Патенты с меткой «структура»

Пластиковая ячеистая структура для ограждений

Загрузка...

Номер патента: U 8809

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Кошурников Денис Викторович, Максимов Сергей Николаевич

МПК: B29C 55/04, B29D 28/00, A01G 17/00...

Метки: ячеистая, структура, пластиковая, ограждений

Текст:

...которых скруглены, имеет отличительные признаки конструктивные элементы выполнены в виде волнообразных в горизонтальной и фронтальной плоскостях своих проекций прутков и пластин, последние из которых выполнены волнообразными также и в своей профильной плоскости проекции. Выполнение конструктивных элементов волнообразной формы направлено как на повышение сопротивления разрыву ячеистой структуры, так и на создание активной площади сопротивления...

Ячеистая структура

Загрузка...

Номер патента: U 8756

Опубликовано: 30.12.2012

Авторы: Максимов Сергей Николаевич, Кошурников Денис Викторович

МПК: E02D 17/20, E01C 3/04

Метки: структура, ячеистая

Текст:

...уже преимущественно в направлении приложения нагрузок перпендикулярно широким полоскам, которые выполнены тоньше, чем остальные. Выполнение утолщенных узлов в виде буквы , т.е. -образными - это более естественная форма повторения пересечений узких полосок в этих узлах, которую легче достичь в технологическом процессе изготовления ячеистой структуры путем растяжения в двух направлениях заготовки, чем круглую форму по аналогу 1 и овальную форму...

Пористая поверхностно-объемная структура из политетрафторэтилена (варианты)

Загрузка...

Номер патента: U 8251

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Доста Анатолий Дмитриевич

МПК: A61F 2/00, A61L 27/00, A61C 8/00...

Метки: политетрафторэтилена, варианты, структура, пористая, поверхностно-объемная

Текст:

...представляет собой слой пористого политетрафторэтилена, в котором все поры выполнены закрытыми. Предпочтительно пористая структура выполнена с порами, размеры которых случайным образом распределены в диапазоне 150-300 мкм. Суммарный объем открытых пор предпочтительно больше суммарного объема тупиковых пор, а средний размер тупиковых пор может составлять 0,01-1,0 среднего размера открытых пор. Пористая структура может быть снабжена...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15752

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02, H01L 21/302

Метки: кремниевая, структура, эпитаксиальная, ориентации, 001

Текст:

...к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15465

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, эпитаксиальная, ориентации, структура, 001

Текст:

...структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо друг от друга, а активно взаимодействуют друг с другом с образованием новых элементов дислокационной структуры за счет явления самоформирования. Их взаимодействие обусловлено, с одной стороны, взаимодействием полей механических напряжений, а с другой стороны, тем, что при...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15361

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: кремниевая, ориентации, эпитаксиальная, структура, 111

Текст:

...Эти плоскости наклонены к поверхности пластины и пересекаются на некотором расстоянии от ее поверхности опять-таки в плоскости ( 1 1 1 ) (или в плоскости (111), что то же самое), которая также является плоскостью скольжения. Пересечение рассматриваемых плоскостей скольжения приводит к блокированию дислокаций, скользящих в пересекающихся плоскостях с образованием дислокационных полупетель, закрепленных концами на обратной стороне...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15360

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, ориентации, кремниевая, структура, 001

Текст:

...чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом направлении 100 или 010 приводит к генерации дислокаций в плоскостях (101), (10 1 ) , (011) и (0 1 1) , которые наклонены к поверхности под углом 45. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее выгодна и обусловлена тем, что возникающие от механических...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 14912

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевая, структура, эпитаксиальная, ориентации, 111

Текст:

...Аналогично происходит формирование дислокационной структуры в плоскостях 110. Вершины тетраэдров, образованные плоскостями скольжения 110, находятся на одинаковой высоте и лежат в плоскости 111. Это приводит к самоформированию вторичных тетраэдров, находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 14949

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: структура, эпитаксиальная, ориентации, кремниевая, 111

Текст:

...скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка, например треугольной ямкой. При первом разделении первичных элементов рисунка на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6683

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: эпитаксиальная, кремниевая, ориентации, 001, структура

Текст:

...дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй, уровень кристаллографических дефектов(дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей элементов рисунка по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и оставление центральной части...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6678

Опубликовано: 30.10.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: ориентации, кремниевая, эпитаксиальная, 001, структура

Текст:

...элементов), глубина проник 5 66782010.10.30 новения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых некоторым выбранным вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый,...

Волокнистая структура для изготовления композиционного материала и способ ее получения

Загрузка...

