Ануфриев Леонид Петрович

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9129

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Малый Игорь Васильевич, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Карпов Иван Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: микросхем, интегральных, конденсатор

Текст:

...защиты второго слоя конденсаторного диэлектрика на границе обкладки из легированного поликристаллического кремния, что обеспечивает дополнительную возможность использовать легированный слой поликристаллического кремния в качестве разводки. Кроме того, легированный слой поликристаллического кремния выполнен кристаллитным по толщине, где 2-4. У данного слоя легированного поликристаллического кремния и нижняя, и верхняя поверхности...

Пленкообразующая композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9140

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Мойсейчук Константин Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/225

Метки: источников, изготовлении, пленкообразующая, полупроводниковых, композиция, получения, бора, твердых, приборов

Текст:

...следующим образом.В качестве растворителя избран н-бутиловый спирт, поскольку в нем легко растворим ТЭОС и образующиеся олигополимеры (продукты неполного гидролиза ТЭОС), а также вода. Кроме того, он менее летуч и обладает большой вязкостью, чем обычно применяемые в пленкообразующих композициях растворители (этиловый спирт).При содержании ТЭОС в композиции менее 25 мас. происходит быстрое осаждение взвешенного оксида бора за счет...

Конденсатор для интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 9018

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Войтех Сергей Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 29/92, H01L 29/94

Метки: микросхем, конденсатор, интегральных

Текст:

...и верхняя обкладка конденсатора сформированы из алюминия или его сплавов, а слой легированного поликристаллического кремния выполнен в виде буферного слоя толщиной 0,07-0,35 мкм, нанесенного на слой конденсаторного диэлектрика.Решение поставленной задачи обеспечивается следующим образом. Введение второго сильнолегированного скрытого слоя первого типа проводимости обеспечивает гарантированное разделение областей и уменьшение боковых...

Способ получения пленки борофосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 8992

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Шкуратов Александр Георгиевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: C23C 16/455, C23C 16/40, H01L 21/316...

Метки: стекла, получения, способ, пленки, борофосфоросиликатного

Текст:

...откачке.Использование идентичной или сходной последовательности действий для решаемой задачи не обнаружено.Решение поставленной задачи объясняется следующим образом. Подача в реактор паров ТЭОС, ФСС и БСС после стабилизации их потоков продувкой паров, минуя реактор(сначала по сбросовь 1 м магистралям пары реагентов подаются на скруббер, производится стабилизация их потоков, а затем переключением соответствующих клапанов производится...

Способ осаждения пленки фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 8991

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Становский Владимир Владимирович, Шкуратов Александр Георгиевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316, C23C 16/455, C23C 16/40...

Метки: пленки, осаждения, фосфоросиликатного, стекла, способ

Текст:

...реактор, после осаждения пленки фосфоросиликатного стекла требуемой толщины прекращают подачу в реактор паров фосфоросодержащего соединения,осаждают адгезионный слой двуокиси кремния толщиной 10-25 нм без изменения температуры реактора и давления и прекращают подачу паров тетраэтоксисилана, при этом в качестве фосфоросодержащего соединения используют диметилфосфит, триэтилфосфит,триметилфосфит или триметилфосфат, дополнительно...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Кавунов Андрей Петрович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: полупроводникового, прибора, металлизация

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Портнов Лев Яковлевич

МПК: H01L 23/482, H01L 21/60, H01L 23/48...

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Тарасиков Михаил Васильевич, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: прибора, кремниевого, полупроводникового, кристаллодержателю, способ, кристалла, присоединения

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Способ формирования слоев поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 8758

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Шкуратов Александр Георгиевич, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: C23C 16/24, H01L 21/365

Метки: поликристаллического, кремния, слоев, формирования, способ

Текст:

...то обеспечивается термическая однородность. Осаждение поликремния осуществляется только после вывода реактора на второй уровень температуры, чем обеспечивается минимальный разброс температуры как вдоль реактора, так и по поверхности пластин и, следовательно, повышается стабильность и воспроизводимость процесса осаждения по толщине слоя поликристаллического кремния. При высокой скорости подъема температуры (более 9 С/мин) термическая...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Портнов Лев Яковлевич, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: кристалла, присоединения, кремниевого, полупроводникового, способ, прибора, кристаллодержателю

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 8380

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Баранов Валентин Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: диод, шоттки

Текст:

...раскислять естественный 2 с образованием проводящих оксидов рения, стабилизирующих границу раздела. Кроме того, сплав - обладает по сравнению сболее высокой прочностью при сохранении относительно высокой пластичности 5. 3 8380 1 2006.08.30 Слой титана в многослойном электроде толщиной 0,07-0,15 мкм является адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминийкремний, во-вторых структура / устойчива к...

Способ изготовления диода Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 8449

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Пеньков Анатолий Петрович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Карпов Иван Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/328, H01L 29/47, H01L 21/329...

Метки: способ, изготовления, диода, шоттки

Текст:

...адгезионным и служит для улучшения адгезии между никелем и алюминием или сплавом алюминий-кремний, во-вторых,4 8449 1 2006.08.30 структура - стойка к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения 3. Толщина слоя титана 0,07-0,15 мкм выбирается как из приведенных выше соображений, так и из условия минимизации механических напряжений в многослойной структуре /////. Сущность изобретения поясняется фиг....

Способ ультразвуковой очистки

Загрузка...

