Патенты с меткой «структур»

Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур

Загрузка...

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович

МПК: C23C 14/28, H01G 7/06, C23C 14/08...

Метки: структур, конденсаторных, пленок, тонких, получения, способ

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Способ получения мишени для напыления магниточувствительных структур

Загрузка...

Номер патента: 18169

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Каланда Николай Александрович, Демьянов Сергей Евгеньевич

МПК: C23C 14/00, C04B 35/40, C04B 35/495...

Метки: получения, мишени, магниточувствительных, напыления, способ, структур

Текст:

...3 и карбоната стронция 3, взятых в стехиометрическом соотношении и смешанных с ацетоном до получения гомогенной смеси с последующим ее отжигом при высокой температуре в восстановительной среде. Новым, по мнению авторов, является то, что в качестве исходных реагентов используют соединения 1,60,42,5 и 3, которые затем смешивают в стехиометрическом соотношении, добавляя пластификатор - парафин - в пропорции 110, прессуют и отжигают при...

Устройство для оценки параметров динамического диапазона высокочастотных транзисторных структур

Загрузка...

Номер патента: U 9334

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Малевич Игорь Юрьевич, Каленкович Евгений Николаевич

МПК: G01R 27/00

Метки: параметров, оценки, устройство, диапазона, динамического, транзисторных, структур, высокочастотных

Текст:

...является способ согласования транзисторов и составных транзисторных структур с измерительным трактом. Сущность полезной модели устройства для оценки параметров динамического диапазона, состоящего из соединительных высокочастотных разъемов, цепей питания по постоянному току, цепей местной отрицательной обратной связи, исследуемого активного усилительного элемента, заключается в отличии способа согласования исследуемого активного элемента с...

Устройство для изготовления структур цилиндрической симметрии из полимерного геля

Загрузка...

Номер патента: U 8939

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Жук Игорь Георгиевич, Салмина Анастасия Владимировна, Салмин Роман Михайлович

МПК: A61B 17/00, B29C 31/00

Метки: симметрии, структур, устройство, изготовления, цилиндрической, полимерного, геля

Текст:

...шляпкой на свободном конце и с заостренным нагрузочным концом, соединенным с пружиной для присоединения электродвигателя, напротив формовочного вала располагаются четыре тонкие силиконовые трубочки для дозированной подачи полимерного геля, закрепленные на сглаживающей пластине при помощи металлических скоб так, чтобы расстояние между трубочками и зазор между их концами и формовочным валом были равны их просвету, в верхней части камеры имеется...

Способ ультразвукового исследования структур сердца плода человека

Загрузка...

Номер патента: 15864

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Чуканов Алексей Николаевич

МПК: A61B 8/00

Метки: структур, плода, исследования, сердца, человека, способ, ультразвукового

Текст:

...предлагаемого изобретения является визуализация сердца плода при любом его расположении. Поставленная задача решается следующим образом предложен способ ультразвукового исследования структур сердца плода человека при расположении плода позвоночником вплотную к передней брюшной стенке беременной, заключающийся в том, что осуществляют визуализацию структур сердца плода, устанавливая конвексный датчик на промежность беременной. На фиг. 1...

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: приборных, радиационной, быстродействующих, способ, изготовлении, приборов, обработки, полупроводниковых, структур

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15472

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: структур, ориентации, эпитаксиальных, кремниевых, изготовления, способ, 001

Текст:

...пирамидальных дефектов по всей площади ЭС. Образуется новый, второй уровень кристаллографических дефектов (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей первичных элементов пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15471

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: кремниевых, способ, изготовления, ориентации, 001, структур, эпитаксиальных

Текст:

...дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. 15471 1 2012.02.28 С каждым новым этапом формирования элементов возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер вытравленного рисунка обеспечивает одновременное наличие дефектов различного размера или уровня. Эти уровни существуют не независимо...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур

Загрузка...

Номер патента: 14870

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Кривчик Петр Петрович, Мышук Виктор Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Довнар Николай Александрович

МПК: H01L 21/36, C30B 25/20

Метки: эпитаксиальных, кремниевых, изготовления, структур, способ

Текст:

...в реактор подают с точкой росы, равной или меньшей минус 70 С, предэпитаксиальный отжиг подложек проводят в атмосфере водорода, а его расход при продувке реактора с нагревом или снижением температуры подложкодержателя задают в пределах от 0,4 до 0,7 от расхода водорода при предэпитаксиальном отжиге. Сопоставительный анализ заявляемого изобретения с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что водород в...

