Патенты с меткой «прозрачного»

Способ получения интерференционных картин для определения термооптических характеристик прозрачного объекта

Загрузка...

Номер патента: 15759

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Ляликов Александр Михайлович, Буть Андрей Иванович

МПК: G01B 9/021, G01B 9/027, G01N 21/71...

Метки: способ, термооптических, прозрачного, получения, характеристик, определения, картин, объекта, интерференционных

Текст:

...фильтрации дифрагированных на опорной голограмме 12 пучков света, при получении на экране 13 интерференционной картины. Оптическая система пространственной фильтрации выполнена в виде объектива 14 и непрозрачной диафрагмы 15. Интерферометр образован оптическими элементами 4, 5 и 6. Приспособление термического воздействия служит для создания определенной температуры в объекте 9. Регулирование температуры реализуется электрическим...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: B82B 3/00, H01L 21/02, H01L 33/00...

Метки: p-gan, нитрида, способ, изготовления, омического, эпитаксиальному, галлия, слою, контакта, прозрачного

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/02

Метки: омического, изготовления, эпитаксиальному, p-gan, прозрачного, слою, способ, контакта

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN

Загрузка...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Шуленков Алексей Серафимович, Яблонский Геннадий Петрович, Стогний Александр Иванович, Павловский Вячеслав Николаевич, Данильчик Александр Викторович, Луценко Евгений Викторович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: p-gan, эпитаксиальному, омического, изготовления, способ, слою, прозрачного, контакта

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Стекло для прозрачного стеклокристаллического материала

Загрузка...

Номер патента: 11825

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Бобкова Нинель Мироновна, Рачковская Галина Евтихиевна, Чертко Геннадий Васильевич

МПК: C03C 10/00

Метки: стекло, прозрачного, материала, стеклокристаллического

Текст:

...приводящая к изменению окраски материала от голубого до черного цвета и, как следствие, к снижению светопрозрачности. Задачей предлагаемого изобретения является снижение температуры синтеза стекла,обеспечение одноступенчатой термообработки, стабилизация кристаллической фазы при сохранении светопрозрачности и близкого к нулю ТКЛР стеклокристаллического материала. Для решения поставленной задачи предлагается стекло для прозрачного...

Способ производства огнестойкого прозрачного слоистого элемента и устройство для его реализации

Загрузка...

Номер патента: 10677

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Ляпин Али Ибрагимович, Сай Джанфранко, Ляпин Руслан Алиевич

МПК: C03C 27/12, B32B 17/06, C09K 21/00...

Метки: производства, прозрачного, реализации, способ, слоистого, устройство, огнестойкого, элемента

Текст:

...теплостойкого, прозрачного, слоистого элемента будет незначительной. Эксплуатационные свойства смеси и огнестойкого элемента в целом определяются концентрацией кремнезема. Смесь, имеющая плотность более 1300 кг/м 3 и содержащая кремнезема более 20 мас. , в результате полимеризации превращается в достаточно твердый гель, обеспечивающий огнестойкость и несущую способность огнестойкого, прозрачного слоистого элемента. Требуемые свойства...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Стогний Александр Иванович, Шуленков Алексей Серафимович, Луценко Евгений Викторович, Шинеллер Бернд, Хойкен Михаель, Яблонский Геннадий Петрович

МПК: H01L 33/00, H01L 21/283, H01L 21/28...

Метки: слою, способ, омического, прозрачного, изготовления, p-gan, эпитаксиальному, контакта

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...

Способ получения электропроводящего прозрачного покрытия из оксида индия

Загрузка...

Номер патента: 960

Опубликовано: 15.12.1995

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Танасейчук Алексей Станиславович, Шершнев Евгений Борисович

МПК: C23C 14/28, C23C 14/08

Метки: электропроводящего, получения, прозрачного, оксида, индия, покрытия, способ

Текст:

...и значительно снижают величину удельного сопротивления.При оптимальных технологических режимах напыления величина светопропускания превышает 93.Ионизация кислорода и азота необходима при осуществлении предлагаемого способа. Она позволяет использовать привзаимодействии атомарный кислород и азот, что химически более оправдано, чем использование молекулярных компонентов газовой смеси. Плазма разряда эффективно стимулирует...