C23C 14/34 — распыление металлов

Способ создания обмотки высокочастотного микроиндуктора на основе полиимидной пленки

Загрузка...

Номер патента: 16776

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Петров Александр Владимирович, Канюков Егор Юрьевич, Демьянов Сергей Евгеньевич

МПК: C23C 14/04, H01F 27/28, C23C 14/34...

Метки: пленки, основе, создания, высокочастотного, полиимидной, способ, обмотки, микроиндуктора

Текст:

...мкм. На финишном этапе изготовления подложка кремния, на которой изначально формировалась многослойная структура индуктора, стравливалась,что в конечном итоге обеспечивало гибкость изделия. Величина индуктивности такого индуктора составила 10-7 Гн, а его добротность - 10 при частоте 0,1 ГГц. Недостаток данного способа заключается в многостадийности технологии изготовления, связанной с применением нескольких физико-химических методик, а...

Способ создания высокочастотного микротрансформатора

Загрузка...

Номер патента: 16422

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Петров Александр Владимирович, Демьянов Сергей Евгеньевич, Канюков Егор Юрьевич

МПК: C23C 14/04, C23C 14/34, H01F 41/00...

Метки: высокочастотного, способ, микротрансформатора, создания

Текст:

...травления с использованием газов 2 и 3 стравливался слой - до поверхности оксида кремния на кремнии. В результате была сформирована первичная обмотка трансформатора спирального типа. Далее удалялся фоторезист и слой 2, расположенный поверх проводника -, после чего напылялся слой 2 толщиной 1,5 мкм для разделения первичной и вторичной обмоток. Аналогично первичной формировалась вторичная обмотка. Созданный таким образом планарный...

Изобретения категории «распыление металлов» в СССР.

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: C23C 14/34, H01L 21/322

Метки: кремния, способ, полупроводниковых, изготовления, пластин

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Вакуумная установка

Загрузка...

Номер патента: U 7491

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Жолобов Александр Алексеевич, Логвина Екатерина Владимировна, Логвин Владимир Александрович

МПК: C23C 14/34

Метки: установка, вакуумная

Текст:

...любой составляющей периметра катода. На аноде со стороны его торцевой поверхности выполнена выемка глубиной до одного наружного максимального размера торцевой поверхности анода. Дополнительно на выемке выполнены углубления. Дополнительно в углубления установлены вставки. В предлагаемой установке возникновение и устойчивое горение тлеющего разряда с формированием характерных для него структур осуществляется благодаря оптимальному подбору...

Вакуумная установка

Загрузка...

Номер патента: U 6537

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Логвин Владимир Александрович, Логвина Екатерина Владимировна, Жолобов Александр Алексеевич

МПК: C23C 14/34

Метки: вакуумная, установка

Текст:

...в поверхностном слое обрабатываемых изделий измененной структуры, состоящей из различных металлов,можно сократить время упрочнения до 30 или повысить прочность поверхностного слоя обрабатываемого изделия до 30 . Сущность полезной модели поясняется иллюстрацией, на которой схематично изображено заявляемое устройство. На фигуре показан разрез заявляемого устройства по оси анод-катод с токопроводящим материалом под изделиями. Анод 1 установлен в...

Вакуумная установка

Загрузка...

Номер патента: U 6536

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Логвин Владимир Александрович, Жолобов Александр Алексеевич, Логвина Екатерина Владимировна

МПК: C23C 14/34

Метки: установка, вакуумная

Текст:

...форвакуумного, блока питания, анода и катода, согласно полезной модели, площадь торцовой поверхности анода выполнена, по крайней мере, в сто раз меньше площади катода. Минимальный наружный размер торцовой поверхности в пять раз меньше, чем минимальный размер любой составляющей периметра катода, или в 10 раз меньше его диаметра, если он выполнен в форме круга. На аноде со стороны торцовой поверхности выполнена выемка глубиной от одного до двух...

Устройство для генерации плазменных потоков

Загрузка...

