B28D 5/00 — Тонкая обработка драгоценных камней, камней для часовых механизмов, кристаллов, например полупроводниковых материалов; устройства для этого

Установка для обработки кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 17358

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Качан Егор Олегович, Киселев Михаил Григорьевич, Ямная Дарья Андреевна, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: кристалла, установка, алмаза, обработки

Текст:

...с помощью качающего рычага. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной через упругую прокладку. Предлагаемая конструкция установки для обработки кристаллов алмаза обеспечивает смещение центра масс противовеса выше оси качания стрелы при ее рабочем положении. Поэтому действующие на противовес инерционные силы, создаваемые вдоль горизонтали с помощью источника...

Установка для обработки кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 17134

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ямная Дарья Андреевна, Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич, Новиков Александр Анатольевич

МПК: B28D 5/00

Метки: кристалла, алмаза, обработки, установка

Текст:

...вибрационных колебаний, задняя пара стоек связана со станиной через элемент переменной жесткости в виде двух плоских пружин, взаимодействующий с источником вибрационных колебаний, установленным на станине. Кроме того, на конце регулировочного винта установлена вилка, в проушине которой смонтирован ролик, контактирующий со станиной. Применение упругого подвеса стрелы, установленной в задней паре стоек, позволяет изменить направление...

Способ разделения резкой кристаллического кремния под действием термоупругих напряжений

Загрузка...

Номер патента: 16483

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Сердюков Анатолий Николаевич, Шолох Владимир Федорович, Шалупаев Сергей Викентьевич, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C03B 33/09, C03B 33/02, B28D 5/00...

Метки: способ, напряжений, резкой, термоупругих, кристаллического, разделения, действием, кремния

Текст:

...перемещении лазерного пучка и кремния и локальное охлаждение зоны нагрева хладагентом,перед выбором интенсивности нагрева определяют значение модуля Юнга , ГПа, в 2 16483 1 2012.10.30 направлении, перпендикулярном плоскости разделения, интенсивность нагрева выбирают пропорционально модулю Юнга , ГПа, в направлении, перпендикулярном плоскости разделения, причем соотношение скорости относительного перемещения лазерного пучка и кремния , м/с, и...

Способ разделения резкой кристаллического кварца под действием термоупругих напряжений

Загрузка...

Номер патента: 16478

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Шершнев Евгений Борисович, Соколов Сергей Иванович, Шолох Владимир Федорович, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C03B 33/02, C03B 33/09, B28D 5/00...

Метки: способ, кристаллического, напряжений, кварца, резкой, разделения, действием, термоупругих

Текст:

...параметров лазерного термораскалывания и не позволяет осуществлять высококачественную резку пластин из кристаллического кварца. Техническая задача, решаемая заявляемым изобретением, заключается в повышении качества резки пластин из кристаллического кварца за счет правильного определения технологических параметров лазерного термораскалывания в различных направлениях, обусловленного корректным учетом влияния анизотропии...

Установка для распиливания кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 13967

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Лётыч Вера Андреевна, Дроздов Алексей Владимирович, Киселев Михаил Григорьевич

МПК: B28D 5/00

Метки: распиливания, алмаза, установка, кристалла

Текст:

...условия качения с проскальзыванием. Кроме того, такая конструкция уменьшает возможность разбрызгивания абразив 2 13967 1 2011.02.28 ной суспензии в процессе распиливания, что также увеличивает вероятность попадания алмазных зерен из суспензии на торцевую поверхность режущего инструмента и способствует повышению производительности распиливания кристалла алмаза. Сущность изобретения поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена горизонтальная...

Корпусной алмазосодержащий диск для разделения полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: U 6787

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Цыбульская Людмила Сергеевна, Ковальчук Геннадий Филиппович, Васильев Валерий Лукич, Гайдук Илья Леонидович, Гаевская Татьяна Васильевна

МПК: B28D 5/00, H01L 21/02

Метки: пластин, разделения, диск, алмазосодержащий, полупроводниковых, корпусной

Текст:

...форму корпуса у основания лезвия (фиг. 1). Недостатком такой конструкции режущего диска является то, что в процессе разделения полупроводниковой пластины по ее периферийной части накапливаются осколки малого размера, которые под воздействием сил резания повреждают планарную сторону кристаллов, что приводит к уменьшению выхода годных, к снижению стойкости алмазного режущего диска, вплоть до поломки лезвия. Задачей, на решение которой...

