C23C 14/16 — на металлическую подложку или на подложку из бора или кремния

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Подковщиков Николай Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, способ, кристалла, формирования, металлизации, обратной, прибора, стороны

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: прибора, обратной, стороны, металлизация, полупроводникового, кристалла

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: кремниевого, кристалла, прибора, кристаллодержателю, полупроводникового, способ, присоединения

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Адашкевич Сергей Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Стельмах Вячеслав Фомич, Колос Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Чапланов Аркадий Михайлович

МПК: H01L 21/02, C23C 14/16

Метки: подложке, формирования, титана, способ, пленки, дисилицида, кремниевой

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Способ формирования покрытия с триботехническими свойствами

Загрузка...

Номер патента: 12984

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Андреев Михаил Анатольевич, Тарусов Игорь Николаевич, Мойсейчик Анатолий Николаевич, Маркова Людмила Владимировна

МПК: C23C 14/16

Метки: способ, свойствами, формирования, триботехническими, покрытия

Текст:

...с учетом материала, из которого изготовлена деталь, подлежащая обработке. Например, если деталь изготовлена из титанового сплава, то основу порошковой мишени составляет титан или его сплав и т.п. Таким образом, реализуется высокая адгезия твердосмазочного покрытия к поверхности детали, что обеспечивает ее длительную эксплуатацию. Сущность способа поясняется примером. Для выделения влияния добавки дисульфида молибдена в мишень для распыления...

Способ получения антимикробного материала, тонкозернистый антимикробный материал и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 5421

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Роберт Эдвард БАРРЕЛЛ, Садхиндра Бхарат САНТ, Кашмир Сингх ДЖИЛЛ, Лэрри Рой МОРРИС, Родерик Джон ПРИХТ, Прасад Шрикришна АПТЕ, Катрин Лаури МАКИНТОШ

МПК: A61L 31/08, C23C 14/14, A01N 59/16...

Метки: получения, антимикробный, материал, материала, тонкозернистый, способ, антимикробного

Текст:

...по п. 21, отличающийся тем, что величина отношения температуры его рекристаллизации к температуре его плавления, в градусах Кельвина (Т рек./Т пп.), составляет менее 0,3.23. Материал по п. 21, отличающийся тем, что имеет температуру рекристаллизации менее 140 С.24. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 200 нм.25. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 140 нм.26. Материал по п. 23,...