Патенты с меткой «солнечной»

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, солнечной, энергии, полупроводниковый

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, полупроводникового, солнечной, изготовления, преобразователя, способ

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: полупроводникового, способ, солнечной, изготовления, преобразователя, энергии

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 17720

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Поликанин Александр Михайлович, Пилипович Владимир Антонович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: концентрации, солнечной, электрическую, преобразования, энергии, устройство

Текст:

...прозрачную призму с нанесенным на ее первую боковую грань селективным зеркалом, установленную на выходе указанной пластины и непосредственно примыкающую к ней в зоне отсутствия отражающей голографической решетки, первая цилиндрическая линза нанесена на указанное селективное зеркало, а вторая цилиндрическая линза - на вторую боковую грань указанной призмы, противоположную первой грани и оптически связанную с ней, при этом отражающая...

Генератор на солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 9552

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Зыков Григорий Люцианович, Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H01L 31/042

Метки: генератор, солнечной, энергии

Текст:

...задача решается тем, что генератор на солнечной энергии,содержащий солнечную панель, фоточувствительная поверхность которой оптически свя 2 95522013.10.30 зана с концентратором солнечного излучения термоэлектрическое устройство, горячие и холодные спаи которого термически связаны с ветвями -типа из одного или более сегментов полупроводниковых материалов, легированных донорной примесью, и ветвями-типа из одного или более сегментов...

Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, электрическую, энергии, устройство, преобразования

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Преобразователь солнечной энергии в электричество и тепло

Загрузка...

Номер патента: 16126

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Есман Александр Константинович, Кулешов Владимир Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H02N 6/00, F24J 2/10, F24J 2/14...

Метки: энергии, электричество, солнечной, тепло, преобразователь

Текст:

...полуцилиндрическим, механически и оптически связан со всеми поверхностями, а в его фокусе расположен тепловой коллектор, на внешней поверхности которого сформирована солнечная панель, причем солнечные элементы, закрепленные на опорной конструкции, имеют развитую фоточувствительную поверхность, а боковые треугольные поверхности выполнены прозрачными. Для эффективного решения поставленной технической задачи тепловой коллектор выполнен...

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич, Денисенко Михаил Фёдорович, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, энергии, изготовления, способ, преобразователя, электрическую

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Денисенко Михаил Фёдорович, Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, энергии, преобразователь, солнечной

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 7509

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Поликанин Александр Михайлович, Пилипович Владимир Антонович, Залесский Валерий Борисович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: солнечной, электрическую, устройство, преобразования, энергии, концентрации

Текст:

...из голографического элемента 1, прилегающего к входной грани плоской прозрачной пластины 2 и образованного примыкающими друг к другу первой 3 и второй 4 пропускающими голографическими решетками, непосредственно к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 прилегают первая 5, вторая 7 отражающие голографические решетки и двойная пропускающая голографическая решетка 6 между ними, вход набора селективных цилиндрических линз Френеля 8...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 14363

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Пилипович Владимир Антонович, Поликанин Александр Михайлович, Залесский Валерий Борисович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: преобразования, энергии, электрическую, устройство, солнечной, концентрации

Текст:

...решетки 5, непосредственно прилегающей к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 и последовательно оптически связанной через набор селективных цилиндрических линз Френеля 6 с блоком селективных линейных фотопреобразователей 7, причем длина каждого селективного линейного фотопреобразователя больше длины соответствующей селективной цилиндрической линзы Френеля на величину определяемую углом ее поля зрения, а ширина двойной гологра 2 14363 1...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 13915

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H02N 6/00, H01L 31/00

Метки: солнечной, преобразователь, электрическую, энергии

Текст:

...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии в холод

Загрузка...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Шумило Виктор Степанович

МПК: H01L 35/00

Метки: полупроводниковый, энергии, солнечной, холод, преобразователь

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Полупроводниковый датчик солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: датчик, солнечной, полупроводниковый, энергии

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Устройство для регистрации прямой солнечной радиации

Загрузка...

Номер патента: U 4598

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Стрибук Петр Васильевич, Кривонощенко Владимир Иванович, Казеев Юрий Иванович

МПК: G01T 1/00, G01W 1/12

Метки: регистрации, устройство, солнечной, радиации, прямой

Текст:

...3 соединены со входом электронного блока 4, выход которого электрически связан со входом табло 5. 2 45982008.08.30 Электронный блок 4 включает в себя плату питания, плату измерителя и плату индикации. Плата питания содержит трансформатор 36/12, выпрямитель, стабилизатор 5 и схему защиты модема и интерфейса 485. Плата измерителя содержит аналогоцифровой преобразователь, источник опорного напряжения, микроконтроллер, термостат до 25 С, модем и...

Комплекс для преобразования солнечной энергии в тепловую

Загрузка...

Номер патента: 9611

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Воронков Алексей Алексеевич, Сычев Михаил Парфенович, Чепасов Александр Александрович, Марченко Владимир Романович, Филипенко Евгений Семенович, Щукин Георгий Лукич, Жигайло Виктор Никифорович, Смарж Иван Ильич, Матасов Рев Александрович, Соболев Валериан Маркович, Севастьянов Владимир Петрович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Сидоренко Юрий Петрович, Баженов Андрей Николаевич, Городов Михаил Иванович, Чабанов Алим Иванович, Ерохов Николай Михайлович, Соловьев Александр Алексеевич, Чабанов Владислав Алимович

МПК: F24J 2/42, F24J 2/04

Метки: энергии, комплекс, тепловую, преобразования, солнечной

Текст:

...улучшит качество зеркальной поверхности в области наиболее высокой плотности потока солнечных лучей. Сами геометрические формы встроенных концентраторов и проводников солнечных лучей могут выполняться как из черного или цветного металла, так и из стекла, пластмасс или композитных материалов с покрытием их лучеотражающими поверхностями. Предусматривается также, что внутренняя среда камеры соединена с предохранительными клапанами. В...