Способ изготовления кремниевых эпитаксиальных структур ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 14911

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302

Метки: 111, способ, изготовления, кремниевых, структур, эпитаксиальных, ориентации

Текст:

...вписывание элементов двух типов ямок и островков - приводит к тому, что конечная структура состоит из элементов одинакового минимального размера, элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать...

Способ изготовления алмазного теплоотводящего основания для лазерных диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 14404

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Рябцев Геннадий Иванович, Баранов Валентин Владимирович, Беляева Ада Казимировна, Паращук Валентин Владимирович, Телеш Евгений Владимирович

МПК: H01S 3/04, H01L 33/00, H01L 21/02...

Метки: алмазного, изготовления, диодных, теплоотводящего, структур, лазерных, способ, основания

Текст:

...и температуре. Кристаллы вырезались по плоской сетке куба усеченного октаэдра и имели размеры 1,51,50,3 мм. Полировкаосуществлялась с доведением шероховатости поверхности до значений 2,8-12,8 нм. Использовались и природные алмазные образцы, а также поликристалличе 3 14404 1 2011.06.30 ские синтетические алмазные основания, выращенные модифицированным -методом(, напыление путем химической газотранспортной реакции), с размерами 122,50,3 мм, а...

Способ повышения радиационной стойкости биполярных кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 13703

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/00

Метки: повышения, биполярных, стойкости, радиационной, способ, структур, кремниевых

Текст:

...стойкости биполярных кремниевых структур, при котором осуществляют их термообработку при температуре 400-450 С в течение 18002700 с и воздействуют проникающим излучением. Новым, по мнению авторов, является то, что в процессе термообработки облучают упомянутые структуры пучком электронов с интенсивностью от 11010 до 51010 см-2 с-1. Сущность изобретения. Известно, что термообработка кислородного -типа кремния в диапазоне 400-500 С существенно...

Способ сборки лазерных структур на теплоотводящем основании из керамики нитрида бора

Загрузка...

Номер патента: 13388

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Щемелев Максим Анатольевич, Шишенок Николай Александрович, Тепляшин Леонид Леонидович, Соколов Сергей Николаевич, Жиздюк Татьяна Борисовна, Красковский Андрей Сергеевич, Рябцев Андрей Геннадьевич, Паращук Валентин Владимирович, Кабанов Владимир Викторович, Безъязычная Татьяна Владимировна, Микаелян Геворк Татевосович, Пожидаев Александр Викторович, Леончик Сергей Викентьевич, Богданович Максим Владимирович, Беляева Ада Каземировна, Шишенок Елена Михайловна, Рябцев Геннадий Иванович, Титовец Сергей Николаевич

МПК: H01L 33/00, H01S 5/00

Метки: способ, бора, лазерных, керамики, основании, сборки, теплоотводящем, структур, нитрида

Текст:

...распределение припоя по поверхности монтажной пластины можно получить нанесением последовательно в едином технологическом цикле четырех металлов хромникель-олово-серебро (патент 2173913, МПК 601 21/58, опубл. 15.07.1999). Каждый из вышеперечисленных способов имеет свой недостаток. Так, в техническом решении по патенту 2075140 на монтажную поверхность наносится слой золота,геометрические параметры которого необходимо выдерживать в жестких...

Способ разбраковки полупроводниковых кремниевых диодных структур

Загрузка...

Номер патента: 13236

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремниевых, способ, полупроводниковых, разбраковки, структур, диодных

Текст:

...прикладывают к тестовой структуре контакты и пропускают через нее импульсы прямого, а затем обратного тока, измеряют прямое падение напряжения и определяют время жизни неосновных носителей заряда в 2 13236 1 2010.06.30 базовой области, по которому осуществляют разбраковку структур, причем измеряют прямое падение напряжения посредством дополнительных контактов, прикладываемых к тестовой структуре. Сущность изобретения заключается в том,...

Устройство для интерферометрического контроля элементов периодических структур пропускающего типа

Загрузка...

Номер патента: U 4530

Опубликовано: 30.08.2008

Автор: Ляликов Александр Михайлович

МПК: G01B 9/00

Метки: типа, устройство, контроля, периодических, структур, пропускающего, элементов, интерферометрического

Текст:

...и эталонного элементов, определяемое вдоль направления сдвига интерферирующих пучков, равно величине бокового сдвига между интерферирующими пучками. Технический результат, достигаемый в полезной модели, - повышение светосилы устройства за счет исключения при получении интерференционной картины пучков, испытавших двойную дифракцию. Данный технический результат способствует улучшению технических характеристик устройства...

