C23C 14/28 — с использованием волновой энергии или облучения частицами

Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур

Загрузка...

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович

МПК: C23C 14/08, H01G 7/06, C23C 14/28...

Метки: конденсаторных, получения, тонких, структур, пленок, способ

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Технологическая оснастка для установки ионно-лучевой обработки деталей

Загрузка...

Номер патента: U 9112

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Биленко Эдуард Григорьевич, Колесникова Алла Алексеевна, Карпович Анна Николаевна, Белый Алексей Владимирович

МПК: C23C 14/28

Метки: установки, обработки, ионно-лучевой, технологическая, оснастка, деталей

Текст:

...которого смонтирована в опорных направляющих, смонтированных соответственно на двух нижних опорах, при этом вертикальный формирующий держатель деталей закреплен непосредственно на зубчатой рейке, а верхняя направляющая держателя деталей кинематически через позиционирующий ролик связана с верхней опорой формирующего держателя деталей. Технический результат объекта промышленной собственности реализован путем универсализации и применения...

Установка для вакуумной обработки деталей

Загрузка...

Номер патента: U 9116

Опубликовано: 30.04.2013

Авторы: Колесникова Алла Алексеевна, Белый Алексей Владимирович, Карпович Анна Николаевна, Биленко Эдуард Григорьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: деталей, обработки, вакуумной, установка

Текст:

...для свертки конусообразной обечайки. Установка для вакуумной обработки по фиг. 1, 2 деталей, изделий и заготовок содержит вакуумную камеру 1, внутри которой размещены ионно-лучевой источник 2, источник нагрева 3 и поворотный держатель деталей 4. Поворотный держатель деталей 4 выполнен в виде барабана, образованного верхним и нижним кольцевыми контурами 5, 6. Наружная обечайка барабана имеет форму беличьей клетки. Обечайка образована...

Способ формирования на подложке тонкой алмазоподобной пленки посредством вакуумной лазерной абляции

Загрузка...

Номер патента: 16615

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Петров Сергей Александрович, Шаронов Геннадий Викторович

МПК: C23C 14/28

Метки: лазерной, алмазоподобной, формирования, пленки, вакуумной, абляции, способ, подложке, тонкой, посредством

Текст:

...осуществлялось с использованием регулируемой оптической линии задержки, состоящей из 4 зеркал (фигура,, - интенсивность лазерного излучения,- длительность первого лазерного импульса по уровню 0,1,- время задержки второго импульса). Первый лазерный импульс, падающий на графит, расходует свою энергию на его разогрев и испарение. Энергия второго импульса служит источником доионизации лазерно-эрозионной плазмы и повышения температуры и...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 2326

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Морозов Владимир Петрович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шершнев Алексей Евгеньевич

МПК: C23C 14/28

Метки: установка, получения, алмазоподобных, пленок

Текст:

...Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что в установке для нанесения алмазоподобных пленок, содержащей лазер, формирующий объектив, ва 2 23262005.12.30 куумную камеру и расположенные внутри нее ионно-лучевой источник, держатель мишени и держатель подложки, на которую осаждается испаряемый материал мишени, ионнолучевой источник и держатель мишени последовательно установлены на оптической оси установки по...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 1980

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шалупаев Сергей Викентьевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Морозов Владимир Петрович, Шершнев Алексей Евгеньевич

МПК: C23C 14/28

Метки: установка, пленок, алмазоподобных, получения

Текст:

...временное распределение интенсивности в пичках импульсов, что способствует повышению однородности состава плазмы эрозионного факела и приводит к значительному уменьшению попадания крупных осколков материала мишени на подложку. Выполнение формирующего объектива в виде оптической системы для формирования лазерного пучка в пучок кольцевого сечения приводит к существенному увеличению как телесного угла разлета продуктов испарения, так и вь 1...

Способ получения алмазоподобных углеродных пленок

Загрузка...

