B28D 5/00 — Тонкая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов; устройства для этого
Установка для обработки кристалла алмаза
Номер патента: 17358
Опубликовано: 30.08.2013
Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич, Качан Егор Олегович, Ямная Дарья Андреевна
МПК: B28D 5/00
Метки: обработки, установка, алмаза, кристалла
Текст:
...с помощью качающего рычага. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной через упругую прокладку. Предлагаемая конструкция установки для обработки кристаллов алмаза обеспечивает смещение центра масс противовеса выше оси качания стрелы при ее рабочем положении. Поэтому действующие на противовес инерционные силы, создаваемые вдоль горизонтали с помощью источника...
Установка для обработки кристалла алмаза
Номер патента: 17134
Опубликовано: 30.06.2013
Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Ямная Дарья Андреевна, Киселев Михаил Григорьевич, Новиков Александр Анатольевич
МПК: B28D 5/00
Метки: обработки, алмаза, установка, кристалла
Текст:
...вибрационных колебаний, задняя пара стоек связана со станиной через элемент переменной жесткости в виде двух плоских пружин, взаимодействующий с источником вибрационных колебаний, установленным на станине. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной. Применение упругого подвеса стрелы, установленной в задней паре стоек, позволяет изменить направление...
Способ разделения резкой кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений
Номер патента: 16483
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Никитюк Юрий Валерьевич, Шолох Владимир Федорович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Сердюков Анатолий Николаевич
МПК: B28D 5/00, C03B 33/09, C03B 33/02...
Метки: резкой, разделения, кремния, термоупругих, напряжений, способ, действием, кристаллического
Текст:
...перемещении лазерного пучка и кремния и локальное охлаждение зоны нагрева хладагентом,перед выбором интенсивности нагрева определяют значение модуля Юнга , ГПа, в 2 16483 1 2012.10.30 направлении, перпендикулярном плоскости разделения, интенсивность нагрева выбирают пропорционально модулю Юнга , ГПа, в направлении, перпендикулярном плоскости разделения, причем соотношение скорости относительного перемещения лазерного пучка и кремния , м/с, и...
Способ разделения резкой кристаллического кварца под действием термоупругих напряжений
Номер патента: 16478
Опубликовано: 30.10.2012
Авторы: Никитюк Юрий Валерьевич, Соколов Сергей Иванович, Шолох Владимир Федорович, Шершнев Евгений Борисович
МПК: C03B 33/09, C03B 33/02, B28D 5/00...
Метки: действием, кварца, резкой, напряжений, термоупругих, кристаллического, способ, разделения
Текст:
...параметров лазерного термораскалывания и не позволяет осуществлять высококачественную резку пластин из кристаллического кварца. Техническая задача, решаемая заявляемым изобретением, заключается в повышении качества резки пластин из кристаллического кварца за счет правильного определения технологических параметров лазерного термораскалывания в различных направлениях, обусловленного корректным учетом влияния анизотропии...
Установка для распиливания кристалла алмаза
Номер патента: 13967
Опубликовано: 28.02.2011
Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Лётыч Вера Андреевна, Киселев Михаил Григорьевич
МПК: B28D 5/00
Метки: алмаза, распиливания, установка, кристалла
Текст:
...условия качения с проскальзыванием. Кроме того, такая конструкция уменьшает возможность разбрызгивания абразив 2 13967 1 2011.02.28 ной суспензии в процессе распиливания, что также увеличивает вероятность попадания алмазных зерен из суспензии на торцевую поверхность режущего инструмента и способствует повышению производительности распиливания кристалла алмаза. Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена горизонтальная...
Корпусной алмазосодержащий диск для разделения полупроводниковых пластин
Номер патента: U 6787
Опубликовано: 30.12.2010
Авторы: Васильев Валерий Лукич, Ковальчук Геннадий Филиппович, Гаевская Татьяна Васильевна, Гайдук Илья Леонидович, Цыбульская Людмила Сергеевна
МПК: H01L 21/02, B28D 5/00
Метки: корпусной, полупроводниковых, алмазосодержащий, диск, пластин, разделения
Текст:
...форму корпуса у основания лезвия (фиг. 1). Недостатком такой конструкции режущего диска является то, что в процессе разделения полупроводниковой пластины по ее периферийной части накапливаются осколки малого размера, которые под воздействием сил резания повреждают планарную сторону кристаллов, что приводит к уменьшению выхода годных, к снижению стойкости алмазного режущего диска, вплоть до поломки лезвия. Задачей, на решение которой...
