Патенты с меткой «солнечной»

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, энергии, солнечной, полупроводниковый

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователя, полупроводникового, изготовления, способ, энергии, солнечной

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: способ, солнечной, энергии, полупроводникового, преобразователя, изготовления

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 17720

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Пилипович Владимир Антонович, Поликанин Александр Михайлович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: солнечной, электрическую, энергии, устройство, концентрации, преобразования

Текст:

...прозрачную призму с нанесенным на ее первую боковую грань селективным зеркалом, установленную на выходе указанной пластины и непосредственно примыкающую к ней в зоне отсутствия отражающей голографической решетки, первая цилиндрическая линза нанесена на указанное селективное зеркало, а вторая цилиндрическая линза - на вторую боковую грань указанной призмы, противоположную первой грани и оптически связанную с ней, при этом отражающая...

Генератор на солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 9552

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 31/042

Метки: энергии, генератор, солнечной

Текст:

...задача решается тем, что генератор на солнечной энергии,содержащий солнечную панель, фоточувствительная поверхность которой оптически свя 2 95522013.10.30 зана с концентратором солнечного излучения термоэлектрическое устройство, горячие и холодные спаи которого термически связаны с ветвями -типа из одного или более сегментов полупроводниковых материалов, легированных донорной примесью, и ветвями-типа из одного или более сегментов...

Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: устройство, преобразования, электрическую, энергии, солнечной

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Преобразователь солнечной энергии в электричество и тепло

Загрузка...

Номер патента: 16126

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович

МПК: H02N 6/00, F24J 2/14, F24J 2/10...

Метки: электричество, преобразователь, энергии, солнечной, тепло

Текст:

...полуцилиндрическим, механически и оптически связан со всеми поверхностями, а в его фокусе расположен тепловой коллектор, на внешней поверхности которого сформирована солнечная панель, причем солнечные элементы, закрепленные на опорной конструкции, имеют развитую фоточувствительную поверхность, а боковые треугольные поверхности выполнены прозрачными. Для эффективного решения поставленной технической задачи тепловой коллектор выполнен...

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, изготовления, электрическую, преобразователя, энергии, способ

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович, Денисенко Михаил Фёдорович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, солнечной, электрическую, преобразователь

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 7509

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Поликанин Александр Михайлович, Залесский Валерий Борисович, Пилипович Владимир Антонович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: преобразования, солнечной, концентрации, устройство, энергии, электрическую

Текст:

...из голографического элемента 1, прилегающего к входной грани плоской прозрачной пластины 2 и образованного примыкающими друг к другу первой 3 и второй 4 пропускающими голографическими решетками, непосредственно к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 прилегают первая 5, вторая 7 отражающие голографические решетки и двойная пропускающая голографическая решетка 6 между ними, вход набора селективных цилиндрических линз Френеля 8...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 14363

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Поликанин Александр Михайлович, Пилипович Владимир Антонович, Залесский Валерий Борисович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: концентрации, преобразования, солнечной, энергии, электрическую, устройство

Текст:

...решетки 5, непосредственно прилегающей к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 и последовательно оптически связанной через набор селективных цилиндрических линз Френеля 6 с блоком селективных линейных фотопреобразователей 7, причем длина каждого селективного линейного фотопреобразователя больше длины соответствующей селективной цилиндрической линзы Френеля на величину определяемую углом ее поля зрения, а ширина двойной гологра 2 14363 1...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 13915

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович

МПК: H02N 6/00, H01L 31/00

Метки: преобразователь, солнечной, электрическую, энергии

Текст:

...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии в холод

Загрузка...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/00

Метки: энергии, полупроводниковый, преобразователь, солнечной, холод

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Полупроводниковый датчик солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, датчик, энергии, полупроводниковый

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Устройство для регистрации прямой солнечной радиации

Загрузка...

Номер патента: U 4598

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кривонощенко Владимир Иванович, Казеев Юрий Иванович, Стрибук Петр Васильевич

МПК: G01T 1/00, G01W 1/12

Метки: радиации, прямой, регистрации, солнечной, устройство

Текст:

...3 соединены со входом электронного блока 4, выход которого электрически связан со входом табло 5. 2 45982008.08.30 Электронный блок 4 включает в себя плату питания, плату измерителя и плату индикации. Плата питания содержит трансформатор 36/12, выпрямитель, стабилизатор 5 и схему защиты модема и интерфейса 485. Плата измерителя содержит аналогоцифровой преобразователь, источник опорного напряжения, микроконтроллер, термостат до 25 С, модем и...

Комплекс для преобразования солнечной энергии в тепловую

Загрузка...

Номер патента: 9611

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Филипенко Евгений Семенович, Баженов Андрей Николаевич, Городов Михаил Иванович, Сычев Михаил Парфенович, Ерохов Николай Михайлович, Чепасов Александр Александрович, Жигайло Виктор Никифорович, Севастьянов Владимир Петрович, Щукин Георгий Лукич, Смарж Иван Ильич, Соловьев Александр Алексеевич, Матасов Рев Александрович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Сидоренко Юрий Петрович, Чабанов Владислав Алимович, Чабанов Алим Иванович, Соболев Валериан Маркович, Воронков Алексей Алексеевич, Марченко Владимир Романович

МПК: F24J 2/42, F24J 2/04

Метки: тепловую, солнечной, преобразования, комплекс, энергии

Текст:

...улучшит качество зеркальной поверхности в области наиболее высокой плотности потока солнечных лучей. Сами геометрические формы встроенных концентраторов и проводников солнечных лучей могут выполняться как из черного или цветного металла, так и из стекла, пластмасс или композитных материалов с покрытием их лучеотражающими поверхностями. Предусматривается также, что внутренняя среда камеры соединена с предохранительными клапанами. В...

