Бушинский Максим Владиславович

Пьезоэлектрический материал на основе оксида висмута

Загрузка...

Номер патента: 15329

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Бушинский Максим Владиславович

МПК: C04B 35/26, C01G 29/00, C30B 29/22...

Метки: материал, висмута, пьезоэлектрический, основе, оксида

Текст:

...параметр 33 измерялся методом пьезосиловой микроскопии). На фиг. 2 представлены результаты измерения при комнатной температуре линейного пьезоэлектрического коэффициента 33 состава 0,860,140,103,отожженного при 250 С в течение 30 мин. Сущность изобретения заключается в том, что в пьезоэлектрическом материале на основе феррита висмута при частичном замещении трехвалентных ионов висмута двухвалентными ионами кальция возникают...

Способ получения каталитического материала

Загрузка...

Номер патента: 14038

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Чобот Анна Николаевна, Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: B01J 23/76, C04B 35/26

Метки: материала, получения, каталитического, способ

Текст:

...двигателях. Поставленная задача решается способом получения каталитического материала, состоящего из приготовления исходной шихты и обжига ее до получения сложного металлооксида со структурой перовскита. Новым, по мнению авторов, является то, что исходную шихту готовят из 611,3, 23 и 23, полученный после обжига сложный металлооксид восстанавливают в присутствии металлического тантала, вторично обжигают при 745-755 С и охлаждают со...

Магнитоэлектрический материал

Загрузка...

Номер патента: 12053

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: C04B 35/26, C04B 35/462

Метки: материал, магнитоэлектрический

Текст:

...задача решается путем получения магнитоэлектрического материала,содержащего , , О и имеющего орторомбически искаженную кристаллическую решетку. Новым, по мнению авторов, является то, что он дополнительно содержит Са ив соотношении, соответствующем химической формуле (1-)33, где 0,2 х 0,4. Сущность изобретения заключается в том, что в магнитоэлектрическом материале на основе феррита висмута введение катионов Са 3 в узлы 3,4 в позиции 3...

Способ получения магниторезистивного материала на основе манганита лантана с температурой Кюри выше комнатной

Загрузка...

Номер патента: 10361

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Бушинский Максим Владиславович

МПК: C01F 17/00, C04B 35/50, C01G 45/00...

Метки: основе, манганита, комнатной, материала, получения, магниторезистивного, температурой, лантана, выше, способ, кюри

Текст:

...формулой(или Са, , , у 2-3,5), в котором КМС может достигать 200(абсолютная величина) при комнатной температуре в поле 6 Т, если тонкую пленку нагреть в окислительной атмосфере, обычно потоке кислорода. Температура термообработки 300850 С, длительность - 10-12 минут 3. Пленка обычно создается на подложке или держателе с буферным слоем. Материалами подложки могут служить , 3 и 3. По своей сущности этот способ наиболее близок к...