Патенты с меткой «схемы»

Номер патента: 18641

Опубликовано: 30.10.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Довженко Александр Алексеевич, Солодуха Виталий Александрович, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 31/0203, H01L 21/56

Метки: интегральной, корпуса, герметизации, схемы, способ

Текст:

...средой, а инертную среду в скафандре поддерживают с избыточным давлением не менее 0,2 кПа и точкой росы не выше 30 С. Благодаря ИК-нагреву в вакууме с остаточным давлением менее 60 кПа отмечается эффективное удаление влаги из основания корпуса с прихваченной крышкой. Увеличение остаточного давления инертного газа более 60 кПа приводит к снижению эффективности удаления влаги. Проведение ИК-нагрева в вакууме при температуре менее 110 С и времени...

Номер патента: 16100

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Сякерский Валентин Степанович, Лукашова Надежда Васильевна, Лемешевская Алла Михайловна, Сорока Сергей Александрович

МПК: H01C 7/00, H01L 21/8238, H01C 1/00...

Метки: резистора, кмоп, полупроводникового, изготовления, способ, схемы, высокоомного, интегральной

Текст:

...слоя диэлектрика, которым формируют конфигурацию областей активных структур, включая резистор, поликремниевых затворов, областей стоков -типа,областей стоков -типа одновременно с низкоомными областями -типа резистора, высокоомного слоя -типа резистора ионным легированием бора по всей поверхности подложки проведение отжига при температуре 450-850 С формирование межслойного диэлектрика и металлических контактов к поликремниевым затворам,...

Номер патента: 14851

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Владимирович, Довнар Николай Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: металлизация, интегральной, схемы

Текст:

...свободно от ограничений, присущих металлизации внутри самой интегральной схемы, и не увеличивает площадь металлизации и кристалла. Двухуровневая структура контактных площадок позволяет реализовать сложные функциональные возможности, заложенные внутри самой интегральной схемы. Толщина и линейные размеры нашлепок определяются лишь требованиями обеспечения процента выхода на операциях Контроль функционирования и Контроль внешнего вида....

Номер патента: 4988

Опубликовано: 30.03.2003

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Пономарь Владимир Николаевич, Лемешевская Алла Михайловна, Усов Геннадий Иванович, Силин Анатолий Васильевич, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 29/06

Метки: электричества, схемы, транзистора, выходного, элемент, моп, статического, защиты, интегральной

Текст:

...к области коллектора. Элемент защиты выходного МОП транзистора интегральной схемы от воздействия статического электричества содержит биполярный транзистор 1, совмещенный с выходным МОП транзистором, и они выполнены в виде симметричной структуры. Структура элемента защиты содержит области эмиттера 2, коллектора 3 (совмещен со стоком), базового контакта 4. Область истока 5 расположена в центре структуры и ограничена с двух сторон областью...

Номер патента: 1039

Опубликовано: 19.04.1995

Автор: Белоус Анатолий Иванович

МПК: H03K 17/08, H03K 17/60

Метки: устройство, интегральной, схемы, защиты

Текст: