Патенты с меткой «солнечной»

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18230

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, преобразователь, полупроводниковый, энергии

Текст:

...полупроводника сформирован на -слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией 10 2010 21 см-3, обладает малым электросопротивлением и обеспечивает омический контакт с металлическим основанием 5. Его толщина составляет (0,10,4). Аналогичной концентрацией легирующей примеси обладает сильнолегированный -слой 6 широкозонного полупроводника, размещенный на -слое 1, однако его толщина составляет (0,30,5). Омическим контактом к...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18229

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, способ, энергии, изготовления, полупроводникового, преобразователя

Текст:

...диффузии на -слое широкозонного полупроводника, например кремния, формируют сильнолегированный -слой, легированный акцептной примесью бором с концентрацией примеси 1020 - 1021 см-3. Температура процесса диффузии бора 1000-1100 , а время процесса составляет 0,3-0,8 ч. Стравливают обратную сторону монокристаллической полупроводниковой подложки-типа, например кремниевой, методом ионно-плазменного травления до требуемой толщины в...

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 18231

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Сычик Василий Андреевич, Латышев Сергей Викторович

МПК: H01L 31/04, H01L 31/18

Метки: способ, полупроводникового, преобразователя, энергии, солнечной, изготовления

Текст:

...слой -типа более широкозонного полупроводника , легированный акцепторной примесьюс концентрацией(15)1016 см-3,и слой -типа более широкозонного полупроводника , легированного донорной примесью с(15)1016 см-3. Средняя скорость наращивания - и -слоев более широкозонного полупроводника составляет 2030 /с, температура нагрева основания Т 300400 С, а толщина этих слоев составляет 0,40,6 мкм. На - и -слоях более широкозонного полупроводника...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 17720

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Пилипович Владимир Антонович, Поликанин Александр Михайлович, Конойко Алексей Иванович

МПК: H02N 6/00

Метки: концентрации, электрическую, энергии, солнечной, преобразования, устройство

Текст:

...прозрачную призму с нанесенным на ее первую боковую грань селективным зеркалом, установленную на выходе указанной пластины и непосредственно примыкающую к ней в зоне отсутствия отражающей голографической решетки, первая цилиндрическая линза нанесена на указанное селективное зеркало, а вторая цилиндрическая линза - на вторую боковую грань указанной призмы, противоположную первой грани и оптически связанную с ней, при этом отражающая...

Генератор на солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 9552

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H01L 31/042

Метки: энергии, генератор, солнечной

Текст:

...задача решается тем, что генератор на солнечной энергии,содержащий солнечную панель, фоточувствительная поверхность которой оптически свя 2 95522013.10.30 зана с концентратором солнечного излучения термоэлектрическое устройство, горячие и холодные спаи которого термически связаны с ветвями -типа из одного или более сегментов полупроводниковых материалов, легированных донорной примесью, и ветвями-типа из одного или более сегментов...

Устройство преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 8466

Опубликовано: 30.08.2012

Автор: Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: электрическую, солнечной, преобразования, устройство, энергии

Текст:

...Как показали результаты расчета и эксперимента,высота выступов-слоя 2 составляет 100200 мкм, их диаметр равен 100200 мкм, а ширина впадин, то есть расстояние между выступами, составляет 100200 мкм. Затем на сформированный-слой 2 с выступами и впадинами конформно наносятся методом молекулярно-лучевой эпитаксии -слой 3 того же широкозонного полупроводника собственной проводимости, обладающего высокой подвижностью носителей...

Преобразователь солнечной энергии в электричество и тепло

Загрузка...

Номер патента: 16126

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович, Кулешов Владимир Константинович

МПК: H02N 6/00, F24J 2/10, F24J 2/14...

Метки: тепло, электричество, энергии, солнечной, преобразователь

Текст:

...полуцилиндрическим, механически и оптически связан со всеми поверхностями, а в его фокусе расположен тепловой коллектор, на внешней поверхности которого сформирована солнечная панель, причем солнечные элементы, закрепленные на опорной конструкции, имеют развитую фоточувствительную поверхность, а боковые треугольные поверхности выполнены прозрачными. Для эффективного решения поставленной технической задачи тепловой коллектор выполнен...

