Патенты с меткой «светодиод»

Гетеропереходный светодиод

Загрузка...

Номер патента: 16464

Опубликовано: 30.10.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/20

Метки: гетеропереходный, светодиод

Текст:

...1 второй гетеропереход, то есть сформирована двойная-, -гетероструктурой. Полупроводниковое основаниетипа 1, -слой 2 собственного полупроводника и-слой 3 выполнены из полупроводников, обладающих большой подвижностью носителей заряда, большой диффузионной дли 2 16464 1 2012.10.30 ной, низкой концентрацией собственных носителей заряда. Толщина -слоя 2 определяется стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через...

Эталонный монохромный светодиод

Загрузка...

Номер патента: U 8354

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Данильчик Александр Викторович, Никоненко Сергей Викторович, Луценко Евгений Викторович

МПК: G01J 1/00

Метки: светодиод, монохромный, эталонный

Текст:

...светодиодов светового потока, силы света, координат цветности, доминантной длины волны, чистоты цвета, а также пиковой длины волны 3. Монохромный возимый эталонный светодиод состоит из светодиода с линзой термостатированного корпуса эталонного светодиода встроенного терморезистора, установленного на выходных контактах светодиода и используемого в качестве индикатора температуры. Стабилизацию температуры светодиодного чипа...

Полупроводниковый светодиод

Загрузка...

Номер патента: U 7184

Опубликовано: 30.04.2011

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 33/00

Метки: полупроводниковый, светодиод

Текст:

...стопроцентной рекомбинацией инжектированных в его область через прямосмещенные - первый переход дырок и - второй прямосмещенный переход электронов и составляет (1,11,6), где- диффузионная длина носителей заряда. Сильнолегированный -слой 1 широкозонного полупроводника сформирован на металлическом основании 2 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021) см 3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает...