Патенты с меткой «тонкопленочного»

Способ изготовления тонкопленочного покрытия из оксида тантала с электретными свойствами

Загрузка...

Номер патента: 17507

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Бурмаков Александр Пантелеевич, Кулешов Василий Николаевич

МПК: A61L 27/00, A61B 17/56, A61L 31/08...

Метки: способ, тантала, свойствами, электретными, тонкопленочного, оксида, изготовления, покрытия

Текст:

...2 с танталовой мишенью и источником питания 3, заземленного экрана 4, проводящей сетки 5, подложкодержателя 6, на котором размещена подложка 7. 3 17507 1 2013.08.30 Напуск рабочих газов аргона и кислорода осуществляется с помощью натекателей 8 и 9. Измерение давления в вакуумной камере 1 производят с помощью датчика давления 10. Направление откачки для создания вакуума показано стрелкой. На фиг. 2 показаны м - источник питания магнетрона 1...

Способ изготовления тонкопленочного конденсатора

Загрузка...

Номер патента: 15861

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Плиговка Андрей Николаевич, Мозалев Александр Михайлович

МПК: C25D 11/12, H01G 4/33

Метки: тонкопленочного, изготовления, способ, конденсатора

Текст:

...равна толщине слоя АОА) необходимо рассчитать величину напряжения реанодирования по формуле 1 и толщину напыляемой вспомогательной пленки тантала по формуле 2. Для предотвращения обрыва токоподвода к анодируемым участкам первого слоя алюминия величина ТП должна превышать величину ВП. Маска из защитной пленки тантала должна иметь толщину, которая полностью исключит возможность окисления защищаемой поверхности алюминия при пористом...

Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию

Загрузка...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Колос Светлана Валентиновна, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: омического, материал, контакта, кремнию, тонкопленочного

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...