Способ изготовления преобразователя солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15176

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Денисенко Михаил Фёдорович, Латышев Сергей Викторович, Леонов Василий Севастьянович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: энергии, электрическую, преобразователя, солнечной, изготовления, способ

Текст:

...гидридной эпитаксии(600700) С, а средняя скорость наращивания эпитаксиального слоя составляет (2030) /сек. Методом термической диффузии на -слое широкозонного полупроводника (кремния) формируют -слой, легированный акцепторной примесью - бором с концентрацией(10161017) см-3, толщиной (0,30,6) мкм. Температура процесса диффузии бора(10001100) С, а время процесса составляет (0,60,9) часа. Методом термической диффузии на -слое кремния формируют...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 15175

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Леонов Василий Севастьянович, Латышев Сергей Викторович, Сычик Василий Андреевич, Денисенко Михаил Фёдорович

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразователь, энергии, электрическую, солнечной

Текст:

...полупроводника легирован акцепторной примесью с концентрацией (10161017) см-3, его толщина обусловливается максимальным переносом фото -инжектированных в -слое 2 носителей к-слою 4. Как показали результаты эксперимента, толщина -слоя 3 широкозонного полупроводника составляет (0,20,4) . Сильнолегированный -слой 4 широкозонного полупроводника сформирован на р-слое 3 путем введения акцепторной примеси с высокой концентрацией(10201021)...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: U 7509

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Поликанин Александр Михайлович, Пилипович Владимир Антонович, Конойко Алексей Иванович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H02N 6/00

Метки: устройство, преобразования, концентрации, солнечной, энергии, электрическую

Текст:

...из голографического элемента 1, прилегающего к входной грани плоской прозрачной пластины 2 и образованного примыкающими друг к другу первой 3 и второй 4 пропускающими голографическими решетками, непосредственно к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 прилегают первая 5, вторая 7 отражающие голографические решетки и двойная пропускающая голографическая решетка 6 между ними, вход набора селективных цилиндрических линз Френеля 8...

Устройство для концентрации солнечной энергии и преобразования ее в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 14363

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Поликанин Александр Михайлович, Конойко Алексей Иванович, Залесский Валерий Борисович, Пилипович Владимир Антонович

МПК: H02N 6/00

Метки: солнечной, концентрации, электрическую, устройство, преобразования, энергии

Текст:

...решетки 5, непосредственно прилегающей к выходной грани плоской прозрачной пластины 2 и последовательно оптически связанной через набор селективных цилиндрических линз Френеля 6 с блоком селективных линейных фотопреобразователей 7, причем длина каждого селективного линейного фотопреобразователя больше длины соответствующей селективной цилиндрической линзы Френеля на величину определяемую углом ее поля зрения, а ширина двойной гологра 2 14363 1...

Преобразователь солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 13915

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Кулешов Владимир Константинович, Есман Александр Константинович, Зыков Григорий Люцианович

МПК: H02N 6/00, H01L 31/00

Метки: электрическую, солнечной, преобразователь, энергии

Текст:

...элементов преобразователя солнечной энергии. В преобразователе солнечной энергии в электрическую входное солнечное излучение 1 параллельно поступает в массив оптических средств 3 и фокусирующий концентратор отражающего типа 2, содержащий оптически последовательно расположенные сферические зеркала 13 и плоские зеркала 14. Плоские зеркала 14 оптически связаны с массивом оптических средств 3, в котором каждое из оптических средств связано с...

Полупроводниковый преобразователь солнечной энергии в холод

Загрузка...

Номер патента: U 5481

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 35/00

Метки: полупроводниковый, солнечной, преобразователь, энергии, холод

Текст:

...7 (прозрачный антиотражательный элемент), оптическая плотность которого выше, чем у р-слоя 6. В качестве материала просветляющего слоя используются окислы кремнияи О 2, а оптимальная толщина просветляющего слоя 7 составляет 0,05-0,15 мкм. Толщина металлического слоя решетчатого омического контакта 8 составляет 1-3 мкм, а занимаемая им площадь составляет 512 от всей площади р-слоя 6 устройства. При контакте невырожденных полупроводников...

