C23C 14/28 — с использованием волновой энергии или облучения частицами

Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур

Загрузка...

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Завадский Сергей Михайлович, Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич, Голосов Дмитрий Анатольевич

МПК: C23C 14/08, H01G 7/06, C23C 14/28...

Метки: конденсаторных, структур, тонких, способ, получения, пленок

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Технологическая оснастка для установки ионно-лучевой обработки деталей

Загрузка...

Номер патента: U 9112

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Колесникова Алла Алексеевна, Белый Алексей Владимирович, Биленко Эдуард Григорьевич, Карпович Анна Николаевна

МПК: C23C 14/28

Метки: оснастка, деталей, обработки, ионно-лучевой, установки, технологическая

Текст:

...которого смонтирована в опорных направляющих, смонтированных соответственно на двух нижних опорах, при этом вертикальный формирующий держатель деталей закреплен непосредственно на зубчатой рейке, а верхняя направляющая держателя деталей кинематически через позиционирующий ролик связана с верхней опорой формирующего держателя деталей. Технический результат объекта промышленной собственности реализован путем универсализации и применения...

Установка для вакуумной обработки деталей

Загрузка...

Номер патента: U 9116

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Белый Алексей Владимирович, Колесникова Алла Алексеевна, Карпович Анна Николаевна, Биленко Эдуард Григорьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: деталей, обработки, установка, вакуумной

Текст:

...для свертки конусообразной обечайки. Установка для вакуумной обработки по фиг. 1, 2 деталей, изделий и заготовок содержит вакуумную камеру 1, внутри которой размещены ионно-лучевой источник 2, источник нагрева 3 и поворотный держатель деталей 4. Поворотный держатель деталей 4 выполнен в виде барабана, образованного верхним и нижним кольцевыми контурами 5, 6. Наружная обечайка барабана имеет форму беличьей клетки. Обечайка образована...

Способ формирования на подложке тонкой алмазоподобной пленки посредством вакуумной лазерной абляции

Загрузка...

Номер патента: 16615

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Петров Сергей Александрович, Шаронов Геннадий Викторович

МПК: C23C 14/28

Метки: подложке, тонкой, абляции, вакуумной, формирования, способ, лазерной, посредством, пленки, алмазоподобной

Текст:

...осуществлялось с использованием регулируемой оптической линии задержки, состоящей из 4 зеркал (фигура,, - интенсивность лазерного излучения,- длительность первого лазерного импульса по уровню 0,1,- время задержки второго импульса). Первый лазерный импульс, падающий на графит, расходует свою энергию на его разогрев и испарение. Энергия второго импульса служит источником доионизации лазерно-эрозионной плазмы и повышения температуры и...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 2326

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Шершнев Алексей Евгеньевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Морозов Владимир Петрович

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, алмазоподобных, получения, установка

Текст:

...Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что в установке для нанесения алмазоподобных пленок, содержащей лазер, формирующий объектив, ва 2 23262005.12.30 куумную камеру и расположенные внутри нее ионно-лучевой источник, держатель мишени и держатель подложки, на которую осаждается испаряемый материал мишени, ионнолучевой источник и держатель мишени последовательно установлены на оптической оси установки по...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 1980

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шалупаев Сергей Викентьевич, Морозов Владимир Петрович, Шершнев Алексей Евгеньевич, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: алмазоподобных, установка, пленок, получения

Текст:

...временное распределение интенсивности в пичках импульсов, что способствует повышению однородности состава плазмы эрозионного факела и приводит к значительному уменьшению попадания крупных осколков материала мишени на подложку. Выполнение формирующего объектива в виде оптической системы для формирования лазерного пучка в пучок кольцевого сечения приводит к существенному увеличению как телесного угла разлета продуктов испарения, так и вь 1...

Способ получения алмазоподобных углеродных пленок

Загрузка...

Номер патента: 6030

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Старовойтов Александр Семенович, Никитюк Юрий Валерьевич, Зайцев Валентин Алексеевич, Шершнев Евгений Борисович, Шолох Владимир Федорович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Федосенко Николай Николаевич

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, углеродных, получения, алмазоподобных, способ

Текст:

...перенасыщения, необходимые для эффективного формирования пленки. Структура и время существования термолизованной области, а также энергетическое распределение испаренных частиц мишени, из которых состоит эрозионный факел, напрямую зависят от параметров лазерного излучения профиля импульса, плотности мощности энергии в импульсе, длительности импульса. При воздействии на мишень импульсом лазерного излучения состав эрозионного факела...

Способ получения антимикробного материала, тонкозернистый антимикробный материал и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 5421

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Роберт Эдвард БАРРЕЛЛ, Садхиндра Бхарат САНТ, Кашмир Сингх ДЖИЛЛ, Прасад Шрикришна АПТЕ, Лэрри Рой МОРРИС, Родерик Джон ПРИХТ, Катрин Лаури МАКИНТОШ

МПК: C23C 14/14, A61L 31/08, A01N 59/16...

Метки: способ, материал, тонкозернистый, материала, антимикробного, получения, антимикробный

Текст:

...по п. 21, отличающийся тем, что величина отношения температуры его рекристаллизации к температуре его плавления, в градусах Кельвина (Т рек./Т пп.), составляет менее 0,3.23. Материал по п. 21, отличающийся тем, что имеет температуру рекристаллизации менее 140 С.24. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 200 нм.25. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 140 нм.26. Материал по п. 23,...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 323

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Зайцев Валентин Алексеевич, Шершнев Евгений Борисович, Старовойтов Александр Семенович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Морозов Владимир Петрович, Федосенко Николай Николаевич, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, установка, получения, алмазоподобных

Текст:

...эффекта являются повышение качества получаемых покрытий и надежности работы установки, рост ее производительности за счет сокращения времени простоя и наладки. Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что установка для нанесения алмазоподобных пленок, содержащая рабочий лазер, формирующий объектив, вакуумную камеру и расположенные внутри нее держатели с мишенью и подложкой, на которую осаждается испаряемый материал...

Способ получения алмазоподобной пленки

Загрузка...

Номер патента: 2936

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Федосенко Николай Николаевич, Федосенко Геннадий Николаевич, Ширипов Владимир Яковлевич

МПК: C23C 14/28, C30B 29/04, C30B 23/02...

Метки: получения, пленки, алмазоподобной, способ

Текст:

...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....

Способ получения электропроводящего прозрачного покрытия из оксида индия

Загрузка...

Номер патента: 960

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Танасейчук Алексей Станиславович, Шершнев Евгений Борисович

МПК: C23C 14/28, C23C 14/08

Метки: индия, прозрачного, оксида, получения, электропроводящего, покрытия, способ

Текст:

...и значительно снижают величину удельного сопротивления.При оптимальных технологических режимах напыления величина светопропускания превышает 93.Ионизация кислорода и азота необходима при осуществлении предлагаемого способа. Она позволяет использовать привзаимодействии атомарный кислород и азот, что химически более оправдано, чем использование молекулярных компонентов газовой смеси. Плазма разряда эффективно стимулирует...

Способ получения пленок металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 358

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Рубан Геннадий Иосифович, Свиридович Олег Григорьевич, Точицкий Эдуард Иванович

МПК: C23C 14/28

Метки: получения, высокотемпературных, способ, сверхпроводников, металлооксидных, пленок

Текст:

...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...