Белоус Анатолий Иванович

Способ формирования геттерного слоя в пластине кремния

Загрузка...

Номер патента: 18107

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Садовский Павел Кириллович, Оджаев Владимир Борисович, Белоус Анатолий Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Васильев Юрий Борисович, Челядинский Алексей Романович

МПК: H01L 21/322

Метки: слоя, геттерного, формирования, способ, пластине, кремния

Текст:

...транзистора от тока коллектора. Для формирования геттерного слоя пластины кремния -типа с удельным сопротивлением 10 Омсм имплантировались в нерабочую сторону ионамис энергией 60 кэВ и дозой 21015 см-2. После имплантации проводилась термообработка при температуре 850 С в течение 30 мин для электрической активации внедренной примеси. Измерения показали,что степень электрической активации сурьмы после отжига составила 21(слоевая...

Способ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15294

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: 111, ориентации, кремниевой, эпитаксиальной, способ, структуры, изготовления

Текст:

...частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 14911

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, способ, ориентации, эпитаксиальных, кремниевых, структур, изготовления

Текст:

...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...

Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию

Загрузка...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович, Колос Светлана Валентиновна

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: материал, тонкопленочного, контакта, кремнию, омического

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Устройство для получения количественных характеристик дефектов поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 13857

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: количественных, поверхности, устройство, характеристик, дефектов, изделий, получения

Текст:

...содержащее точечный источник оптического излучения, держатель изделий и экран, содержит расположенную между источником излучения и держателем изделий координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 13856

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: качества, способ, контроля, поверхности, изделий

Текст:

...в качестве координатной сетки. Формирование координатной сетки более дешевыми способами, например трафаретной печатью, как правило, повреждает поверхность полупроводниковых пластин. Поэтому их использование также ограничено. Таким образом, недостатки прототипа связаны с высокой трудоемкостью контроля,обусловленной как большим количеством технологических операций по приготовлению образцов для контроля, так и сложностью этих операций....

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: U 5480

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: поверхности, изделий, контроля, устройство, качества

Текст:

...источник оптического излучения, держатель образцов и экран, дополнительно содержит расположенную между источником излучения и держателем образцов координатную сетку, а также тем, что в качестве координатной сетки используют фотошаблон топологических структур полупроводниковых приборов. Сущность заявляемого технического решения заключается в формировании на контролируемой поверхности светотеневой координатной сетки, искажение изображения...

Электростатический микроактюатор

Загрузка...

Номер патента: 11976

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Котова Инна Федоровна, Мухуров Николай Иванович, Ефремов Георгий Игнатьевич

МПК: H01H 59/00

Метки: электростатический, микроактюатор

Текст:

...подложка выполнена плоской и с прямоугольным подвижным элементом, выполненным посредством сквозных пазов, соотношение коротких и длинных сторон которого составляет 1(1020), соединенным серединами коротких сторон с подложкой посредством Г-образных опор, расположенных симметрично относительно короткой оси симметрии подвижного элемента, при этом подложка выполнена с четырьмя симметричными выступами, направленными к длинным сторонам...

Способ получения визуальной картины распределения напряженности постоянного магнитного поля

Загрузка...

Номер патента: 11502

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01R 33/02

Метки: картины, способ, постоянного, поля, визуальной, напряженности, получения, распределения, магнитного

Текст:

...расчета муаровых картин в настоящее время развиты достаточно хорошо 7,8, а положение цветовых линий и пятен на экране кинескопа можно легко определить путем прямого измерения, что позволяет проводить не только качественный, но и количественный контроль. В связи с этим остановимся на факторах, которые необходимо учитывать при расчетах количественных характеристик магнитных полей. На основании анализа муаровой картины рассчитывается...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52, H01L 23/48...

Метки: полупроводниковых, изготовления, системы, приборов, способ, кремниевых, металлизации

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Способ контроля механических напряжений в кремниевой структуре пленка SiO2–подложка Si

Загрузка...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: напряжений, кремниевой, механических, способ, структуре, контроля, пленка sio2–подложка si

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Способ контроля качества поверхности изделия

Загрузка...

