Патенты с меткой «высокоомного»

Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы

Загрузка...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович, Лукашова Надежда Васильевна, Сорока Сергей Александрович

МПК: H01L 21/8238, H01C 1/00, H01C 7/00...

Метки: схемы, способ, изготовления, кмоп, полупроводникового, интегральной, высокоомного, резистора

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Способ изготовления высокоомного поликремниевого резистора

Загрузка...

Номер патента: 11704

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Дударь Наталья Леонидовна, Котов Владимир Семенович, Лемешевская Алла Михайловна, Леонов Николай Иванович, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 29/00, H01C 7/00, H01C 1/00...

Метки: изготовления, резистора, способ, поликремниевого, высокоомного

Текст:

...окончания технологического маршрута структура резистора может подвергаться воздействию высокотемпературных (850 С-1200 С) операций. В результате глубина легированной области в слое поликремния может приблизиться к толщине слоя поликремния и сравняться с ней. Кроме того, анализ вольт-амперных характеристик поликремниевых резисторов, изготовленных согласно прототипу и заявляемому способу, показывает, что различие в поверхностном сопротивлении...