Номер патента: 13421

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Ставров Василий Петрович, Спиглазов Александр Владимирович, Колос Анастасия Алексеевна

МПК: D04H 13/00, D01G 11/00

Метки: изготовления, композиционного, материала, получения, структура, способ, волокнистая

Текст:

...путем уплотнения волокнистой структуры и соединения волокон, в частности в результате расплавления термопластичных волокон, сушки и (или) отверждения связующего вещества. Из смеси волокон изготавливают листы или холсты, которые покрывают с одной или двух сторон слоями ткани. Композиционный материал, получаемый из такой волокнистой структуры, имеет высокую пористость и низкую прочность ввиду недостаточного количества матричных...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6405

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: структура, кремниевая, 111, ориентации, эпитаксиальная

Текст:

...дальнейшем этапе оставляют неделимыми. Только в этом случае образуется фрактальная структура, состоящая из элементов различного размера. Одновременное вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы бльших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6404

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: 111, кремниевая, ориентации, эпитаксиальная, структура

Текст:

...результате пересечения двух тетраэдров. Основание первого тетраэдра совпадает с первичным элементом рисунка. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: U 6341

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кремниевая, структура, ориентации, эпитаксиальная, 111

Текст:

...Наличие контролируемых нарушений на обратной стороне пластины в одном из направлений 1 1 0 , 1 0 1 или 0 1 1 позволяет сформировать сетку дислокаций в строго определенных кристаллографических плоскостях, а именно в плоскостях (1 1 0) и (1 1 1) ,(1 0 1) и (1 1 1) или (0 1 1) и (1 1 1) попарно, соответственно выбранному кристаллографическому направлению. Генерация дислокаций именно в этих плоскостях в данном случае энергетически наиболее...

Кремниевая эпитаксиальная структура ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: U 6340

Опубликовано: 30.06.2010

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: эпитаксиальная, кремниевая, 001, ориентации, структура

Текст:

...типа 111, пересекающие рассматриваемые кристаллографические плоскости генерации дислокаций под углом 3516, не могут препятствовать прорастанию дислокаций на рабочую поверхность в связи с тем, что они наклонены к поверхности пластины, и энергия образования дислокаций в этих плоскостях выше, чем в плоскостях (110) и (1 1 0) . Наличие на нерабочей поверхности пластины механических нарушений в виде параллельных линий в кристаллографическом...

Металлический компонент с обработанной поверхностью для армирующих структур для изделий, изготовленных из вулканизованного эластомерного материала, армирующая структура, изделие(варианты) и способ электролитического осаждения сплава

Загрузка...

Номер патента: 8789

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: РАТТИ Джузеппина, ПАВАН Федерико

МПК: C25D 3/56, B29B 15/14

Метки: материала, вулканизованного, осаждения, армирующая, обработанной, армирующих, структур, металлический, сплава, электролитического, структура, изделий, способ, эластомерного, компонент, изготовленных, изделие(варианты, поверхностью

Текст:

...покрытие на стальной компонент из металла или из металлического сплава для того, чтобы создать для стали коррозионную стойкость и обеспечить хорошую адгезию к вулканизованному эластомерному материалу.Более того, при том условии, что уже имеется нанесенное покрытие, упомянутая стальная проволока подвергается процессу вытяжки, который проводится несколько раз до тех пор, пока не будут достигнуты требуемые размеры проволоки. Покрытие на...

Интерференционная структура

Загрузка...

Номер патента: 5680

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Пилипович Владимир Антонович, Есман Александр Константинович, Гончаренко Игорь Андреевич, Кулешов Владимир Константинович

МПК: G02F 3/00

Метки: интерференционная, структура

Текст:

...изобретении достигается за счет того, что модовую структуру составного резонатора предлагаемой интерференционной структуры выбирают в соответствии с (1) такой, чтобы в полосу пропускания оптического усилителя попало как минимум 2 моды (частоты) составного резонатора. В этом случае изменение накачки оптического усилителя приводит к соответствующей вариации коэффициента преломления нелинейной усиливающей среды в нем, меняется оптическая...

Витая проволочная структура

Загрузка...

Номер патента: 4283

Опубликовано: 30.03.2002

Авторы: Павлюченко Анатолий Петрович, Кляченков Виктор Алексеевич, Филиппов Вадим Владимирович, Баглай Геннадий Валерианович, Бирюков Борис Александрович

МПК: B60C 9/00, D07B 1/06

Метки: структура, проволочная, витая

Текст:

...) 1 Таким образом, соотношение (2) обеспечивает условие равенства длин проволок наружного элемента и сердечника, а значит и равномерное распределение нагрузки при эксплуатации витого изделия. Изобретение поясняется чертежом, где на фиг. 1 показано сечение витой структуры, состоящей из пяти наружных проволок диаметром 2, навитых по спирали с радиусом спирали 2 на сердечник из проволок или проволоки диаметром 1 с радиусом спирали 1. При этом...

Схемная структура с по меньшей мере одним конденсатором и способ ее изготовления

Загрузка...

Номер патента: 3908

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Вольфганг ХЕНЛЯЙН, Фолькер ЛЕМАНН, Михаэль БОЙ

МПК: H01L 27/10, H01G 4/008

Метки: мере, одним, структура, схемная, меньшей, конденсатором, способ, изготовления

Текст:

...является идеально применимым для - - элементов, т.е. элементов с поверхностным монтажом. Для оптимизации способа изготовления используют все секреты производства кремниевой микроэлектроники. После изготовления дырочных отверстий на поверхности подложки создают диэлектрический слой. Так как диэлектрический слой должен конформно покрывать всю поверхность, также и в области дырочных отверстий, в качестве диэлектрических слоев пригодны...