Номер патента: 6030

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Старовойтов Александр Семенович, Шершнев Евгений Борисович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Федосенко Николай Николаевич, Шолох Владимир Федорович, Зайцев Валентин Алексеевич, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, получения, способ, углеродных, алмазоподобных

Текст:

...перенасыщения, необходимые для эффективного формирования пленки. Структура и время существования термолизованной области, а также энергетическое распределение испаренных частиц мишени, из которых состоит эрозионный факел, напрямую зависят от параметров лазерного излучения профиля импульса, плотности мощности энергии в импульсе, длительности импульса. При воздействии на мишень импульсом лазерного излучения состав эрозионного факела...

Способ получения антимикробного материала, тонкозернистый антимикробный материал и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 5421

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Прасад Шрикришна АПТЕ, Родерик Джон ПРИХТ, Кашмир Сингх ДЖИЛЛ, Лэрри Рой МОРРИС, Катрин Лаури МАКИНТОШ, Роберт Эдвард БАРРЕЛЛ, Садхиндра Бхарат САНТ

МПК: A61L 31/08, C23C 14/14, A01N 59/16...

Метки: тонкозернистый, материал, материала, получения, антимикробного, способ, антимикробный

Текст:

...по п. 21, отличающийся тем, что величина отношения температуры его рекристаллизации к температуре его плавления, в градусах Кельвина (Т рек./Т пп.), составляет менее 0,3.23. Материал по п. 21, отличающийся тем, что имеет температуру рекристаллизации менее 140 С.24. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 200 нм.25. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 140 нм.26. Материал по п. 23,...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 323

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Старовойтов Александр Семенович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шершнев Евгений Борисович, Зайцев Валентин Алексеевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Морозов Владимир Петрович, Федосенко Николай Николаевич

МПК: C23C 14/28

Метки: получения, пленок, алмазоподобных, установка

Текст:

...эффекта являются повышение качества получаемых покрытий и надежности работы установки, рост ее производительности за счет сокращения времени простоя и наладки. Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что установка для нанесения алмазоподобных пленок, содержащая рабочий лазер, формирующий объектив, вакуумную камеру и расположенные внутри нее держатели с мишенью и подложкой, на которую осаждается испаряемый материал...

Способ получения алмазоподобной пленки

Загрузка...

Номер патента: 2936

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Ширипов Владимир Яковлевич, Федосенко Геннадий Николаевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C30B 29/04, C30B 23/02, C23C 14/28...

Метки: получения, способ, алмазоподобной, пленки

Текст:

...на фиг. 1 - вакуумная установка для нанесения алмазоподобной пленки лазерным способом фиг. 2 - спектр электронного парамагнитного резонанса алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 3 - спектр комбинационного рассеяния света алмазоподобной пленки, полученной заявляемым способом фиг. 4 - спектр комбинационного рассеяния аморфной графитоподобной пленки фиг. 5 - спектр комбинационного рассеяния аморфной углеродной пленки....

Способ получения электропроводящего прозрачного покрытия из оксида индия

Загрузка...

Номер патента: 960

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Шершнев Евгений Борисович, Танасейчук Алексей Станиславович

МПК: C23C 14/08, C23C 14/28

Метки: оксида, способ, покрытия, прозрачного, индия, получения, электропроводящего

Текст:

...и значительно снижают величину удельного сопротивления.При оптимальных технологических режимах напыления величина светопропускания превышает 93.Ионизация кислорода и азота необходима при осуществлении предлагаемого способа. Она позволяет использовать привзаимодействии атомарный кислород и азот, что химически более оправдано, чем использование молекулярных компонентов газовой смеси. Плазма разряда эффективно стимулирует...

Способ получения пленок металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 358

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Свиридович Олег Григорьевич, Рубан Геннадий Иосифович

МПК: C23C 14/28

Метки: способ, получения, высокотемпературных, сверхпроводников, металлооксидных, пленок

Текст:

...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...