Патенты с меткой «приборов»

Плата для монтажа электронных компонентов приборов

Загрузка...

Номер патента: 18545

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Александрович, Паршуто Александр Эрнстович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Соколов Юрий Валентинович, Поболь Игорь Леонидович, Багаев Сергей Игоревич

МПК: H05K 1/05

Метки: приборов, компонентов, электронных, монтажа, плата

Текст:

...оксида алюминия 3 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения химической совместимости слоев 3 и 4 размещен интерфейс-слой 6 на основе оксидов переходных металлов тугоплавких группы 6, выполненный преимущественно на основе оксидов вольфрама, или рения, или титана, на котором для улучшения адгезии расположен металлический,инициирующий токопроводящий микрослой 4 (1,0-15 мкм), на котором размещен металлический...

Способ изготовления силовых быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, способ, приборов, изготовления, полупроводниковых, силовых, быстродействующих, ядерно-легированном

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, полупроводниковых, диэлектрическая, изоляция, приборов

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Блок вторичных показывающих приборов

Загрузка...

Номер патента: U 9692

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Волков Сергей Иванович, Яковлева Ольга Евгеньевна

МПК: B60K 35/00, G01D 11/00

Метки: блок, показывающих, вторичных, приборов

Текст:

...так как требуется изготовление отдельных деталей колонок и втулок с внутренней резьбой, и снижает надежность изделия из-за наличия большого количества резьбовых соединений. Предлагаемая полезная модель направлена на решение следующих задач снижение затрат по сборке блока вторичных показывающих приборов за счет упрощения сборки с сокращением технологических операций повышение надежности блока вторичных показывающих приборов. Для...

Комбинация приборов транспортного средства

Загрузка...

Номер патента: U 9570

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Логвин Виталий Борисович, Владимиров Александр Дмитриевич, Шорец Алексей Викторович, Плавинский Роман Владимирович, Юрковец Ирина Викторовна

МПК: B60K 35/00, B60K 37/00

Метки: комбинация, приборов, средства, транспортного

Текст:

...отдельных параметров, выводимых на дисплей проверки работоспособности сигнализаторов и подсветки. Техническая сущность полезной модели поясняется фигурами. На фиг. 1 показана конструкция комбинации приборов. На фиг. 2 показан внешний вид комбинации приборов спереди. На фиг. 3 показан вид комбинации приборов сзади. Заявляемая комбинация приборов состоит из корпуса 1, экрана 2, стекла 3, печатной платы 4 с установленными на ней...

Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневой, способ, диэлектрической, полупроводниковых, изоляции, изготовления, приборов

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Устройство для охлаждения осветительных приборов

Загрузка...

Номер патента: U 9489

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Васильев Леонид Леонардович, Куликовский Вадим Казимирович, Васильев Леонард Леонидович

МПК: F21S 13/00, F21V 29/00

Метки: охлаждения, приборов, устройство, осветительных

Текст:

...ограничение теплоотвода на больших нагрузках из-за запаривания фитиля. Задачей предлагаемого технического решения является повышение эффективности устройства для охлаждения любых осветительных приборов за счет обеспечения высокой теплопередающей способности в широком диапазоне тепловых нагрузок и упрощение конструкции устройства. Задача решается следующим образом. Устройство для охлаждения осветительных приборов, содержащих светодиоды,...

Конструкция металлокомпозиционной заготовки для плат полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8931

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Соколов Юрий Валентинович, Поболь Игорь Леонидович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Багаев Сергей Игоревич, Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович

МПК: C09D 163/00, H05K 3/28

Метки: приборов, плат, полупроводниковых, конструкция, заготовки, металлокомпозиционной

Текст:

...фракционного состава гранул 7 нитрида алюминия более 6000 нм сопровождается тем, что большие гранулы, как показывает эксперимент, имеют низкий коэффициент заращивания, т.е. не происходит их обволакивания матричным материалом пористого макрослоя 3 оксида пористого в процессе формирования композита макрослой 3 оксида пористого - гранулы 7 нитрида алюминия. Формирование композита при этом сопровождается возникновением дефектов...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, диэлектрическая, приборов, межуровневая, полупроводниковых

