C09K 13/00 — Составы для травления, поверхностного осветления или декапирования

Селективный травитель слоев InGaAs относительно InGaAsP

Загрузка...

Номер патента: 14849

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Савостьянова Наталья Александровна, Тептеев Алексей Алексеевич

МПК: H01L 21/306, C09K 13/00

Метки: ingaasp, травитель, селективный, относительно, ingaas, слоев

Текст:

...под действием перекиси водорода происходит окисление поверхности эпитаксиального слоя с образованием соответствующих оксидов. Затем под действием молочной кислоты образованные оксиды растворяются. Чистота (марка) применяемых компонентов, используемых при изготовлении селективного травителя, определяется требованиями конкретного технологического процесса производства изделий микроэлектроники. 14849 1 2011.10.30 Выбранный состав травителя...

Раствор для активации поверхности фторсодержащих полимеров

Загрузка...

Номер патента: 12666

Опубликовано: 30.12.2009

Автор: Новиков Владимир Прокофьевич

МПК: C09K 13/00, C08J 7/00

Метки: поверхности, полимеров, раствор, фторсодержащих, активации

Текст:

...является создание раствора для активации поверхности фторсодержащих полимеров, обеспечивающего высокую адгезию поверхности активированного полимера к металлам. Поставленная задача достигается за счет того, что раствор для активации поверхности фторсодержащих полимеров содержит щелочной металл и аммиак. Новым, по мнению авторов, является то, что раствор содержит щелочной металл в концентрации 0,5 моль/литр и дополнительно содержит ацетилид...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: пластины, поверхности, химической, ph больше 7, качества, контроля, очистки, способ, кремниевой, растворе, полупроводниковой

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...