C09K 13/00 — Составы для травления, поверхностного осветления или декапирования

Селективный травитель слоев InGaAs относительно InGaAsP

Загрузка...

Номер патента: 14849

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Савостьянова Наталья Александровна, Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: C09K 13/00, H01L 21/306

Метки: ingaasp, ingaas, селективный, травитель, относительно, слоев

Текст:

...под действием перекиси водорода происходит окисление поверхности эпитаксиального слоя с образованием соответствующих оксидов. Затем под действием молочной кислоты образованные оксиды растворяются. Чистота (марка) применяемых компонентов, используемых при изготовлении селективного травителя, определяется требованиями конкретного технологического процесса производства изделий микроэлектроники. 14849 1 2011.10.30 Выбранный состав травителя...

Раствор для активации поверхности фторсодержащих полимеров

Загрузка...

Номер патента: 12666

Опубликовано: 30.12.2009

Автор: Новиков Владимир Прокофьевич

МПК: C08J 7/00, C09K 13/00

Метки: полимеров, раствор, фторсодержащих, активации, поверхности

Текст:

...является создание раствора для активации поверхности фторсодержащих полимеров, обеспечивающего высокую адгезию поверхности активированного полимера к металлам. Поставленная задача достигается за счет того, что раствор для активации поверхности фторсодержащих полимеров содержит щелочной металл и аммиак. Новым, по мнению авторов, является то, что раствор содержит щелочной металл в концентрации 0,5 моль/литр и дополнительно содержит ацетилид...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02, C09K 13/00

Метки: полупроводниковой, ph больше 7, очистки, кремниевой, способ, растворе, поверхности, качества, пластины, химической, контроля

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...