Патенты с меткой «сверхпроводников»

Способ создания конфигурации тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 5926

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Болдышева Ирина Петровна, Петров Николай Петрович

МПК: H01L 39/24, H01L 39/22

Метки: пленок, конфигурации, создания, способ, высокотемпературных, тонких, сверхпроводников

Текст:

...(380-390 кг силы/см 2) водорода в течение 0,5 ч при (300-350 С), а также то, что в качестве тугоплавкого металла используетсяс примесью(0,8-0,85 вес.). Сущность данного изобретения заключается в том, что термообработка в паро-водородной среде приводит к образованию гидридов тугоплавкого металла, изменению структуры пленки и нарушению целостности слоя. Это способствует более полному удалению окисленного слоя тугоплавкого металла и дает...

Способ формирования пленочных микромостиков из высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 2309

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Погребняков Алексей Владимирович, Матюнина Ольга Владимировна, Достанко Анатолий Павлович

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: пленочных, высокотемпературных, микромостиков, сверхпроводников, способ, формирования

Текст:

...о наличии большого числа межзеренных переходов в микромостике. 2 2309 1 Одним из основных недостатков описанного способа является низкая воспроизводимость характеристик пленочных микромостиков, так как слабая связь создается на границе раздела двух зерен, образование которых представляет собой случайный процесс, поэтому и значения параметров пленочных микромостиков тоже являются случайными величинами. Задачей предлагаемого способа является...

Способ получения пленок металлооксидных высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 358

Опубликовано: 30.03.1995

Авторы: Точицкий Эдуард Иванович, Рубан Геннадий Иосифович, Свиридович Олег Григорьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: сверхпроводников, металлооксидных, получения, высокотемпературных, способ, пленок

Текст:

...на атомах вподложке. я двухступенчатый напуск кислорода впленки необходимдля обеспечения 1) фа- .зового перехода тетрагональной структуры в орторомбическую и 2) насыщения этой фазы кислородом до оптимальной величины т с определеннымсодержанием и упорядочением -в кислородной подсистеме- ортором бической фазы. При давлении-г кислородаболее 133 па и менее 40 Па на первом этапепленки при этому наблюдается также нео днородность состава пленки...