Способ преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 9610

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Щукин Георгий Лукич, Сидоренко Юрий Петрович, Головченко Александр Иванович, Смарж Иван Ильич, Королев Владислав Михайлович, Сычев Михаил Парфенович, Филипенко Евгений Семенович, Чабанов Алим Иванович, Матасов Рев Александрович, Соболев Валериан Маркович, Ерохов Николай Михайлович, Чабанова Владислав Алимович, Андрианов Иван Тимофеевич, Баженов Андрей Николаевич, Мартынов Владимир Георгиевич, Бакаев Фарид Анварович

МПК: F03G 6/00, F24J 2/42

Метки: энергии, солнечной, преобразования, способ, электрическую

Текст:

...же атмосферный ветер угрожающе нарастает по своей скорости и давлению, то управляемая гибкая надстройка либо опускается вниз частично или полностью, либо ее ветронагруженная боковая поверхность уменьшается другими средствами управления, при этом такое увеличение скорости ветра обеспечивает и возможность, в то же время, поддерживать выработку электроэнергии на необходимом уровне. Высокодинамичное вращательно-поступательное движение воздушного...

Преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 9069

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Василий Андреевич, Сычик Андрей Васильевич

МПК: H01L 31/0352, H01L 31/04, H01L 31/06...

Метки: преобразователь, энергии, солнечной

Текст:

...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...

Способ преобразования солнечной энергии в механическую

Загрузка...

Номер патента: 9005

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Гуня Михаил Арсентьевич, Соловьев Александр Алексеевич, Чабанов Алим Иванович, Чепасов Александр Александрович, Ерохов Николай Михайлович, Отмахов Леонид Федорович, Смарж Иван Ильич, Соболев Валериан Маркович, Щукин Георгий Лукич, Сычев Михаил Парфенович, Сидоренко Юрий Петрович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Воронков Алексей Алексеевич, Жигайло Виктор Никифорович, Матасов Рев Александрович, Бакаев Фарид Анварович, Филипенко Евгений Семенович, Королев Владислав Михайлович, Чабанов Владислав Алимович, Севастьянов Владимир Петрович

МПК: F24J 2/00, F24J 2/42

Метки: преобразования, энергии, механическую, солнечной, способ

Текст:

...(см. Не 2698682, опубл. 03.06.94 г.), использующий поглощение солнечных лучей темной поверхностью, нагрев воздуха, контактирующего с темной поверхностью, воздухопроницаемым гелиопогло ВУ 9005 С 1 200741248щающим Материалом, И его дальнейшее направление через ветротурбину. Данное техническое решение в своем конструктивном исполнении более эффективно, Чем предыдущее,в связи с важным применением воздухопроницаемого гелиопоглощающего...

Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации строительных материалов

Загрузка...

Номер патента: 8524

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Якимович Дмитрий Дмитриевич, Хрусталев Борис Михайлович, Сизов Валерий Дмитриевич, Захаревич Алексей Эдуардович, Захаревич Эдуард Владимирович

МПК: G01N 21/00

Метки: строительных, материалов, радиации, способ, поглощения, солнечной, коэффициента, определения

Текст:

...излучения материала- плотность материала, кг/м Примеры осуществления способа. Пример 1. Определяют коэффициент поглощения солнечной радиации дубовой строганной доски при температуре Т 293 К. Известным экспериментальным способом (с помощью компьютерного термографа ИРТИС-200) находят коэффициент излучения 0,90. Далее известным экспериментальным способом (нестационарным методом с помощью прибора ИТ-) определяют коэффициент...

Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей

Загрузка...

Номер патента: 8523

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Захаревич Алексей Эдуардович, Якимович Дмитрий Дмитриевич, Хрусталев Борис Михайлович, Сизов Валерий Дмитриевич, Захаревич Эдуард Владимирович

МПК: G01N 21/00

Метки: поглощения, солнечной, сталей, определения, способ, полированных, радиации, коэффициента

Текст:

...задача решается тем, что в способе определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей, включающем определение коэффициента излучения материала, дополнительно определяют коэффициент теплопроводности, а коэффициент поглощения солнечной радиации Р материала при температуре поверхности материала Т 27340 К определяют по формуле Р(1,29610-22,567),где Р - коэффициент поглощения солнечной радиации материала- коэффициент...

Композиция для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 5569

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Мартинкевич Александр Александрович, Прокопчук Николай Романович, Крутько Эльвира Тихоновна

МПК: C08L 79/08

Метки: отражающей, концентратора, энергии, формирования, поверхности, солнечной, композиция

Текст:

...отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, обладающей улучшенными оптическими и механическими характеристиками. Поставленная задача решается заявляемой композицией для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, содержащей раствор полиамидокислоты на основе пиромеллитового диангидрида и 4,4-диаминодифенилоксида в диметилформамиде (ДМФА), в которую дополнительно введен меламиноформальдегидный олигомер при...