Способ преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 9610

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Щукин Георгий Лукич, Филипенко Евгений Семенович, Королев Владислав Михайлович, Соболев Валериан Маркович, Чабанов Алим Иванович, Бакаев Фарид Анварович, Чабанова Владислав Алимович, Смарж Иван Ильич, Мартынов Владимир Георгиевич, Андрианов Иван Тимофеевич, Сидоренко Юрий Петрович, Ерохов Николай Михайлович, Баженов Андрей Николаевич, Сычев Михаил Парфенович, Матасов Рев Александрович, Головченко Александр Иванович

МПК: F03G 6/00, F24J 2/42

Метки: солнечной, электрическую, преобразования, энергии, способ

Текст:

...же атмосферный ветер угрожающе нарастает по своей скорости и давлению, то управляемая гибкая надстройка либо опускается вниз частично или полностью, либо ее ветронагруженная боковая поверхность уменьшается другими средствами управления, при этом такое увеличение скорости ветра обеспечивает и возможность, в то же время, поддерживать выработку электроэнергии на необходимом уровне. Высокодинамичное вращательно-поступательное движение воздушного...

Преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 9069

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 31/06, H01L 31/0352...

Метки: энергии, преобразователь, солнечной

Текст:

...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...

Способ преобразования солнечной энергии в механическую

Загрузка...

Номер патента: 9005

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Воронков Алексей Алексеевич, Жигайло Виктор Никифорович, Чабанов Алим Иванович, Ерохов Николай Михайлович, Филипенко Евгений Семенович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Королев Владислав Михайлович, Матасов Рев Александрович, Соболев Валериан Маркович, Отмахов Леонид Федорович, Бакаев Фарид Анварович, Сычев Михаил Парфенович, Щукин Георгий Лукич, Чепасов Александр Александрович, Смарж Иван Ильич, Чабанов Владислав Алимович, Гуня Михаил Арсентьевич, Севастьянов Владимир Петрович, Сидоренко Юрий Петрович, Соловьев Александр Алексеевич

МПК: F24J 2/00, F24J 2/42

Метки: энергии, преобразования, механическую, солнечной, способ

Текст:

...(см. Не 2698682, опубл. 03.06.94 г.), использующий поглощение солнечных лучей темной поверхностью, нагрев воздуха, контактирующего с темной поверхностью, воздухопроницаемым гелиопогло ВУ 9005 С 1 200741248щающим Материалом, И его дальнейшее направление через ветротурбину. Данное техническое решение в своем конструктивном исполнении более эффективно, Чем предыдущее,в связи с важным применением воздухопроницаемого гелиопоглощающего...

Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации строительных материалов

Загрузка...

Номер патента: 8524

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Хрусталев Борис Михайлович, Якимович Дмитрий Дмитриевич, Захаревич Алексей Эдуардович, Сизов Валерий Дмитриевич, Захаревич Эдуард Владимирович

МПК: G01N 21/00

Метки: определения, радиации, строительных, материалов, солнечной, поглощения, способ, коэффициента

Текст:

...излучения материала- плотность материала, кг/м Примеры осуществления способа. Пример 1. Определяют коэффициент поглощения солнечной радиации дубовой строганной доски при температуре Т 293 К. Известным экспериментальным способом (с помощью компьютерного термографа ИРТИС-200) находят коэффициент излучения 0,90. Далее известным экспериментальным способом (нестационарным методом с помощью прибора ИТ-) определяют коэффициент...

Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей

Загрузка...

Номер патента: 8523

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Якимович Дмитрий Дмитриевич, Захаревич Эдуард Владимирович, Захаревич Алексей Эдуардович, Хрусталев Борис Михайлович, Сизов Валерий Дмитриевич

МПК: G01N 21/00

Метки: способ, коэффициента, поглощения, сталей, солнечной, определения, полированных, радиации

Текст:

...задача решается тем, что в способе определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей, включающем определение коэффициента излучения материала, дополнительно определяют коэффициент теплопроводности, а коэффициент поглощения солнечной радиации Р материала при температуре поверхности материала Т 27340 К определяют по формуле Р(1,29610-22,567),где Р - коэффициент поглощения солнечной радиации материала- коэффициент...

Композиция для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 5569

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Крутько Эльвира Тихоновна, Прокопчук Николай Романович, Мартинкевич Александр Александрович

МПК: C08L 79/08

Метки: композиция, солнечной, формирования, поверхности, энергии, отражающей, концентратора

Текст:

...отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, обладающей улучшенными оптическими и механическими характеристиками. Поставленная задача решается заявляемой композицией для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, содержащей раствор полиамидокислоты на основе пиромеллитового диангидрида и 4,4-диаминодифенилоксида в диметилформамиде (ДМФА), в которую дополнительно введен меламиноформальдегидный олигомер при...