Патенты с меткой «схемы»
Способ герметизации корпуса интегральной схемы
Номер патента: 18641
Опубликовано: 30.10.2014
Авторы: Довженко Александр Алексеевич, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Керенцев Анатолий Федорович, Солодуха Виталий Александрович
МПК: H01L 31/0203, H01L 21/56
Метки: интегральной, схемы, герметизации, корпуса, способ
Текст:
...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...
Способ изготовления высокоомного полупроводникового резистора КМОП интегральной схемы
Номер патента: 16100
Опубликовано: 30.08.2012
Авторы: Лукашова Надежда Васильевна, Сорока Сергей Александрович, Лемешевская Алла Михайловна, Сякерский Валентин Степанович
МПК: H01C 7/00, H01C 1/00, H01L 21/8238...
Метки: высокоомного, способ, кмоп, интегральной, резистора, полупроводникового, изготовления, схемы
Текст:
...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...
Металлизация интегральной схемы
Номер патента: 14851
Опубликовано: 30.10.2011
Авторы: Довнар Николай Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Шильцев Владимир Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович
МПК: H01L 21/02, H01L 23/48, H01L 21/28...
Метки: интегральной, схемы, металлизация
Текст:
...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....
Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от статического электричества
Номер патента: 4988
Опубликовано: 30.03.2003
Авторы: Усов Геннадий Иванович, Лемешевская Алла Михайловна, Силин Анатолий Васильевич, Пономарь Владимир Николаевич, Шведов Сергей Васильевич, Емельянов Виктор Андреевич
МПК: H01L 29/06
Метки: транзистора, интегральной, статического, защиты, элемент, выходного, моп, схемы, электричества
Текст:
...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...
Устройство защиты интегральной схемы
Номер патента: 1039
Опубликовано: 19.04.1995
Автор: Белоус Анатолий Иванович
МПК: H03K 17/60, H03K 17/08
Метки: интегральной, устройство, защиты, схемы
Текст: