Баранов Валентин Владимирович

Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Беляева Ада Казимировна, Рябцев Геннадий Иванович, Паращук Валентин Владимирович, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02, H01S 3/04...

Метки: изготовления, алмазного, структур, основания, способ, диодных, лазерных, теплоотводящего

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Сякерский Валентин Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 49/02, H01L 29/00

Метки: интегральной, резистор, кремниевой, микросхемы, интегральный, тонкопленочный

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Способ нанесения пленки молибдена на полупроводниковые подложки

Загрузка...

Номер патента: 9957

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Портнов Лев Яковлевич, Баранов Валентин Владимирович

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35

Метки: полупроводниковые, способ, подложки, молибдена, пленки, нанесения

Текст:

...подложке и ухудшению стабильности ее структуры и воспроизводимости электрофизических свойств, снижению выхода годных ИСМЭ. Мощность магнетронного разряда однозначно определяет скорость нанесения пленки,а, следовательно, ее структуру и электрофизические свойства. При мощности распыления менее 0,7 кВт наблюдается увеличение растягивающих механических напряжений, что приводит к ухудшению адгезии пленок, а, следовательно, стабильности их...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Баранов Валентин Владимирович, Тарасиков Михаил Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Электрический излучательный обогреватель

Загрузка...

Номер патента: 8310

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Бурский Вячеслав Александрович, Тхостов Михаил Хаджи-Муратович, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H05B 3/40, F24C 7/04

Метки: обогреватель, излучательный, электрический

Текст:

...С, что соответствует достаточно жестким нормам для строительных конструкций. Этому также способствует контакт элементов крепления с излучательным элементом в местах, затененных от ИК излучения, что исключает непосредственную передачу через них тепла теплоизолирующему элементу. На фигуре показана принципиальная схема предлагаемого устройства. Электрический обогреватель содержит кварцевые галогенные лампы ИК излучения 1,рефлектор 2 и...

Нагревательная плита с адаптированной ёмкостью

Загрузка...

Номер патента: 8309

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Бурский Вячеслав Александрович, Достанко Анатолий Павлович, Баранов Валентин Владимирович, Тхостов Михаил Хаджи-Муратович

МПК: A47J 36/00, F24C 15/10

Метки: нагревательная, плита, адаптированной, ёмкостью

Текст:

...(Лучистый поток). 90 мощности излучения передается в спектральной области 0,95-1,2 мкм. Часть лучистого потока (приблизительно 1/2) попадает на корпус нагревателя с отражающим покрытием и 80 его отражается от его поверхности. Некоторая часть этого лучистого потока переотражается ограничителями зоны активного нагрева в направлении отражающего покрытия корпуса и вновь направляется на пластину. Т.е.36-40 энергии отраженного лучистого потока...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Баранов Валентин Владимирович

МПК: H01L 29/47, H01L 29/872

Метки: диод, шоттки

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...

Устройство контроля механических напряжений

Загрузка...

Номер патента: U 1207

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Зубцов Владимир Иванович

МПК: G01L 1/16

Метки: напряжений, устройство, контроля, механических

Текст:

...чему, по принципу суперпозиции волн, результирующая амплитуды упругих механических колебаний в пьезоэлементе равна сумме амплитуд колебаний, образованных обратным пьезоэффектом в результате подвода возбуждающего напряжения к кольцевой контактной площадке и прямым пьезоэффектом в результате действия измеряемых механических напряжений. Выходной сигнал, полученный под действием результирующей (суммарной) амплитуды механических колебаний...