Номер патента: 7318

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Ланин Владимир Леонидович

МПК: B08B 3/12

Метки: ультразвуковой, способ, очистки

Текст:

...изделия. Наибольшее увеличение кавитационного давления в 2-2,5 раза,измеренного с помощью кавитометра отмечено при плотности тока в диапазоне 10-100 А/м 2. Сопоставительный анализ с прототипом показал, что предлагаемый способ ультразвуковой очистки отличается пропусканием через жидкую среду электрического тока плотностью 10-100 А/м 2 от излучателя ультразвука к изделию либо от изделия к излучателю,что вызывает образование зародышей кавитации...

Диод Шоттки

Загрузка...

Номер патента: 7113

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Баранов Валентин Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Тарасиков Михаил Васильевич

МПК: H01L 29/872, H01L 29/47

Метки: шоттки, диод

Текст:

...процессе сборки диффундируют преимущественно в виде ионов и поэтому они оказываются связанными зарядовыми ловушками, расположенными на границе раздела диэлектрических слоев 51 О 2/Та 2 О 5. По этой причине их присутствие в обедненном слое контакта Шоттки практически исключается и дестабилизирующего действия примесей во время работы прибора не происходит.Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором представлен поперечный разрез диода...

Устройство для плазменной обработки материалов

Загрузка...

Номер патента: 7025

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Достанко Анатолий Павлович, Бордусов Сергей Валентинович, Варатницкий Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович

МПК: H01L 21/302

Метки: устройство, обработки, плазменной, материалов

Текст:

...устройство содержит диэлектрическую разрядную камеру, выполненную в виде вертикально расположенного и герметично закрытого с обоих торцов полого кварцевого цилиндра с размещенными внутри верхним и нижним плоскопараллельными электродами, а магнитная система выполнена в виде двух соленоидов, расположенных друг над другом вокруг кварцевого цилиндра, обмотки которых расположены между ограничительными стальными дисками-магнитопроводами,...

Мощный биполярный транзистор

Загрузка...

Номер патента: 6250

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович, Голубев Николай Федорович

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, транзистор, мощный

Текст:

...к области базы сформированы в центре каждого окнаячейки (13) через окна в маске диэлектрического материала (8) и соединены полосовыми металлическими шинами (9) с общей металлической шиной (11) базы, омические контакты (7) к области эмиттера выполнены дискретно через окна в маске диэлектрического материала (8) в точках, одинаково удаленных от ближайших омических контактов (6) к области базы, и соединены полосовыми металлическими шинами (10) с...

Способ измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины

Загрузка...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Пеньков Анатолий Петрович, Чигирь Григорий Григорьевич, Ухов Виктор Анатольевич

МПК: H01L 21/66

Метки: пластины, нарушенного, способ, измерения, поверхности, полупроводниковой, кремниевой, глубины, слоя

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...

Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора

Загрузка...

Номер патента: 4476

Опубликовано: 30.06.2002

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович, Кречко Михаил Михайлович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: H01L 21/265, H01L 29/78

Метки: мощного, изготовления, высоковольтного, дмоп-транзистора, способ

Текст:

...структуры транзисторной ячейки после формирования на поверхности кремниевой подложки 1-го типа проводимости 1 подзатворного диэлектрика 2, нанесения слоя поликристаллического кремния 3, на фиг. 2 - после формирования в нем рисунка затвора нанесением слоя фоторезиста, созданием фоторезистивной маски, травлением слоя поликристаллического кремния и расположенного под ним подзатворного диэлектрика, удалением фоторезистивной маски,на фиг. 3 -...

Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора

Загрузка...

Номер патента: 4024

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Рубцевич Иван Иванович, Дударчик Анатолий Иванович, Ануфриев Леонид Петрович, Кречко Михаил Михайлович

МПК: H01L 21/425, H01L 29/78

Метки: мощного, высоковольтного, способ, дмоп-транзистора, изготовления

Текст:

...выигрыша в уменьшении перекрытия затвором р-, -областей при использовании предлагаемого способа изготовления. На фиг. 3 показаны диффузионные профили рканала, -истока рабочей ячейки ДМОП-транзистора в момент после разгонки -истоков при различной величине подтрава поликремния под маску фоторезиста пунктирной - по предлагаемому способу для величины подтрава поликремния Х 0,5 мкм (верхней границы выбранного интервала) штрих-пунктирной - по...

Способ изготовления мощного высоковольтного ДМОП-транзистора

Загрузка...

Номер патента: 4025

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Алиев Алигаджи Магомедович, Ануфриев Леонид Петрович, Дударчик Анатолий Иванович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: H01L 21/331, H01L 29/78

Метки: дмоп-транзистора, высоковольтного, способ, изготовления, мощного

Текст:

...кремния, формирование канальных областей ионным легированием бором и разгонкой бора, формирование -истоковых областей, нанесение межслойного окисла, формирование областей контактов к затвору и истокам, создание металлизации, перед нанесением межслойного 2 4025 1 окисла проводят отжиг и окисление -истоковых областей до толщины окисла, составляющей 13 толщины подзатворного окисла. Сопоставительный анализ предполагаемого изобретения с...

Мощный биполярный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою

Загрузка...

Номер патента: 4014

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Дударчик Анатолий Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Голубев Николай Федорович, Ануфриев Леонид Петрович, Рубцевич Иван Иванович

МПК: H01L 29/72

Метки: пробою, транзистор, мощный, обратному, биполярный, вторичному, устойчивый

Текст:

...первого типа, базовую область с проводимостью второго типа, противоположного первому, примыкающую к коллекторной области с образованием - перехода база-коллектор, эмиттерную область с проводимостью первого типа, примыкающую к базовой области с образованием - перехода база-эмиттер, коллекторная область, примыкающая к планарной поверхности кристалла и базовой области, дополнительно легирована примесью первого типа проводимости на глубину,...