Номер патента: 10214

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: качества, поверхности, изделия, контроля, способ

Текст:

...областью в виде квадратного фрагмента размером . Фактический диаметр изображения всей поверхности пластины составляет 200 мм (1000 мм, т.е./2), фактический размер изображения фрагмента, т.е.40 мм (примечание в данном случае при печати все размеры несколько уменьшены). На фиг. 3 приведен упомянутый выделенный фрагмент изображения поверхности пластины с разделением его на четыре равных элемента размером , с усреднением яркости изображения...

Способ контроля качества поверхности изделия

Загрузка...

Номер патента: 10213

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88, G01B 11/30...

Метки: способ, изделия, качества, контроля, поверхности

Текст:

...таких поверхностей лучшую планаризацию. Материалы разных слоев покрытия также могут быть разными. Шероховатость поверхностей, используемых в изделиях микроэлектроники, оптики,точного машиностроения и др. областей науки и техники, где наличие дефектов поверхности является одним из показателей ее качества, соответствует преимущественно 6-14 классам. Поверхности 13-го и 14-го класса шероховатости являются зеркальными. Для контроля их качества...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 9545

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: поверхности, качества, способ, контроля, изделий

Текст:

...оптического диапазона от точечного источника и анализ отраженного на экран светотеневого изображения 4.При Контроле поверхности согласно способу-прототипу свет от точечного источника направляют на контролируемую поверхность, а отраженный световой поток - на экран. Наличие дефектов поверхности приводит К локальному изменению угла отражения падающего света, что проявляется в изменении интенсивности освещения соответствующих этим дефектам...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 9319

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, G01B 9/00...

Метки: изделий, поверхности, качества, контроля, устройство

Текст:

...Направление отраженного света обусловлено всевозможной пространственной ориентацией граней, приводя к диффузному отражению, т.е. рассеянию света. При больщих углах падения света часть граней неровностей попадает в область тени соседних неровностей поверхности.При этом освещается только часть граней неровностей поверхности, находящаяся вне тени И обращенная К источнику света. При дальнейшем увеличении угла падения света освещается все...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 9318

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: изделий, качества, поверхности, контроля, способ

Текст:

...размер проекции микронеровностей на волновой фронтисточника излучения уменьшается пропорционально косинусу угла падения. При некотором достаточно большом угле этот размер становится меньше четверти длины волны, что приводит К возникновению зеркальной Компоненты в отраженном световом потоке.Совокупность рассмотренных факторов позволяет получить псевдозеркальную компоненту отраженного света, обеспечивающую формирование изображения контролируемой...

Полупроводниковый выпрямитель

Загрузка...

Номер патента: 8982

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Залесский Валерий Борисович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 29/74, H01L 25/03

Метки: полупроводниковый, выпрямитель

Текст:

...электродов, образующих омические Контакты к этим областям, по меньшей мере, два металлических электрода к локальным областям противоположного подложке типа проводимости частично расположены на сформированном между локальными областями диэлектрическом слое таким образом, что распространяются до границ смежных локальных областей противоположного подложке типа проводимости, электродь 1 к которым соединены вместе, а область того же типа...

Способ нанесения полипиромеллитимидной пленки на полупроводниковую структуру

Загрузка...

Номер патента: 8979

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28, H01L 21/31

Метки: нанесения, полипиромеллитимидной, пленки, полупроводниковую, структуру, способ

Текст:

...положительную роль. Однако химическое взаимодействие ПАК с алюминием заметно сильнее,протекает при более низкой температуре и оксид в данном случае играет отрицательнуюроль. Кроме того, он проявляет основные свойства И при температуре выше 400 С, используемой для рекристаллизации металлических пленок и формирования контактов межсоединений, разрушает полиимид в области контакта (на границе раздела), вступая с ним в химическую реакцию....

Буферное устройство с функцией повторения и тремя состояниями выхода

Загрузка...

Номер патента: 8720

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Прибыльский Александр Васильевич, Силин Анатолий Васильевич

МПК: H03K 19/088

Метки: состояниями, функцией, повторения, буферное, выхода, тремя, устройство

Текст:

...прохождение сигнала через элемент 17.При подаче на управляющий вход 14 сигнала низкого уровня, а на управляющий вход 8 сигнала высокого уровм 55 НЯ В ЗЗКРЫТОЕ СОСТОЯНИЕ ПЕРЕХОДЯТ транзистор 8 (через пиоп 13), транЭИСТОРЫ 1 оъ 2 (через элемент задерж 35на базе транзистора 1ки 21), транзистор 5 (через транзистор 6). При этом выходные транзисторы 10 н 5 не отдают и не принимают ток,т.е. устройство находитсяв высоком импедансном третьем...

