Патенты с меткой «температурой»

Композиционный материал для иммобилизации с температурой формования ниже 100°C

Загрузка...

Номер патента: 14329

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Свиридёнок Иван Анатольевич, Свиридёнок Анатолий Иванович, Пирогова Лариса Александровна

МПК: A61F 5/01

Метки: формования, материал, температурой, иммобилизации, композиционный, ниже, 100°c

Текст:

...отечественного термоформуемого материала высокой прочности и более низкой стоимости. Поставленная цель достигается тем, что низкоплавкие матричные полимеры с температурой формования ниже 100 С армируются ткаными или неткаными материалами методом прессования. Низкоплавкая термопластичная матрица выбирается из группы, в которую входят полиолефины, поликапролактон и его смеси, сополимеры этилена с винилацетатом, каучуки,полиэфиры, их...

Меламиноалкидная эмаль с пониженной температурой сушки

Загрузка...

Номер патента: 13373

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шутова Анна Леонидовна, Прокопчук Николай Романович, Мартинкевич Александр Александрович, Лещинская Ирина Константиновна

МПК: C09D 167/00, C09D 161/20

Метки: пониженной, сушки, меламиноалкидная, эмаль, температурой

Текст:

...малобутанолизированную смолу К-423-02. Соотношение компонентов при этом следующее, мас.лак МЛ-0136 (50 раствор) 15,2 лак МЛ-0159 (50 раствор) 45,5 смола К-423-02 (50 раствор) 13,0 пигмент железооксидный красный 9,4 сольвент 8,3 этилцеллозольв 8,3 ПМС-200 А (1 -ный раствор в ксилоле) 0,3 итого 100. Предлагаемый лакокрасочный материал получали обычным образом, т.е. диспергированием пигментов в смеси пленкообразователей и органических...

Эпоксисодержащая меламиноалкидная эмаль с пониженной температурой сушки

Загрузка...

Номер патента: 12400

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Прокопчук Николай Романович, Шутова Анна Леонидовна, Мартинкевич Александр Александрович, Лещинская Ирина Константиновна

МПК: C09D 167/00

Метки: меламиноалкидная, сушки, эпоксисодержащая, пониженной, эмаль, температурой

Текст:

...покрытий при пониженных температурах и решить задачу получения при этих условиях покрытий с высокой твердостью. Предлагаемый лакокрасочный материал получали обычным образом, т.е. диспергированием пигмента и бентона в смеси пленкообразователей с последующим введением растворителей при доведении до вязкости 80-110 с по ВЗ-4. Готовую композицию выдерживали в течение суток и наносили на стандартные подложки методом пневматического...

Способ получения магниторезистивного материала на основе манганита лантана с температурой Кюри выше комнатной

Загрузка...

Номер патента: 10361

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Бушинский Максим Владиславович, Шаповалова Елена Федоровна

МПК: C04B 35/50, C01G 45/00, C01F 17/00...

Метки: температурой, основе, материала, манганита, выше, магниторезистивного, лантана, способ, получения, комнатной, кюри

Текст:

...формулой(или Са, , , у 2-3,5), в котором КМС может достигать 200(абсолютная величина) при комнатной температуре в поле 6 Т, если тонкую пленку нагреть в окислительной атмосфере, обычно потоке кислорода. Температура термообработки 300850 С, длительность - 10-12 минут 3. Пленка обычно создается на подложке или держателе с буферным слоем. Материалами подложки могут служить , 3 и 3. По своей сущности этот способ наиболее близок к...

Способ получения магнитного материала с эффектом колоссального магнитосопротивления и температурой Кюри выше комнатной на основе манганита неодима

Загрузка...

Номер патента: 9857

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шаповалова Елена Федоровна, Труханов Сергей Валентинович

МПК: H01F 1/01, C01F 17/00

Метки: эффектом, выше, колоссального, магнитного, материала, магнитосопротивления, комнатной, температурой, манганита, кюри, способ, основе, неодима, получения

Текст:

...способ наиболее близок к предполагаемому изобретению и выбран в качестве прототипа. Общими существенными признаками прототипа и заявляемого технического решения является то,что в обоих случаях в качестве функционального материала для изготовления по керамической технологии магнитного материала, проявляющего эффект КМС, используется манганит неодима с частичным замещением ионовионами Ва. К недостаткам указанного способа следует отнести тот...