Способ термообработки кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 10862

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Гуринович Валентина Артемовна, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, структур, термообработки, кремниевых

Текст:

...получить оптимальное соотношение между процессами накопления термодоноров, дефектов акцепторного типа, обусловленных термоударом и снижающих время жизни носителей заряда, и возникновением механических напряжений в пластинах, увеличивающих бой на стадии фотолитографии и скрайбирования пластин. Если скорость охлаждения установить ниже заданной в формуле изобретения, то за счет увеличения вероятности образования термодоноров (при...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 8924

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ярмолицкий Вячеслав Феликсович, Конойко Алексей Иванович

МПК: G02B 27/42

Метки: структур, изготовления, периодических, устройство

Текст:

...фокусном расстоянии выходной линзы от регистрирующего материала, дополнительно содержит между лазерным источником излучения и коллиматором амплитудный модулятор, между входной и выходной линзами второй системы Кеплера, в передней фокальной плоскости выходной линзы - управляемую двумерную светомодулирующую структуру,объектив, в передней фокальной плоскости которого установлен регистрирующий материал, а в задней - двумерная фотоприемная...

Металлический компонент с обработанной поверхностью для армирующих структур для изделий, изготовленных из вулканизованного эластомерного материала, армирующая структура, изделие(варианты) и способ электролитического осаждения сплава

Загрузка...

Номер патента: 8789

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: РАТТИ Джузеппина, ПАВАН Федерико

МПК: C25D 3/56, B29B 15/14

Метки: обработанной, структура, компонент, способ, армирующих, изготовленных, эластомерного, вулканизованного, осаждения, электролитического, изделий, сплава, структур, изделие(варианты, металлический, армирующая, поверхностью, материала

Текст:

...покрытие на стальной компонент из металла или из металлического сплава для того, чтобы создать для стали коррозионную стойкость и обеспечить хорошую адгезию к вулканизованному эластомерному материалу.Более того, при том условии, что уже имеется нанесенное покрытие, упомянутая стальная проволока подвергается процессу вытяжки, который проводится несколько раз до тех пор, пока не будут достигнуты требуемые размеры проволоки. Покрытие на...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 8450

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Гончаренко Игорь Андреевич, Конойко Алексей Иванович, Ярмолицкий Вячеслав Феликсович

МПК: G02B 27/42

Метки: устройство, структур, изготовления, периодических

Текст:

...факторов вибраций, дифракционных шумов и случайного изменения оптической разности хода. Техническая задача решается тем, что в устройство для изготовления периодических структур, содержащее оптически связанные лазер, частотосдвигающий модулятор, а также подвижный в перпендикулярном направлении относительно записываемых штрихов периодической структуры регистрирующий материал, введены установленный на выходе лазера волоконно-оптический...

Армирующая текстильная ткань для оптимизации стабильности размеров слоистых композиционных структур, включая изделия для электротехники и электроники

Загрузка...

Номер патента: 8175

Опубликовано: 30.06.2006

Авторы: СКАРИ, Марко, СКАРИ, Диего

МПК: D03D 15/00, H05K 1/03, D03D 1/00...

Метки: электротехники, армирующая, ткань, слоистых, текстильная, включая, стабильности, структур, размеров, композиционных, оптимизации, изделия, электроники

Текст:

...спиралевидную (эликоидальную) форму. Таким образом, при каждой температурной нагрузке нить ведет себя подобно пружине, когда нагрев при высоких температурах вь 1 зь 1 вает удлинение, а охлаждение вызывает сжатие. Теперь, если каждая нить имеет одинаковое направление кручения, эти температурные нагрузки будут вызывать скручивание всей слоистой композиционной структуры. Однако, поскольку удлинение вследствие нагрева и сжатие вследствие...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 7679

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Ярмолицкий Вячеслав Феликсович, Конойко Алексей Иванович

МПК: G02F 1/21, G02B 27/42

Метки: структур, устройство, периодических, изготовления

Текст:

...поясняется на фигуре, где 1 - лазер 2 - поляризационный модулятор 3 - фазовый элемент /4 4 - телескопический расширитель пучка 5 - поляризационный светоделитель 6 - сигнальный канал 7 - опорный канал 8, 11- плоские зеркала 9 - частотосдвигающий модулятор 10 - анализатор поляризации 12 - светоделитель 13 - регистрирующий материал 14 - измеритель скорости движения интерференционных полос 15 - устройство перемещения регистрирующего...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 7333