Способ контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 8716

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66, G01B 11/30...

Метки: контроля, поверхности, изделий, качества, способ

Текст:

...несовершенства поверхности, являющиеся важным показателем качества контролируемых поверхностей. Они приводят к диффузному рассеянию света и не могут быть идентифицированы.В результате при использовании способа-прототипа контроль качества поверхности в ряде случаев оказывается недостаточно объективным. Причиной этого является недостаточно высокое качество получаемой светотеневой Картины, обусловленное наложением зеркально и диффузно...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 8675

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Александр Сергеевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: изделий, качества, контроля, поверхности, устройство

Текст:

...возможностей устройства за счет пространственного разделения оптических компонент, формирующих изображение контролируемой поверхности.Поставленная задача решается тем, что устройство для контроля качества поверхности изделий, включающее точечный источник оптического излучения, держатель образцов И экран, между источником Излучения И держателем образцов содержит подвижный трафарет, отверстие в котором обеспечивает освещение...

Алмазный круг с внутренней режущей кромкой для резки монокристаллов кубической сингонии на пластины

Загрузка...

Номер патента: 8715

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: B24D 5/12, B24D 3/00

Метки: круг, резки, режущей, сингонии, пластины, кромкой, внутренней, алмазный, монокристаллов, кубической

Текст:

...слоя.Придание наклона торцу режущей кромки Круга приводит К появлению устойчивой осевой силы, направленной в сторону острого угла Кромки. Если острый угол кромки примыкает К торцу остающейся части слитка, эта сила прижимает режущий круг К остающейся части слитка и препятствует отклонению инструмента от плоскости реза в сторону отрезаемой пластины. ОтКлонению Круга от плоскости реза в сторону остающейся части слитка препятствует высокая...

Способ резки слитков кремния на пластины

Загрузка...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/304, B28D 5/02...

Метки: пластины, слитков, кремния, резки, способ

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 7946

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/304, H01L 21/302...

Метки: пластин, полупроводниковых, способ, кремния, изготовления

Текст:

...части слитка. В областях пересечения основных плоскостей скольжения по мере увеличения плотности дислокаций формируются микротрещины, обусловливающие стружкообразование и микроскалывание фрагментов кремния в процессе резания. Смещение области пересечения основных плоскостей скольжения в сторону остающейся части слитка увеличивает глубину нарушенного слоя в торце слитка. В результате это приводит к тому, что глубина нарушенного слоя на...

Способ измерения напряженности магнитного поля магниторезистивным датчиком

Загрузка...

Номер патента: 7944

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Лукашевич Михаил Григорьевич, Лукашевич Сергей Михайлович

МПК: G01R 33/09

Метки: магниторезистивным, напряженности, измерения, способ, поля, магнитного, датчиком

Текст:

...полей в узких зазорах. Задачей предлагаемого способа является расширение температурного диапазона измерения напряженности магнитного поля магниторезистивным датчиком, в котором величина поля определяется по градуировочному графику суммы относительного уменьшения и увеличения сопротивления датчика магнитным полем, а также упрощение способа путем исключения операции вращения датчика в магнитном поле. Решение поставленной задачи...

Способ изготовления системы металлизации интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 7756

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C23C 14/00, H01L 21/02, H01L 21/28...

Метки: изготовления, системы, схем, металлизации, способ, интегральных

Текст:

...процесс проводят после УФ-облучения фоторезиста в 0,9 растворе гидрооксида калия, применяемом для проявления фоторезиста. При этом по окончании удаления фоторезиста происходит контакт поверхности полиимидной пленки с раствором щелочи и протекает первая стадия гидролиза. Химическая реакция взаимодействия гидрооксида калия и полиимида представлена ниже Наличие на поверхности полиимидной пленки солей полиамидокислоты отрицательно...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: 7255

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич

МПК: H01L 21/66, G01B 11/30

Метки: контроля, устройство, качества, изделий, поверхности

Текст:

...приведенной на фиг. 3, показано заявляемое устройство, включающее точечный источник света, помещенный в корпус 1, внутри которого установлено выпуклое зеркало. Источник света питается от блока питания 2, установленного вне рабочей зоны контроля. Свет от точечного источника после отражения от выпуклого зеркала попадает на предметный столик 3 с установленной на нем контролируемой пластиной. Отраженный пучок света направляется на экран...