Полупроводниковый датчик солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: U 5383

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Шумило Виктор Степанович, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечной, датчик, энергии, полупроводниковый

Текст:

...и обеспечивает омический контакт с электропроводящим слоем 4. Его толщина составляет (0,10,3) . Омическим контактом к р-слою 3 является проводящий слой 4,выполненный из прозрачного материала, например окиси индия-олова, который одновременно является просветляющим слоем. Он формируется толщиной (13) мкм. С помощью электропроводящего клея к нему по периметру присоединяется внешний металлический вывод 5, а сильнолегированный...

Устройство для регистрации прямой солнечной радиации

Загрузка...

Номер патента: U 4598

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Кривонощенко Владимир Иванович, Казеев Юрий Иванович, Стрибук Петр Васильевич

МПК: G01W 1/12, G01T 1/00

Метки: прямой, регистрации, радиации, устройство, солнечной

Текст:

...3 соединены со входом электронного блока 4, выход которого электрически связан со входом табло 5. 2 45982008.08.30 Электронный блок 4 включает в себя плату питания, плату измерителя и плату индикации. Плата питания содержит трансформатор 36/12, выпрямитель, стабилизатор 5 и схему защиты модема и интерфейса 485. Плата измерителя содержит аналогоцифровой преобразователь, источник опорного напряжения, микроконтроллер, термостат до 25 С, модем и...

Комплекс для преобразования солнечной энергии в тепловую

Загрузка...

Номер патента: 9611

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Сидоренко Юрий Петрович, Городов Михаил Иванович, Соловьев Александр Алексеевич, Чабанов Алим Иванович, Матасов Рев Александрович, Жигайло Виктор Никифорович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Щукин Георгий Лукич, Ерохов Николай Михайлович, Баженов Андрей Николаевич, Чабанов Владислав Алимович, Филипенко Евгений Семенович, Чепасов Александр Александрович, Воронков Алексей Алексеевич, Сычев Михаил Парфенович, Севастьянов Владимир Петрович, Марченко Владимир Романович, Соболев Валериан Маркович, Смарж Иван Ильич

МПК: F24J 2/04, F24J 2/42

Метки: солнечной, преобразования, тепловую, энергии, комплекс

Текст:

...улучшит качество зеркальной поверхности в области наиболее высокой плотности потока солнечных лучей. Сами геометрические формы встроенных концентраторов и проводников солнечных лучей могут выполняться как из черного или цветного металла, так и из стекла, пластмасс или композитных материалов с покрытием их лучеотражающими поверхностями. Предусматривается также, что внутренняя среда камеры соединена с предохранительными клапанами. В...

Способ преобразования солнечной энергии в электрическую

Загрузка...

Номер патента: 9610

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Мартынов Владимир Георгиевич, Чабанова Владислав Алимович, Бакаев Фарид Анварович, Матасов Рев Александрович, Щукин Георгий Лукич, Ерохов Николай Михайлович, Андрианов Иван Тимофеевич, Сидоренко Юрий Петрович, Головченко Александр Иванович, Королев Владислав Михайлович, Соболев Валериан Маркович, Смарж Иван Ильич, Чабанов Алим Иванович, Филипенко Евгений Семенович, Баженов Андрей Николаевич, Сычев Михаил Парфенович

МПК: F24J 2/42, F03G 6/00

Метки: энергии, преобразования, солнечной, электрическую, способ

Текст:

...же атмосферный ветер угрожающе нарастает по своей скорости и давлению, то управляемая гибкая надстройка либо опускается вниз частично или полностью, либо ее ветронагруженная боковая поверхность уменьшается другими средствами управления, при этом такое увеличение скорости ветра обеспечивает и возможность, в то же время, поддерживать выработку электроэнергии на необходимом уровне. Высокодинамичное вращательно-поступательное движение воздушного...

Преобразователь солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 9069

Опубликовано: 30.04.2007

Авторы: Шамкалович Владимир Иванович, Сычик Андрей Васильевич, Сычик Василий Андреевич

МПК: H01L 31/0352, H01L 31/06, H01L 31/04...