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Конструкция платы для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8380

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Паршуто Александр Александрович, Паршуто Александр Эрнстович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Багаев Сергей Игоревич, Соколов Юрий Валентинович, Томило Вячеслав Анатольевич, Поболь Игорь Леонидович

МПК: H05K 3/28, H05K 1/00

Метки: конструкция, полупроводниковых, приборов, платы

Текст:

...основание 1 выполнено из алюминиевых сплавов с высокой теплопроводностью, а в качестве диэлектрического материала на одной поверхности или на всей поверхности основания 1, для улучшения адгезии и диэлектрической проницаемости, размещен инициирующий нанослой 2 плотного оксида алюминия 23 толщиной 10-200 нм, на котором размещен макрослой 3 пористого оксида алюминия 23 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, схем, способ, изготовления, источников, создании, полупроводниковых, планарных, твердых, бора, интегральных

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, удаления, приборов, фоторезиста, системы, изготовлении, состав, металлизации

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, приборов, изготовления, способ, полупроводниковых, металлизации

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Способ изготовления кремниевых быстродействующих приборов

Загрузка...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Гурин Павел Михайлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: изготовления, способ, приборов, быстродействующих, кремниевых

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: приборных, способ, структур, изготовлении, приборов, быстродействующих, обработки, полупроводниковых, радиационной

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Становский Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластины, способ, полупроводниковых, изготовления, акцепторных, кремниевые, силовых, приборов, диффузии, примесей

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Устройство для измерения характеристик излучения оптических излучающих приборов

Загрузка...

Номер патента: U 7393

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Ракуш Владимир Валентинович, Михайлов Юрий Тимофеевич, Корнилович Ирина Викторовна

МПК: G01J 1/00, G01J 4/00, G01J 3/00...

Метки: оптических, излучения, излучающих, характеристик, приборов, устройство, измерения

Текст:

...На фиг. 4 представлена схема в разрезе в горизонтальной плоскости индексирующего механизма. Устройство содержит (фиг. 1) измерительный прибор 1 с приемником 2 излучения и револьверную головку 3 для смены оптических излучающих приборов, имеющую индексирующий механизм (фиг. 4). Револьверная головка 3 (фиг. 1) содержит каркас 4, верхнее кольцо 5 с выемками 6(фиг. 1, 4), нижнее кольцо 7 и шарики 8, стойку 9, пружину 10, толкатель 11,...

Приспособление для испытаний оптических приборов

Загрузка...

Номер патента: U 7054

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Ракуш Владимир Валентинович, Михайлов Юрий Тимофеевич, Музычка Ольга Васильевна, Корнилович Ирина Викторовна

МПК: G01M 11/08

Метки: приборов, оптических, приспособление, испытаний

Текст:

...плите отверстия для вывода излучения испытываемого прибора, назначение пластины из прозрачного материала для оптической связи с испытываемым оптическим прибором через упомянутое отверстие в плите позволяют визуально наблюдать выходное излучение испытываемого оптического излучающего прибора, отраженное от упомянутой пластины из прозрачного материала, во время проведения испытаний прибора на воздействие механических нагрузок и,...

Сплав для пайки электронных приборов

Загрузка...

Номер патента: 13824

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Азаркова Екатерина Александровна, Майонов Александр Владимирович, Буслюк Виктор Вячеславович, Купченко Геннадий Владимирович, Поко Ольга Александровна

МПК: B23K 35/24, C22C 9/02

Метки: пайки, сплав, электронных, приборов

Текст:

...переходного электрического сопротивления. Это отрицательно сказывается на электрическом контакте кристалл-держатель при повышенной ( 125 С) температуре эксплуатации электронного прибора, что может привести к возникновению такого вида отказов, как переменный контакт, особенно важный для изделий ответственного назначения. Задачей настоящего изобретения является снижение температуры плавления сплава для пайки электронных приборов. Поставленная...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52

Метки: полупроводниковых, способ, приборов, системы, металлизации, изготовления, кремниевых

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Устройство уплотнительное для спуска на тросе или штанге приборов в скважину

Загрузка...