Номер патента: U 4402

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Андреев Михаил Анатольевич, Суворов Анатолий Николаевич, Шевченок Александр Аркадьевич, Макаревич Евгений Петрович

МПК: C23C 14/34

Метки: плазменных, устройство, генерации, потоков

Текст:

...ионно-лучевых покрытий. Это достигается тем, что в известном устройстве, содержащем водоохлаждаемый кольцевой анод, катод, состоящий из двух концентрических колец, катушку соленоида,кожух, магнитопровод, внутреннее кольцо катода может перемещаться вдоль оси устройства, изменяя форму щелевого зазора между анодом и катодом, что приводит к изменению конфигурации ионного пучка, превращая его из цилиндрического в конический с регулируемым...

Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки

Загрузка...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Баранов Валентин Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35

Метки: полупроводниковые, способ, пленки, нанесения, подложки, молибдена

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Катодный узел

Загрузка...

Номер патента: 9560

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Тарасиков Михаил Васильевич, Чапкович Анатолий Сергеевич, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: C23C 14/34

Метки: катодный, узел

Текст:

...выступов на боковой поверхности катода-мишени не обеспечивается герметичное вакуум-плотное крепление катода-мишени к водоохлаждаемому держателю. Сущность изобретения поясняется фиг. 1-4, где на фиг. 1 схематично показано магнетронное распылительное устройство (МРУ) для ионно-плазменного напыления с катодным узлом в соответствии с прототипом, на фиг. 2 схематично показано устройство мишени для катодного узла МРУ согласно прототипу, на фиг. 3...

Катодный узел для ионно-плазменного нанесения пленок

Загрузка...

Номер патента: 6143

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Каморников Игорь Михайлович, Малащенко Алексей Терентьевич, Пиун Виктор Михайлович

МПК: C23C 14/35, C23C 14/34

Метки: узел, ионно-плазменного, нанесения, пленок, катодный

Текст:

...кольцеобразной пластины. В соответствии с изобретением улучшается не только охлаждение катода-мишени, но и постоянного магнита. Создание камеры охлаждения, согласно предложенному, и выполнение катода-мишени и держателя в виде пластин обеспечивает интенсивное охлаждение катода-мишени, за счет эффективного теплоотвода от катода-мишени через пластинудержатель, с одной стороны, и эффективное охлаждение магнитных наконечников и магнитопровода...

Установка для нанесения многослойных тонкопленочных покрытий методом магнетронного распыления

Загрузка...

Номер патента: U 918

Опубликовано: 30.06.2003

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Достанко Анатолий Павлович, Свадковский Игорь Витальевич, Завадский Сергей Михайлович

МПК: C23C 14/34

Метки: покрытий, магнетронного, нанесения, методом, распыления, тонкопленочных, многослойных, установка

Текст:

...система расположена с внутренней стороны фланца, а ионный источник - с внешней стороны фланца. Это позволяет обеспечить нанесение тонкопленочных структур с заданной однородностью свойств по поверхности подложки при ограниченных габаритах фланцев Ионный источник включается перед нанесением очередного слоя и обеспечивает стимуляцию разряда магнетрона, что позволяет добиться одновременного функционирования магнетронной...

Способ получения распыляемых мишеней для осаждения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 4682

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Полынкова Елена Владимировна, Гулай Анатолий Владимирович, Колешко Владимир Михайлович, Шевченок Александр Аркадьевич

МПК: C23C 14/34, H01J 37/34, H01J 37/32...

Метки: осаждения, пленок, распыляемых, способ, получения, тонких, мишеней

Текст:

...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...

Способ получения защитно-декоративных покрытий в вакууме из нитрида титана на изделиях из металла, стекла, керамики

Загрузка...

Номер патента: 215

Опубликовано: 30.12.1994

Автор: Кремко Е. В.

МПК: C23C 14/34

Метки: способ, титана, защитно-декоративных, керамики, покрытий, стекла, вакууме, нитрида, изделиях, металла, получения

Текст:

...потребления. Изделия из металла - это ложки, вилки. ножи. турки и др. посуда. Изделия из стекла - это линзы. вазы. витражные стекла стаканы. фужеры. сервизы и др. посуда. Изделия из керамики это облицовочная плитка. серви зы из керамики и фарфора. вазы и др. посу-потребления, особенно важен фактор проч ности сцепления покрытия с основой. а затем цвет изделий как декоративная характеристика. данное изобретение решает эту проблему....