Травитель для анизотропного травления кремния ориентации (100)

Загрузка...

Номер патента: 7368

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/308

Метки: ориентации, травления, травитель, кремния, 100, анизотропного

Текст:

...температуре. Процесс травления при этом растягивается во времени. А при концентрации более 10 , например 15 , заметно повышается скорость травления маскирующего оксида кремния, что приводит к ухудшению качества травления. Глицерин является пассивным компонентом травителя и не оказывает существенного влияния на скорость или направление химической реакции травления кремния. Его роль заключается в том, что он является средой, в которой...

Магнитометр

Загрузка...

Номер патента: U 1205

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Лукашевич Сергей Михайлович, Лукашевич Михаил Григорьевич, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01R 33/00

Метки: магнитометр

Текст:

...любых дестабилизирующих факторов на измеряемую величину магнитного поля, а также расширение температурного диапазона измерения магнитного поля до комнатных температур. Решение поставленной задачи достигается тем, что в магнитометре, содержащем магниторезистивный датчик магнитного поля, источник питания, коммутатор, суммирующий блок и блок регистрации, подключенные к общей шине, один из входов коммутатора подключен к источнику питания, а выход...

Полупроводниковая кремниевая пластина

Загрузка...

Номер патента: U 1188

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, полупроводниковая, пластина

Текст:

...10 1 или 01 1 , являющихся наиболее выгодными направлениями с точки зрения хрупкого разрушения кремния. Каждому из этих направлений абразивного воздействия соответствуют два возможных перпендикулярных им и взаимно противоположных направления подачи инструмента. В связи с тем, что три направления абразивного воздействия абсолютно идентичны, рассмотрим одно из них, а именно направление 1 1 0. При абразивном воздействии в направлении 1 1 0...

Устройство для контроля качества поверхности изделий

Загрузка...

Номер патента: U 1157

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Сенько Александр Сергеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01B 9/00

Метки: контроля, поверхности, изделий, устройство, качества

Текст:

...изображение наблюдаемой светотеневой картины. Программное обеспечение и стандартная комплектация цифровых фотоаппаратов позволяют тут же ввести изображение в компьютер. Далее следует компьютерная диагностика полученных изображений с помощью специально разработанной программы анализа изображений. Ее суть заключается в измерении яркости каждой точки изображения путем присвоения номера ее цвета в серой цветовой палитре. На основании проведенных...

Способ отбраковки микросхем

Загрузка...

Номер патента: 4524

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Попов Юрий Петрович, Белоус Анатолий Иванович, Бакуменко Валерий Иванович

МПК: G01R 31/28

Метки: способ, микросхем, отбраковки

Текст:

...управляющий сигнал для источника питания 5, под которого источник 5 плавно изменяет напряжение питания МСв сторону уменьшения, за пределы установленного в технических условиях рабочего диапазона. При этом устройство управления 4 фиксирует первое значение напряжения питания 1, при котором имеет место первое несовпадение считанной информации с эталоном. Номер отказавшей тестовой последовательности (далее - теста) не запоминается. Далее...

Способ определения размеров микрочастиц

Загрузка...

Номер патента: 2930

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Тукач Екатерина Марковна, Чехович Евгений Казимирович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01N 15/00

Метки: способ, размеров, микрочастиц, определения

Текст:

...пропускающее отверстие, выделяют приграничное к центральной зоне сечение и осуществляют фотоэлектрическое преобразование выделенного светового потока фотоприемником ФП 2. В связи с тем, что частицы имеют разные траектории, они освещаются световым потоком разной интенсивности, и поэтому от частиц одинакового размера формируются сигналы, имеющие разную амплитуду. Интенсивность потока ближе к центру перетяжки распределена более равномерно....

Лавинный фотоприемник

Загрузка...

Номер патента: 2929

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник, лавинный

Текст:

...следующим образом. В кремниевой пластине -типа проводимости с удельным сопротивлением 20 Омсм формировался защитный слой 0,3 мкм и методами оптической литографии- топологический рисунок слоев 2 и 3, обеспечивающий равноудаленность границ слоев 2 и 3. Затем проводилось локальное травление окисного слоя, снятие фоторезиста, повторная фотолитография со вскрытием окон только под слой 2 и ионная имплантация бора во вскрытые окна. При...

Интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: 2817

Опубликовано: 30.06.1999

Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Пономарь Владимир Николаевич, Кавриго Николай Федорович

МПК: H01L 23/053

Метки: схема, интегральная

Текст:

...Коэффициент теплового расширения материала прокладки 7 превышает коэффициент теплового расширения кристалла 3 не более, чем на 20 . Прокладка 7 (фиг. 2) выполнена в форме прямоугольной пластины, и содержит сквозные отверстия 8 переменного сечения, расположенные большим сечением в сторону основания 1, центры которых отстоят друг от друга на расстоянии а (фиг. 2) вдоль сторон прокладки, где а 1,0-1,2 мм,2 диаметр большего сечения отверстия 8...

Многоколлекторный инжекционный вентиль

Загрузка...

Номер патента: 2338

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Ким Владимир Анатольевич, Долгий Николай Андреевич

МПК: H01L 27/04

Метки: вентиль, многоколлекторный, инжекционный

Текст:

...Естест ванне, что скорость процесса Расса сывания определяется величиной базот вого тока и условиями его подвода К областям накопленного заряда.Орнентапя коллекторнк Областей в соответствии с Указанной является прннниально важным моментом для достиения цели. Это объясняется тем, что длина, а соответственно и сопротивление участков пассивной азы между коллекторной н нзопИРУ-определяетсядлиной стороны прямо УГОЛЬНОГО КОЛЛЕКТОРЗ,...

Устройство согласования

Загрузка...

Номер патента: 2096

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Силин Анатолий Васильевич, Попов Юрий Петрович, Горовой Владимир Владимирович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H03K 19/088

Метки: согласования, устройство

Текст:

...диод 15, вкпюченны 45 в направлен к входу 2 устройства. Устройство согласования работает.-Пусть в исходном состоянии на вкод 2 устройства поданннэкий уровень напряжения и устройство находится в зад крытом состоянии. При подаче на вход 2 напряжения высокого уровня величи на напряжения набазе транзистора 1(3 итторе транзистора 12) и базе транзистора 12 повьшается и по достижении величин, равной 21 Е, начинается процесс их одновременногоотпира...

RS-триггер

Загрузка...

Номер патента: 2093

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Горовой Владимир Владимирович, Белоус Анатолий Иванович, Силин Анатолий Васильевич

МПК: H03K 3/286

Метки: rs-триггер

Текст:

...17, можно обеспечить требуемую высокую НЕТРУаочную способность триггера, не изменяя мощности потребления и нагрузочной способности собственно бистабильной ячейки хранения на транзисторахПри переходе триггера в режим хранения и подаче на вход 13 высокого уровнянапрядения диод 11 закрывается и ток, протекающий через резисторы 7 и 20, попадает в базу транзистора 8 через открытый транзистор А,напряжение на коллекторе которогок 4 кэнч Пвэз...

Интегральная схема

Загрузка...

Номер патента: 2092

Опубликовано: 30.03.1998

Авторы: Горовой Владимир Владимирович, Силин Анатолий Васильевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 27/08

Метки: интегральная, схема

Текст:

...аналогично известному решению резистором 4 и уменьшается до значения 7Чае - прямое падение напряжения перехода база-эмиттер транзистора 1.Таки образом, при подаче на управляющий вход 3 генератора 2 тока высокого уровня сигнала на его выходе 7 появляется имульс тока повышенной величинывтехающий в базы переклчатепьиого транзистора 1 и обеспе чиваюци его форсированое отпираниеи уменьшение времени задержки вклш-2 чения. При подаче на вход 3...

Устройство памяти

Загрузка...

Номер патента: 1916

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Горовой Владимир Владимирович, Силин Анатолий Васильевич, Чернуха Борис Николаевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H03K 3/286

Метки: устройство, памяти

Текст:

...транзисторов 5, 8, диодов 21, 22, входов 6, 9, начинают разряжаться через резисторы 10 и 7. Однако, поскольку транзистор 11 открыт, паразитная емкость в коллекторе транзистора 8 разряжается через резистор 10, диод 13, транзистор 11,диод 17, что обуславливает при этом закрытое состояние транзистора 5. Закрытый транзистор 12 приодит к тому, что емкость в коллекторе транзистора 5 разряжается через переход базаэмиттер транзистора 8 и откры...