C23C 14/16 — на металлическую подложку или на подложку из бора или кремния

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Подковщиков Николай Николаевич

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: кристалла, прибора, металлизации, обратной, стороны, формирования, полупроводникового, способ

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: обратной, кристалла, стороны, металлизация, полупроводникового, прибора

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: полупроводникового, кристаллодержателю, кремниевого, присоединения, кристалла, способ, прибора

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Способ формирования пленки дисилицида титана на кремниевой подложке

Загрузка...

Номер патента: 16839

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Колос Владимир Владимирович, Маркевич Мария Ивановна, Адашкевич Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Стельмах Вячеслав Фомич, Чапланов Аркадий Михайлович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/02

Метки: формирования, способ, титана, дисилицида, кремниевой, пленки, подложке

Текст:

...сжатия более 1 ГПА, а при температурах более 450 С - напряжения растяжения более 1 ГПА, что ухудшает адгезию пленок титана и приводит к формированию дефектов в структуре кремния. В случае выдержки при температуре напыления титана менее 12 с процессы поверхностной диффузии осажденных атомов (кластеров) пленки титана и уменьшения энергии поверхностных состояний остаются незавершенными, что приводит к последующему взаимодействию пленки титана с...

Способ формирования покрытия с триботехническими свойствами

Загрузка...

Номер патента: 12984

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Тарусов Игорь Николаевич, Мойсейчик Анатолий Николаевич, Маркова Людмила Владимировна, Андреев Михаил Анатольевич

МПК: C23C 14/16

Метки: формирования, способ, триботехническими, свойствами, покрытия

Текст:

...с учетом материала, из которого изготовлена деталь, подлежащая обработке. Например, если деталь изготовлена из титанового сплава, то основу порошковой мишени составляет титан или его сплав и т.п. Таким образом, реализуется высокая адгезия твердосмазочного покрытия к поверхности детали, что обеспечивает ее длительную эксплуатацию. Сущность способа поясняется примером. Для выделения влияния добавки дисульфида молибдена в мишень для распыления...

Способ получения антимикробного материала, тонкозернистый антимикробный материал и способ его получения

Загрузка...

Номер патента: 5421

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Прасад Шрикришна АПТЕ, Кашмир Сингх ДЖИЛЛ, Садхиндра Бхарат САНТ, Катрин Лаури МАКИНТОШ, Лэрри Рой МОРРИС, Роберт Эдвард БАРРЕЛЛ, Родерик Джон ПРИХТ

МПК: A01N 59/16, A61L 31/08, C23C 14/14...

Метки: способ, материала, материал, антимикробный, получения, тонкозернистый, антимикробного

Текст:

...по п. 21, отличающийся тем, что величина отношения температуры его рекристаллизации к температуре его плавления, в градусах Кельвина (Т рек./Т пп.), составляет менее 0,3.23. Материал по п. 21, отличающийся тем, что имеет температуру рекристаллизации менее 140 С.24. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 200 нм.25. Материал по п. 23, отличающийся тем, что имеет размер частиц менее 140 нм.26. Материал по п. 23,...