Номер патента: U 6268

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Емельянчиков Сергей Петрович, Кротиков Сергей Петрович, Алампиев Олег Александрович, Титов Виктор Иванович

МПК: E21B 33/03

Метки: спуска, приборов, или, уплотнительное, тросе, устройство, штанге, скважину

Текст:

...задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, повышение удобства эксплуатации и увеличение ресурса работы устьевого оборудования путем улучшения центровки сальникового уплотнения относительно троса или штанги. 2 62682010.06.30 Сущность полезной модели поясняется чертежами, где на фиг. 1 показан общий вид устройства уплотнительного для спуска на тросе или штанге приборов в скважину, на фиг. 2 выноска А на фиг. 1. Решение...

Штыревой радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 12883

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Бобученко Дмитрий Степанович, Хорунжий Игорь Анатольевич, Доманевский Дмитрий Сергеевич

МПК: H01L 23/34, F28D 15/04, H05K 7/20...

Метки: охлаждения, полупроводниковых, штыревой, радиатор, приборов

Текст:

...перенос тепла от оснований штырьков к их торцам осуществлен с помощью встроенных в штырьки миниатюрных тепловых труб. На чертеже стрелками показано направление потока охлаждающей радиатор внешней среды, например воздушной. В радиаторе 1 внутрь каждого штырька 3 встроена миниатюрная тепловая труба 4,выполненная в виде герметически закрытого контейнера 5, из которого откачан воздух, а на внутренних стенках 6 контейнера 5 размещена...

Устройство контроля и юстировки оптических приборов

Загрузка...

Номер патента: U 5874

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Тареев Анатолий Михайлович, Горбачевская Ольга Романовна, Маслакова Наталья Илларионовна, Поконечный Здислав Иосифович

МПК: G01B 11/26

Метки: приборов, устройство, юстировки, контроля, оптических

Текст:

...4, первую сетку 5 с проекционной маркой и первый объектив 6 с выходным зрачком 7, и, по меньшей мере, два боковых коллиматора симметрично расположенных относительно первого коллиматора, каждый из которых включает установленные на одной оси второй осветитель 8, вторую сетку 9 с проекционной маркой и второй объектив 10 с выходным зрачком 11. На выходе боковых коллиматоров в ходе их коллимированных световых пучков соосно с боковыми...

Способ дистанционного контроля метрологических характеристик автоматизированных радиоизмерительных приборов диапазона СВЧ

Загрузка...

Номер патента: 12574

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Толочко Татьяна Константиновна, Гусинский Александр Владимирович, Кострикин Анатолий Михайлович

МПК: G01R 17/00

Метки: радиоизмерительных, свч, способ, метрологических, дистанционного, контроля, автоматизированных, диапазона, характеристик, приборов

Текст:

...структура измерительной системы. В состав системы входят управляющая ЭВМ 1, находящаяся в испытательной лаборатории, модемы 2,4, с помощью которых осуществляется связь по стандартным линиям связи 3, ЭВМ с контроллером КОП 5, входящая в состав измерителя комплексных параметров СВЧ - устройств, измеритель комплексных параметров СВЧ - устройств 6, эталонный комплект мер 7, испытательная лаборатория 8, удаленная лаборатория 9. Управление...

Устройство для изучения виртуальных измерительных приборов

Загрузка...

Номер патента: U 5405

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Зализный Дмитрий Иванович, Гончаров Игорь Михайлович, Ивинский Леонид Константинович, Широков Олег Геннадьевич

МПК: G01R 13/00, G09B 23/00

Метки: виртуальных, измерительных, изучения, устройство, приборов

Текст:

...электрической сети до 15 А, напряжений в трехфазной электрической сети до 400 В, а также температуры трансформаторного масла от 0 до 90 С,температуры воздуха от 0 до 40 С и передавать их в персональный компьютер. Трехфазная нагрузка - лампы накаливания и конденсаторы, в различных комбинациях подключаемые к соответствующим фазным напряжениям трехфазной сети с помощью соответствующих однофазных коммутационных аппаратов, позволяют...