Установка для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 13372

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович, Корзун Павел Олегович, Колесников Василий Сергеевич

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, установка, обработки, кристаллов

Текст:

...элемента с переменной жесткостью, а также за счет варьирования массами составных частей стрелы можно дополнительно расширить диапазон подаваемых в зону обработки колебаний. Такое более гибкое регулирование позволяет уменьшить вероятность сколов на заключительном этапе распиловки. Кроме того, такая конструкция позволяет реализовать резонансный режим работы системы стрела-заготовка-распиловочный диск, который характеризуется увеличенной...

Алмазосодержащее корпусное устройство для резки полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 12211

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Васильев Валерий Лукич, Гаевская Татьяна Васильевна, Гайдук Илья Леонидович, Ковальчук Геннадий Филиппович, Цыбульская Людмила Сергеевна, Антипов Михаил Николаевич

МПК: B28D 5/00, H01L 21/02

Метки: алмазосодержащее, полупроводниковых, пластин, резки, корпусное, устройство

Текст:

...С и катодной плотности тока 2,0-3,0 А/дм 2 (фигура). Изготовление алмазосодержащего устройства для резки полупроводниковых пластин из кремния и материалов группы А 3 В 5 по данному изобретению включает следующие операции изготовление корпуса из сплава алюминия Д 16 электрохимическое осаждение тонкого слоя меди для обеспечения хорошего качества сцепления последующих нанесенных алмазосодержащих слоев электрохимическое осаждение внешнего...

Установка для распиливания кристалла алмаза

Загрузка...

Номер патента: 10925

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: распиливания, кристалла, установка, алмаза

Текст:

...подачи абразивной суспензии на рабочую поверхность ультразвукового преобразователя, который закреплен на станине с возможностью контакта его рабочей поверхности с торцевой поверхностью режущего инструмента и внедрения абразивной суспензии в материал режущего инструмента. Такая конструкция позволяет повысить степень шаржирования торцевой поверхности режущего инструмента при его контакте с колеблющейся поверхностью ультразвукового...

Установка для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 8617

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович

МПК: B28D 5/00

Метки: кристаллов, алмаза, обработки, установка

Текст:

...шайба для возбуждения вибрационных колебаний. Кроме того, электродвигатель постоянного тока снабжен механизмом изменения его положения относительно стрелы. Такая конструкция позволяет ввести колебания в зону распиливания, что способствует повышению производительности и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения...

Установка для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 8393

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Зайцев Валентин Алексеевич, Киселев Михаил Григорьевич, Дроздов Алексей Владимирович, Старовойтов Александр Семенович

МПК: B28D 5/00

Метки: алмаза, кристаллов, обработки, установка

Текст:

...и качества поверхностей распиливаемого кристалла. Положительное влияние вибрационных колебаний заключается в том, что периодически изменяющиеся частотные возмущения вызывают перемещение стрелы, а вместе с ней и распиливаемого кристалла в радиальном направлении распиловочного диска, а это, в свою очередь, способствует более интенсивному съему обрабатываемого материала за счет активизации алмазных зерен, закрепленных в распиловочном диске....

Способ лазерной обработки кристаллических сверхтвердых материалов

Загрузка...

Номер патента: 5706

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Драенков Юрий Александрович, Шершнев Евгений Борисович, Старовойтов Александр Семенович, Зайцев Валентин Алексеевич, Макеев Владимир Васильевич, Ретюхин Георгий Евгеньевич

МПК: B28D 5/00

Метки: лазерной, обработки, способ, материалов, сверхтвердых, кристаллических

Текст:

...обработка последующими наборами вложенных в ширину реза и сдвинутых на одинаковое расстояние ходов со смещением фокуса лазерного луча вглубь заготовки на толщину удаленного слоя материала до тех пор, пока не произойдет полное удаление материала из зоны реза. При этом воздействие лазерным излучением осуществляют при расположении фокуса излучения на обрабатываемой поверхности заготовки. Поверхность материала в области расположения...

Устройство для обработки кристаллов алмаза

Загрузка...

Номер патента: 1447

Опубликовано: 16.12.1996

Авторы: Минченя Владимир Тимофеевич, Галенюк Галина Анатольевна, Киселев Михаил Григорьевич

МПК: B28D 5/00, B28D 5/04

Метки: алмаза, обработки, кристаллов, устройство

Текст:

...кристалла, ультразвуковой преобразователь,винт, установленный на опоре и связанной со стрелой, шарнирно закрепленной на стойке,ультразвуковой преобразователь расположенный соосно с винтом, при этом винт снабжен механизмом противодействия самоотвинчива нию, а оправки для крепления кристалла смонтированы в стреле. Опора выполнена из неметаллического упругого материала с акустическими свойствами, близкими к свойствам волновода ультразвукового...