Установка для обработки кристаллов алмаза
Номер патента: 13372
Опубликовано: 30.06.2010
Авторы: Колесников Василий Сергеевич, Корзун Павел Олегович, Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович
МПК: B28D 5/00
Метки: кристаллов, обработки, установка, алмаза
Текст:
...элемента с переменной жесткостью, а также за счет варьирования массами составных частей стрелы можно дополнительно расширить диапазон подаваемых в зону обработки колебаний. Такое более гибкое регулирование позволяет уменьшить вероятность сколов на заключительном этапе распиловки. Кроме того, такая конструкция позволяет реализовать резонансный режим работы системы стрела-заготовка-распиловочный диск, который характеризуется увеличенной...
Алмазосодержащее корпусное устройство для резки полупроводниковых пластин
Номер патента: 12211
Опубликовано: 30.08.2009
Авторы: Ковальчук Геннадий Филиппович, Цыбульская Людмила Сергеевна, Васильев Валерий Лукич, Гайдук Илья Леонидович, Гаевская Татьяна Васильевна, Антипов Михаил Николаевич
МПК: H01L 21/02, B28D 5/00
Метки: резки, устройство, полупроводниковых, корпусное, алмазосодержащее, пластин
Текст:
...С и катодной плотности тока 2,0-3,0 А/дм 2 (фигура). Изготовление алмазосодержащего устройства для резки полупроводниковых пластин из кремния и материалов группы А 3 В 5 по данному изобретению включает следующие операции изготовление корпуса из сплава алюминия Д 16 электрохимическое осаждение тонкого слоя меди для обеспечения хорошего качества сцепления последующих нанесенных алмазосодержащих слоев электрохимическое осаждение внешнего...
Установка для распиливания кристалла алмаза
Номер патента: 10925
Опубликовано: 30.08.2008
Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич
МПК: B28D 5/00
Метки: распиливания, кристалла, алмаза, установка
Текст:
...подачи абразивной суспензии на рабочую поверхность ультразвукового преобразователя, который закреплен на станине с возможностью контакта его рабочей поверхности с торцевой поверхностью режущего инструмента и внедрения абразивной суспензии в материал режущего инструмента. Такая конструкция позволяет повысить степень шаржирования торцевой поверхности режущего инструмента при его контакте с колеблющейся поверхностью ультразвукового...
Установка для обработки кристаллов алмаза
Номер патента: 8617
Опубликовано: 30.10.2006
Авторы: Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич
МПК: B28D 5/00
Метки: обработки, кристаллов, алмаза, установка
Текст:
...шайба для возбуждения вибрационных колебаний. Кроме того, электродвигатель постоянного тока снабжен механизмом изменения его положения относительно стрелы. Такая конструкция позволяет ввести колебания в зону распиливания, что способствует повышению производительности и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения...
Установка для обработки кристаллов алмаза
Номер патента: 8393
Опубликовано: 30.08.2006
Авторы: Зайцев Валентин Алексеевич, Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович, Старовойтов Александр Семенович
МПК: B28D 5/00
Метки: обработки, установка, алмаза, кристаллов
Текст:
...и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения вызывают перемещение стрелы, а вместе с ней и распиливаемого кристалла в радиальном направлении распиловочного диска, а это, в свою очередь, способствует более интенсивному съему обрабатываемого материала за счет активизации алмазных зерен, закрепленных в распиловочном диске....
Способ лазерной обработки кристаллических сверхтвердых материалов
Номер патента: 5706
Опубликовано: 30.12.2003
Авторы: Зайцев Валентин Алексеевич, Шершнев Евгений Борисович, Макеев Владимир Васильевич, Драенков Юрий Александрович, Старовойтов Александр Семенович, Ретюхин Георгий Евгеньевич
МПК: B28D 5/00
Метки: сверхтвердых, способ, кристаллических, лазерной, обработки, материалов
Текст:
...обработка последующими наборами вложенных в ширину реза и сдвинутых на одинаковое расстояние ходов со смещением фокуса лазерного луча вглубь заготовки на толщину удаленного слоя материала до тех пор, пока не произойдет полное удаление материала из зоны реза. При этом воздействие лазерным излучением осуществляют при расположении фокуса излучения на обрабатываемой поверхности заготовки. Поверхность материала в области расположения...
Устройство для обработки кристаллов алмаза
Номер патента: 1447
Опубликовано: 16.12.1996
Авторы: Галенюк Галина Анатольевна, Киселев Михаил Григорьевич, Минченя Владимир Тимофеевич
Метки: кристаллов, обработки, алмаза, устройство
Текст:
...кристалла, ультразвуковой преобразователь,винт, установленный на опоре и связанной со стрелой, шарнирно закрепленной на стойке,ультразвуковой преобразователь расположенный соосно с винтом, при этом винт снабжен механизмом противодействия самоотвинчива нию, а оправки для крепления кристалла смонтированы в стреле. Опора выполнена из неметаллического упругого материала с акустическими свойствами, близкими к свойствам волновода ультразвукового...