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Пилипович Владимир Антонович, Конойко Алексей Иванович, Ярмолицкий Вячеслав Феликсович

МПК: G02B 27/42

Метки: устройство, периодических, изготовления, структур

Текст:

...при помощи электрооптики. 2 7333 1 2005.09.30 Сущность изобретения поясняется на фиг. 1, где 1 - лазерный источник когерентного излучения 2 - поляризационный модулятор 3 - телескопический коллиматор светового пучка 4 - поляризационный светоделитель 5 - частотосдвигающий модулятор 6 - первое плоское зеркало 7 - первый фокусирующий объектив 8 - второе плоское зеркало 9 - двухкоординатный угловой дефлектор 10 - второй фокусирующий объектив 11...

Деформатор кручения витых структур

Загрузка...

Номер патента: 7120

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Бирюков Борис Александрович, Ежов Виктор Васильевич, Лашук Александр Григорьевич, Сосновский Александр Алесандрович

МПК: D07B 3/00

Метки: кручения, деформатор, структур, витых

Текст:

...подкрутку (открутку) витой структуры за счет качения в поперечном направлении по поверхности ручьев роликов, оси которь 1 х повернуть 1 в плоскости их вращения так, что последняя составляет некоторый угол с продольной осью витой структурь 1. Величина угла поворота плоскости вращения роликов контролирует степень подкрутки витой структурь 1, чем достигается увеличение точности процесса по параметру остаточного кручения готового витого...

Способ изготовления полупроводниковых кремниевых структур с геттером

Загрузка...

Номер патента: 6541

Опубликовано: 30.09.2004

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/265

Метки: геттером, структур, изготовления, способ, кремниевых, полупроводниковых

Текст:

...толщина пленки очень мала, она удаляется очень быстро. Обычно процесс предэпитаксиального отжига проводят в течение 0,5-2 мин. При этом происходит также следующее. Водород вследствие малого размера атома быстро диффундирует в кремний и насыщает его. Соединяясь с кислородом, растворенным в кремнии, он образует воду, которая диффундирует 2 6541 1 к поверхности пластины и испаряется из нее. У поверхности пластин образуется обедненная кислородом,...

Способ определения морфологических нарушений поверхностных структур стенки толстой кишки по данным рентгенологических исследований

Загрузка...

Номер патента: 6334

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Жук Елена Георгиевна, Черненко Александр Николаевич, Михайлов Анатолий Николаевич, Герман Валерий Матвеевич

МПК: A61B 6/00

Метки: кишки, морфологических, нарушений, поверхностных, способ, структур, исследований, данным, толстой, определения, рентгенологических, стенки

Текст:

...количество слизи Анализ крови- умеренный лейкоцитоз. При ректороманоскопии слизистая в ректосигмоидном отделе отечна. в просвете слизь. Ирригоскопия контуры толстой кишки при тугом бариевом заполнении четкие. ровные. гаустры обычной формы. ритмичные. зазубренные в левом отделе. диаметр кишки в левом отделе сужен. кишка плохо расправляется при пальпации и восстанавливает свой просвет. Складки слизистой утолщены. отечным При двойном...

Способ диагностики поражения морфологических структур глубоких слоев стенки толстой кишки по данным рентгенологических исследований

Загрузка...

Номер патента: 6333

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Герман Валерий Матвеевич, Михайлов Анатолий Николаевич

МПК: A61B 6/00

Метки: исследований, кишки, структур, поражения, стенки, слоев, толстой, способ, рентгенологических, диагностики, морфологических, глубоких, данным

Текст:

...гаустр деформирована. контур их зазубрен. в отдельных участках гаустры сглажены. плохо дифференЦируются. в левом фланге в проекЦии четвертого сегмента определяется симптом водопроводной трубы. кищка при пальпаЦии болезненна. просвет ее резко сужен. сократимость не определяется При двойном контрастировании складки атрофичны. с измененной направленностью. местами не определяются Просвет кищки резко сужен в третьем и четвертом сегментах Диагноз...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 5738

Опубликовано: 30.12.2003

Авторы: Конойко Алексей Иванович, Пилипович Владимир Антонович, Поляков Владимир Иванович, Ярмолицкий Вячеслав Феликсович

МПК: G02B 27/42

Метки: устройство, изготовления, структур, периодических

Текст:

...выходной линзы второй телескопической системы Кеплера. Сущность построения предлагаемого устройства для изготовления периодических структур заключается в оригинальном решении вопроса требуемой трансляции интерферирующих световых потоков и пространственной фильтрации паразитных световых пучков. Сущность изобретения поясняется на фигуре, где 1 - лазерный источник излучения 2 - коллиматор 3 - входной световой пучок 4 - эталонная...

