 19/00

Метки: способ, халькопирита, структурой, cualte2, соединения, полупроводникового, получения

Текст:

...2 происходит в результате гетерогенной реакции между твердой фазой состава (2)0,97(23)0,03(первичные выпавшие кристаллы) и жидкостью состава (2)0,40(23)0,60 2. Учитывая, что такие реакции протекают очень медленно, то для получения гомогенных образцов соединения со структурой халькопирита 2 необходимо использовать высокие температуры (1000 К) и длительное время отжига (10 суток). Задачей настоящего изобретения является сокращение времени...

Способ получения наноструктурированного порошка иттрий-алюминиевого граната, легированного церием

Загрузка...

Номер патента: 14779

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Хотченкова Татьяна Георгиевна, Гришкова Елена Ивановна, Подденежный Евгений Николаевич, Добродей Александр Олегович, Малашкевич Георгий Ефимович

МПК: C30B 29/28, C01F 17/00, C01F 7/02...

Метки: граната, церием, порошка, легированного, иттрий-алюминиевого, получения, способ, наноструктурированного

Текст:

...С и выше(900 С - 6 ч, 1000 С - 2 ч или более). Размол полученного порошка в аттриторе в течение 2-х часов приводит к получению продукта с размером частиц 0,55 мкм. Недостатками процесса является необходимость длительного размола получаемого спека в аттриторе и невозможность получения порошка иттрий-алюминиевого граната нанометрового размера. Наиболее близким к заявляемому является способ получения порошка иттрий-алюминиевого граната с...

Способ получения тонких пленок сульфоселенида олова

Загрузка...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: C30B 29/10, H01L 31/18

Метки: тонких, пленок, получения, олова, сульфоселенида, способ

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Способ выращивания монокристаллов манганита лантана LaMnO3+?

Загрузка...

Номер патента: 14280

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Барило Сергей Николаевич, Бычков Георгий Леонидович, Ширяев Сергей Витальевич

МПК: C30B 9/00, C30B 17/00, C30B 29/10...

Метки: выращивания, lamno3+, лантана, монокристаллов, манганита, способ

Текст:

...вращения электрода 30 об/мин, температуре роста 10500,1 С, плотности тока 510 мА/см 2 в течение 80-100 часов до получения монокристалла и промывают выросшие монокристаллы в кислотном растворе. Новым, по мнению авторов, является то, что берут растворитель 24-3 в мольном соотношении 2,21, в качестве тигля используют платиновый тигель объемом 100 см 3, который является одним из электродов (катод), второй платиновый электрод(анод) с помещенной...

Шихта для получения термостабильного соединения со структурой перовскита на основе феррита висмута

Загрузка...

Номер патента: 14218

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Радюш Юрий Владимирович, Олехнович Николай Михайлович, Пушкарев Анатолий Васильевич

МПК: C01G 29/00, C30B 29/10, C04B 35/26...

Метки: соединения, перовскита, структурой, получения, висмута, термостабильного, шихта, основе, феррита

Текст:

...основе оксидов висмута, магния и ниобия. При введении в шихту, состоящую из оксидов висмута и железа, дополнительно оксидов магния и ниобия в соотношении, соответствующем формуле (2/31/3)3, выше предела растворимости (2/31/3)3 в перовскитной кристаллической решетке феррита висмута в конечном продукте образуются дополнительные фазы на основе висмута магния и ниобия с флюоритоподобной кристаллической структурой (или) со структурой пирохлора....

Способ получения игольчатых монокристаллов фосфида кадмия

Загрузка...

Номер патента: 14072

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Шёлковая Татьяна Васильевна, Маренкин Сергей Федорович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C01B 25/00, C30B 23/00

Метки: кадмия, получения, монокристаллов, способ, игольчатых, фосфида

Текст:

...кристаллизации 470-495 С и температуры испарения 545-505 С начинается процесс выращивания игольчатых кристаллов 32. Процесс выращивания ведут 72-144 часа в зависимости от температурного градиента между зонами испарения и конденсации и веса исходной шихты. После окончания выращивания монокристаллов 32 печь выключают. Температурные и временные режимы выращивания сведены в табл. 1. Таблица 1 Т зоны Темпера- Температурный Т зоны исВес Время...

Способ получения поликристаллического изделия

Загрузка...

Номер патента: 13989

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Ковалевская Анна Викторовна, Ковалевский Виктор Николаевич, Григорьев Сергей Владимирович, Гордеев Сергей Константинович, Жук Андрей Евгеньевич, Корчагина Светлана Борисовна

МПК: C30B 29/10, B22F 3/08, B82B 3/00...

Метки: способ, получения, изделия, поликристаллического

Текст:

...кремния, в качестве алмазных кристаллов используют ультрадисперсные алмазы с размерами частиц 20-90 нм, кроме того, термообработанную в условиях, обеспечивающих удаление связки, заготовку вакуумируют, уплотняют взрывом и подвергают термобарическому спеканию, а на поверхность ультрадисперсных алмазов путем магнетронного распыления кремния наносят покрытие толщиной 10-20 нм. Заявляемый способ обеспечивает получение пористого...