Патенты с меткой «высоковольтных»

Система для заземления высоковольтных устройств

Загрузка...

Номер патента: 16459

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Головнёв Владимир Андреевич

МПК: H01H 31/02, H01R 4/66

Метки: устройств, высоковольтных, система, заземления

Текст:

...Главным недостатком является то, что обеспечиваемый данным способом контактный переход медь - сталь на ножах заземления имеет значительное электрическое сопротивление, что в итоге приводит к снижению требуемых характеристик вала ножей заземления, снижению надежности и срока службы. Автору неизвестно применение биметалла (медьсталь) в системах для заземления высоковольтных устройств. Задачей изобретения является разработка системы для...

Вал ножей заземления высоковольтных устройств

Загрузка...

Номер патента: U 7409

Опубликовано: 30.08.2011

Автор: Головнёв Владимир Андреевич

МПК: H01H 31/00

Метки: устройств, ножей, заземления, вал, высоковольтных

Текст:

...Ножи заземления приварены к валу. К контактным пластинам ножей заземления приклепаны медные контакты. Главным недостатком является то, что обеспечиваемый данным способом контактный переход медь-сталь на ножах заземления имеет значительное электрическое сопротивление, что в итоге приводит к снижению требуемых характеристик вала ножей заземления,снижению надежности и срока службы. Автору неизвестно применение биметалла (медьсталь) в...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Пуцята Владимир Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, покрытие, пассивирующее, многослойное, полупроводниковых, высоковольтных

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Способ изготовления быстродействующих высоковольтных диодов

Загрузка...

Номер патента: 11307

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Кульгачев Владимир Ильич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: диодов, способ, высоковольтных, изготовления, быстродействующих

Текст:

...в базе приборов эффективных центров рекомбинации, снижающих время жизни неосновных носителей заряда и способствующих увеличению быстродействия приборов. Однако снижение времени жизни приводит к росту прямого падения напряжения диодов (Ипр) и его выходу за рамки, определяемыми техническими условиями ТУ, вследствие уменьшения глубины модуляции проводимости базовой области неосновными носителями заряда. Изменение Ипр при этом определяется...

Способ отбраковки высоковольтных кремниевых полупроводниковых диодов по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11098

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: способ, отбраковки, высоковольтных, кремниевых, стойкости, полупроводниковых, радиационной, диодов

Текст:

...стойкость кремниевых диодов обычно определяется устойчивыми изменениями на прямой ветви вольтамперной характеристики, обусловленными радиационными эффектами смещений в кристалле кремния. Однако в ряде случаев радиационная стойкость кремниевых диодов может определяться изменениями на обратной 2 11098 1 2008.08.30 ветви вольтамперной характеристики, обусловленными поверхностными радиационными эффектами, наступающими даже при малых дозах...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда в мощных высоковольтных быстродействующих полупроводниковых приборах, изготавливаемых на базе ядернолегированного кремния

Загрузка...

Номер патента: 10595

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: базе, способ, времени, мощных, носителей, неосновных, регулирования, высоковольтных, полупроводниковых, быстродействующих, заряда, ядернолегированного, приборах, кремния, изготавливаемых, жизни

Текст:

...материала при производстве мощных высоковольтных приборов в результате облучения электронами с энергией 4-25 МэВ и последующего высокотемпературного отжига происходит образование эффективных центров рекомбинации, стабильных при температурах выше температуры посадки приборных структур на термокомпенсатор (порядка 600 С), которые позволяют обеспечить высокое быстродействие при низком уровне потерь в проводящем состоянии и небольших токах...

Устройство для защиты высоковольтных трансформаторов тока от импульсных коммутационных перенапряжений

Загрузка...

Номер патента: 7376

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: ГИНЗБУРГ МАРАТ ЛЬВОВИЧ, ПЕКЕЛИС ВСЕВОЛОД ГРИГОРЬЕВИЧ, Новаш Татьяна Анатольевна

МПК: H02H 7/04

Метки: трансформаторов, высоковольтных, устройство, коммутационных, імпульсных, перенапряжений, тока, защиты

Текст:

...устройства, на которой приняты следующие условные обозначения 1 - первичная обмотка 2 - вторичная обмотка 3 - дроссель резонансного фильтра 4 - конденсатор резонансного фильтра. Для пояснения принципа действия предложенного устройства воспользуемся схемой замещения . Указанная схема приведена на фиг. 2. Она представляет собой пассивный четырехполюсник. На схеме приняты следующие условные обозначения 1 - полное сопротивление первичной...

Устройство для измерения высоковольтных импульсов напряжения

Загрузка...

Номер патента: U 358

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Клинов Александр Георгиевич, Пилипенко Олег Игоревич

МПК: G01R 15/06, G01R 15/04

Метки: измерения, устройство, высоковольтных, импульсов, напряжения

Текст:

...на собственной резонансной частоте, переносе соб 2 358 ственной резонансной частоты высокочастотных колебаний в низкочастотную область с последующим уничтожением одиночного апериодического выброса. Этот перенос осуществляется введением в высоковольтную часть делителя напряжения сосредоточенной индуктивности . При этом собственная резонансная 1 частота делителя 0. Введенная сосредоточенная индуктивность суммируется с распределенной 2...