Патенты с меткой «структуре»

Устройство для выявления формы графитных включений в структуре чугуна

Загрузка...

Номер патента: U 10652

Опубликовано: 30.04.2015

Автор: Покровский Артур Игоревич

МПК: C21D 5/00, C21D 8/00

Метки: графитных, устройство, структуре, выявления, включений, формы, чугуна

Формула / Реферат:

Устройство для выявления формы графитных включений в структуре чугуна, содержащее источник постоянного тока, блок управления и заполненную электролитом ванну для травления, в которой расположены исследуемый образец, служащий анодом, и катод, отличающеесяУстройство для выявления формы графитных включений в структуре чугуна, содержащее источник постоянного тока, блок управления и заполненную электролитом ванну для травления, в которой расположены...

Способ контроля остаточных напряжений в кремниевой структуре покрытие SiO2–основа Si

Загрузка...

Номер патента: 17232

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Зеленин Виктор Алексеевич, Ходарина Людмила Петровна

МПК: H01L 21/66, G01L 1/25

Метки: покрытие sio2–основа si, напряжений, кремниевой, остаточных, контроля, структуре, способ

Текст:

...тонкой оболочки. По условию минимума свободной энергии край отделенной полоски покрытия должен был бы принять форму волны с осью симметрии,лежащей в срединной плоскости покрытия. Однако поскольку прогиб полоски возможен только в одну сторону (вверх от основы), то свободный край полоски изгибается по некоторой, как правило несимметричной, волнообразной кривой, смещенной вверх от основы. Волнообразный изгиб свободного края покрытия...

Способ контроля механических напряжений в кремниевой структуре пленка SiO2–подложка Si

Загрузка...

Номер патента: 10215

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Пономарь Владимир Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: G01L 1/25, H01L 21/66

Метки: способ, структуре, пленка sio2–подложка si, контроля, напряжений, механических, кремниевой

Текст:

...плотность интерференционных линий вне зависимости от ориентации сторон сосредоточена в углах окна. В случае круглого окна в каждой его точке создаются равные условия формирования интерференционной картины, зависящие только от действительных значений напряжений в данном азимутальном направлении. Выбор радиального направления для определения относительного удлинения отделенной от подложки пленки обусловлен тем, что только это удлинение...

Способ измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре

Загрузка...

Номер патента: 8857

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Киселев Владимир Иосифович, Пшенко Анатолий Николаевич

МПК: H01L 21/66

Метки: структуре, имплантированной, измерения, полупроводниковой, дозы, ионов, способ

Текст:

...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...