Способ ускоренной отбраковки полупроводниковых приборов с повышенной чувствительностью параметров к дестабилизирующим воздействиям

Загрузка...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: приборов, полупроводниковых, чувствительностью, дестабилизирующим, способ, параметров, ускоренной, отбраковки, воздействиям, повышенной

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Мойсейчук Константин Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: бора, приборов, композиция, полупроводниковых, твердых, источников, схем, интегральных, изготовлении, получения

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: приборов, кремния, полупроводниковых, радиационной, способ, отбраковки, стойкости, основе

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Объектив для приборов ночного видения

Загрузка...

Номер патента: 11575

Опубликовано: 28.02.2009

Автор: Шишкин Игорь Петрович

МПК: G02B 13/14, G02B 9/00

Метки: ночного, объектив, видения, приборов

Текст:

...обеспечивает высокое качество изображения при совместной работе с ЭОПами нулевого поколения, имеющими катод сферической формы, и который имеет при этом малое количество элементов. Поставленная задача достигается тем, что в объективе для приборов ночного видения,содержащем установленные по ходу луча первый элемент в виде одиночной положительной плосковыпуклой линзы, обращенной выпуклостью к предмету, второй элемент в виде склейки из...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Пуцята Владимир Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: многослойное, высоковольтных, пассивирующее, полупроводниковых, покрытие, приборов

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Полиимидная композиция для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Жарская Тамара Александровна, Глоба Иван Иванович, Глоба Анастасия Ивановна, Галиева Жаннета Николаевна, Крутько Эльвира Тихоновна

МПК: C08L 79/00

Метки: полупроводниковых, схем, полиимидная, приборов, интегральных, защиты, кристаллов, композиция

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Система изменения угла расходимости и направления лазерного излучения приборов наведения

Загрузка...

Номер патента: U 4930

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Тареев Анатолий Михайлович, Неменёнок Александр Иванович, Топленикова Татьяна Васильевна, Поконечный Здислав Иосифович, Горбачевская Ольга Романовна

МПК: F41G 7/00

Метки: угла, наведения, приборов, направления, расходимости, система, излучения, изменения, лазерного

Текст:

...на первой оптической оси под углом 45 к ней перед первым блоком 1 линз панкратической системы с возможностью вывода из хода лучей света первого блока 1 и второго блока 7 линз панкратической системы в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Отражатель 13 установлен на второй оптической оси перед вторым блоком 7 линз панкратической системы и параллелен первому отражателю 12. В конкретном исполнении отражатели 12 и 13 выполнены в...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Кресло Сергей Михайлович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: примесей, акцепторных, способ, кремниевые, диффузии, изготовления, пластины, приборов, силовых, полупроводниковых

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, диффузии, твердых, полупроводниковых, изготовлении, способ, источников, интегральных, микросхем, бора

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Система изменения угла расходимости лазерного излучения приборов наведения

Загрузка...

Номер патента: 10502

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Кунделева Наталия Ефимовна, Тареев Анатолий Михайлович

МПК: F41G 7/00, G02B 23/02

Метки: расходимости, лазерного, угла, приборов, изменения, система, наведения, излучения

Текст:

...его вывода с первой оси в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Введение в систему изменения угла расходимости лазерного излучения приборов наведения последовательно установленных на второй оптической оси, параллельной первой,второго блока линз панкратической системы, второго объектива и оптического компенсатора, а также установленного на второй оси перед вторым блоком линз панкратической системы второго отражателя, оптически...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: бора, изготовления, твердых, полупроводниковых, интегральных, источников, приборов, способ, схем, планарных, создании

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/52, H01L 21/02...

Метки: изготовления, металлизации, полупроводниковых, способ, кремниевых, приборов, системы

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: основе, полупроводниковых, отбраковки, радиационной, стойкости, приборов, кремния, способ

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, заряда, регулирования, неосновных, времени, носителей, способ, изготовлении, жизни, быстродействующих, полупроводниковых

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: источник, интегральных, схем, планарный, полупроводниковых, твердый, изготовления, приборов, диффузии, бора

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...