Устройство для изготовления периодических структур

Загрузка...

Номер патента: 4772

Опубликовано: 30.12.2002

Авторы: Ярмолицкий Вячеслав Феликсович, Конойко Алексей Иванович, Пилипович Владимир Антонович, Поляков Владимир Иванович

МПК: G02B 27/42

Метки: устройство, структур, изготовления, периодических

Текст:

...плоскостям поляризационного светоделителя и анализатора поляризации,повернутого на угол 90 относительно поляризационного светоделителя. Сущность построения предлагаемого устройства для изготовления периодических структур заключается в оригинальном решении вопроса согласования интенсивностей интерферирующих световых пучков в совокупности с разделением светового пучка на опорный и сигнальный каналы и созданием нестационарного...

Способ изготовления оптических структур и устройство для осуществления операции плавления

Загрузка...

Номер патента: 3149

Опубликовано: 30.12.1999

Авторы: Йоахим Хентце, Виталий Н. Лисоченко

МПК: G02B 3/00

Метки: изготовления, способ, структур, осуществления, устройство, плавления, операции, оптических

Текст:

...прежде чем осуществить плавление поверхности. Предпочтительным является, если температура нагрева примерно на 50-100 К ниже температуры плавления или размягчения материала основной структуры. Это позволяет, например,выплавлять кварц, с помощью которого можно изготавливать высококачественные линзы и линзовые системы. Металлы, которые находят применение, например, в качестве оптических зеркал, также можно расплавлять с помощью...

Способ планаризации кремниевых структур

Загрузка...

Номер патента: 2923

Опубликовано: 30.09.1999

Авторы: Красницкий Василий Яковлевич, Захарик Сергей Владимирович, Аношин Валерий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/316

Метки: планаризации, способ, кремниевых, структур

Текст:

...в чистом реакторе, а срок службы реактора и оснастки повышается, что снижает издержки производствам и уровень привносимой дефектности. Издержки производства снижаются также и за счет совмещения двух операций в реакционной камере. При оплавлении БФСС при давлении ниже 20 Па увеличивается испарение из приповерхностного слоя стекла, что может способствовать ухудшению текучести стекла при оплавлении контактов (так называемое второе оплавление)....

Способ намотки бесконечных протяжных структур

Загрузка...

Номер патента: 1791

Опубликовано: 30.12.1997

Авторы: Франтишек Кредатус, Милан Липтак, Владимир Видерманн

МПК: B65H 54/32

Метки: структур, бесконечных, протяжных, намотки, способ

Текст:

...недостатки устра няются при намотке предлагаемым способом бесконечно протяженных структур. особенно вискозных волокон. прядомых. отделываемых. скручиваемых в непрерывном процессе и наматываемых в форме копса таким образом. что при подаче материала на вращающийся цилиндрический или конический патрон и раскладывании материала вдоль патрона перекрещивающимися витками путем сообщения нитеводителю поочередных удлиненных и сокращенных...

Способ создания пассивирующего покрытия полупроводниковых структур

Загрузка...

Номер патента: 1676

Опубликовано: 30.06.1997

Авторы: Верниковский Станислав Антонович, Апанович Леонтий Васильевич, Фазлеев Ким Фахруллович

МПК: H01L 21/314

Метки: создания, пассивирующего, покрытия, полупроводниковых, способ, структур

Текст:

...5 ООО 8 О 0 ОА. Затем создают пленку 5 фосфорносиликатного стекла с 0,5252-ньм содержанием Раб (см.фиг 2). Методом литографии вскрываются контактные окна (см.фиг.3) диаметром 160 мкм в системе оксид кремния фосфорно-силикатное стекло (310, ФСС). Нанесение пленки тантанала 6(см. фнг.4) толщиной 500-600 про ВОДЯТ МЕТОДОМ ППЗЗМЕННОГО РЗСПЪШЕННЯ.для формирования окон диаметром140 мкм, расположенны осесиетрично относительно окон, вскрыты в системе...