Метки: энергии, преобразователь, солнечной

Текст:

...носителей заряда . Р-варизонный слой 7 создает градиент напряженности электрического поля, ускоряя перенос фотогенерированных носителей заряда. Для достижения оптимального по максимуму разделения генерированных в р-варизонном слое 7 носителей заряда в диапазоне энергии фотонов 12 ширина этого слоя не должна превышать диффузионной длины основных избыточных носителей и составляет(0,5-0,9), причем она максимальная для полупроводников с...

Способ преобразования солнечной энергии в механическую

Загрузка...

Номер патента: 9005

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Севастьянов Владимир Петрович, Бакаев Фарид Анварович, Филипенко Евгений Семенович, Сидоренко Юрий Петрович, Соловьев Александр Алексеевич, Чепасов Александр Александрович, Жигайло Виктор Никифорович, Чабанов Дмитрий Алексеевич, Чабанов Алим Иванович, Чабанов Владислав Алимович, Матасов Рев Александрович, Воронков Алексей Алексеевич, Ерохов Николай Михайлович, Щукин Георгий Лукич, Гуня Михаил Арсентьевич, Королев Владислав Михайлович, Соболев Валериан Маркович, Отмахов Леонид Федорович, Сычев Михаил Парфенович, Смарж Иван Ильич

МПК: F24J 2/42, F24J 2/00

Метки: преобразования, механическую, солнечной, способ, энергии

Текст:

...(см. Не 2698682, опубл. 03.06.94 г.), использующий поглощение солнечных лучей темной поверхностью, нагрев воздуха, контактирующего с темной поверхностью, воздухопроницаемым гелиопогло ВУ 9005 С 1 200741248щающим Материалом, И его дальнейшее направление через ветротурбину. Данное техническое решение в своем конструктивном исполнении более эффективно, Чем предыдущее,в связи с важным применением воздухопроницаемого гелиопоглощающего...

Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации строительных материалов

Загрузка...

Номер патента: 8524

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Захаревич Эдуард Владимирович, Хрусталев Борис Михайлович, Якимович Дмитрий Дмитриевич, Сизов Валерий Дмитриевич, Захаревич Алексей Эдуардович

МПК: G01N 21/00

Метки: способ, определения, материалов, строительных, радиации, солнечной, коэффициента, поглощения

Текст:

...излучения материала- плотность материала, кг/м Примеры осуществления способа. Пример 1. Определяют коэффициент поглощения солнечной радиации дубовой строганной доски при температуре Т 293 К. Известным экспериментальным способом (с помощью компьютерного термографа ИРТИС-200) находят коэффициент излучения 0,90. Далее известным экспериментальным способом (нестационарным методом с помощью прибора ИТ-) определяют коэффициент...

Способ определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей

Загрузка...

Номер патента: 8523

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Хрусталев Борис Михайлович, Якимович Дмитрий Дмитриевич, Захаревич Алексей Эдуардович, Сизов Валерий Дмитриевич, Захаревич Эдуард Владимирович

МПК: G01N 21/00

Метки: сталей, поглощения, коэффициента, солнечной, определения, полированных, способ, радиации

Текст:

...задача решается тем, что в способе определения коэффициента поглощения солнечной радиации полированных сталей, включающем определение коэффициента излучения материала, дополнительно определяют коэффициент теплопроводности, а коэффициент поглощения солнечной радиации Р материала при температуре поверхности материала Т 27340 К определяют по формуле Р(1,29610-22,567),где Р - коэффициент поглощения солнечной радиации материала- коэффициент...

Композиция для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии

Загрузка...

Номер патента: 5569

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: Крутько Эльвира Тихоновна, Прокопчук Николай Романович, Мартинкевич Александр Александрович

МПК: C08L 79/08

Метки: композиция, концентратора, поверхности, отражающей, солнечной, энергии, формирования

Текст:

...отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, обладающей улучшенными оптическими и механическими характеристиками. Поставленная задача решается заявляемой композицией для формирования отражающей поверхности концентратора солнечной энергии, содержащей раствор полиамидокислоты на основе пиромеллитового диангидрида и 4,4-диаминодифенилоксида в диметилформамиде (ДМФА), в которую дополнительно введен меламиноформальдегидный олигомер при...