Патенты с меткой «высоковольтных»

Система для заземления высоковольтных устройств

Загрузка...

Номер патента: 16459

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Головнёв Владимир Андреевич

МПК: H01H 31/02, H01R 4/66

Метки: высоковольтных, заземления, система, устройств

Текст:

...Главным недостатком является то, что обеспечиваемый данным способом контактный переход медь - сталь на ножах заземления имеет значительное электрическое сопротивление, что в итоге приводит к снижению требуемых характеристик вала ножей заземления, снижению надежности и срока службы. Автору неизвестно применение биметалла (медьсталь) в системах для заземления высоковольтных устройств. Задачей изобретения является разработка системы для...

Вал ножей заземления высоковольтных устройств

Загрузка...

Номер патента: U 7409

Опубликовано: 30.08.2011

Автор: Головнёв Владимир Андреевич

МПК: H01H 31/00

Метки: вал, устройств, высоковольтных, ножей, заземления

Текст:

...Ножи заземления приварены к валу. К контактным пластинам ножей заземления приклепаны медные контакты. Главным недостатком является то, что обеспечиваемый данным способом контактный переход медь-сталь на ножах заземления имеет значительное электрическое сопротивление, что в итоге приводит к снижению требуемых характеристик вала ножей заземления,снижению надежности и срока службы. Автору неизвестно применение биметалла (медьсталь) в...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Пуцята Владимир Михайлович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, многослойное, высоковольтных, пассивирующее, приборов, покрытие

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Способ изготовления быстродействующих высоковольтных диодов

Загрузка...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Кульгачев Владимир Ильич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, быстродействующих, диодов, способ, высоковольтных

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Способ отбраковки высоковольтных кремниевых полупроводниковых диодов по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, диодов, способ, полупроводниковых, радиационной, высоковольтных, кремниевых, стойкости

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния

Загрузка...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изготавливаемых, носителей, жизни, мощных, неосновных, быстродействующих, ядернолегированного, способ, базе, приборах, высоковольтных, заряда, времени, регулирования, кремния, полупроводниковых

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Устройство для защиты высоковольтных трансформаторов тока от импульсных коммутационных перенапряжений

Загрузка...

Номер патента: 7376

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: ПЕКЕЛИС ВСЕВОЛОД ГРИГОРЬЕВИЧ, ГИНЗБУРГ МАРАТ ЛЬВОВИЧ, Новаш Татьяна Анатольевна

МПК: H02H 7/04

Метки: защиты, трансформаторов, коммутационных, устройство, тока, высоковольтных, перенапряжений, імпульсных

Текст:

...устройства, на которой приняты следующие условные обозначения 1 - первичная обмотка 2 - вторичная обмотка 3 - дроссель резонансного фильтра 4 - конденсатор резонансного фильтра. Для пояснения принципа действия предложенного устройства воспользуемся схемой замещения . Указанная схема приведена на фиг. 2. Она представляет собой пассивный четырехполюсник. На схеме приняты следующие условные обозначения 1 - полное сопротивление первичной...

Устройство для измерения высоковольтных импульсов напряжения

Загрузка...

Номер патента: U 358

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Пилипенко Олег Игоревич, Клинов Александр Георгиевич

МПК: G01R 15/06, G01R 15/04

Метки: импульсов, измерения, напряжения, высоковольтных, устройство

Текст:

...на собственной резонансной частоте, переносе соб 2 358 ственной резонансной частоты высокочастотных колебаний в низкочастотную область с последующим уничтожением одиночного апериодического выброса. Этот перенос осуществляется введением в высоковольтную часть делителя напряжения сосредоточенной индуктивности . При этом собственная резонансная 1 частота делителя 0. Введенная сосредоточенная индуктивность суммируется с распределенной 2...