Патенты с меткой «приборов»

Плата для монтажа электронных компонентов приборов

Загрузка...

Номер патента: 18545

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович, Соколов Юрий Валентинович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Поболь Игорь Леонидович, Багаев Сергей Игоревич

МПК: H05K 1/05

Метки: компонентов, плата, монтажа, электронных, приборов

Текст:

...оксида алюминия 3 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения химической совместимости слоев 3 и 4 размещен интерфейс-слой 6 на основе оксидов переходных металлов тугоплавких группы 6, выполненный преимущественно на основе оксидов вольфрама, или рения, или титана, на котором для улучшения адгезии расположен металлический,инициирующий токопроводящий микрослой 4 (1,0-15 мкм), на котором размещен металлический...

Способ изготовления силовых быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: силовых, быстродействующих, приборов, полупроводниковых, способ, изготовления, ядерно-легированном, кремнии

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, диэлектрическая, полупроводниковых, приборов, межуровневая

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Блок вторичных показывающих приборов

Загрузка...

Номер патента: U 9692

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Яковлева Ольга Евгеньевна, Волков Сергей Иванович

МПК: G01D 11/00, B60K 35/00

Метки: показывающих, вторичных, приборов, блок

Текст:

...так как требуется изготовление отдельных деталей колонок и втулок с внутренней резьбой, и снижает надежность изделия из-за наличия большого количества резьбовых соединений. Предлагаемая полезная модель направлена на решение следующих задач снижение затрат по сборке блока вторичных показывающих приборов за счет упрощения сборки с сокращением технологических операций повышение надежности блока вторичных показывающих приборов. Для...

Комбинация приборов транспортного средства

Загрузка...

Номер патента: U 9570

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Юрковец Ирина Викторовна, Шорец Алексей Викторович, Плавинский Роман Владимирович, Логвин Виталий Борисович, Владимиров Александр Дмитриевич

МПК: B60K 37/00, B60K 35/00

Метки: комбинация, приборов, средства, транспортного

Текст:

...отдельных параметров, выводимых на дисплей проверки работоспособности сигнализаторов и подсветки. Техническая сущность полезной модели поясняется фигурами. На фиг. 1 показана конструкция комбинации приборов. На фиг. 2 показан внешний вид комбинации приборов спереди. На фиг. 3 показан вид комбинации приборов сзади. Заявляемая комбинация приборов состоит из корпуса 1, экрана 2, стекла 3, печатной платы 4 с установленными на ней...

Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрической, межуровневой, изготовления, способ, полупроводниковых, приборов, изоляции

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Устройство для охлаждения осветительных приборов

Загрузка...

Номер патента: U 9489

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Васильев Леонард Леонидович, Куликовский Вадим Казимирович, Васильев Леонид Леонардович

МПК: F21S 13/00, F21V 29/00

Метки: охлаждения, приборов, устройство, осветительных

Текст:

...ограничение теплоотвода на больших нагрузках из-за запаривания фитиля. Задачей предлагаемого технического решения является повышение эффективности устройства для охлаждения любых осветительных приборов за счет обеспечения высокой теплопередающей способности в широком диапазоне тепловых нагрузок и упрощение конструкции устройства. Задача решается следующим образом. Устройство для охлаждения осветительных приборов, содержащих светодиоды,...

Конструкция металлокомпозиционной заготовки для плат полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8931

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Багаев Сергей Игоревич, Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович, Томило Вячеслав Анатольевич, Поболь Игорь Леонидович, Соколов Юрий Валентинович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич

МПК: H05K 3/28, C09D 163/00

Метки: приборов, плат, конструкция, металлокомпозиционной, заготовки, полупроводниковых

Текст:

...фракционного состава гранул 7 нитрида алюминия более 6000 нм сопровождается тем, что большие гранулы, как показывает эксперимент, имеют низкий коэффициент заращивания, т.е. не происходит их обволакивания матричным материалом пористого макрослоя 3 оксида пористого в процессе формирования композита макрослой 3 оксида пористого - гранулы 7 нитрида алюминия. Формирование композита при этом сопровождается возникновением дефектов...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, изоляция, приборов, полупроводниковых, диэлектрическая

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Конструкция платы для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8380

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Соколов Юрий Валентинович, Томило Вячеслав Анатольевич, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Александрович, Багаев Сергей Игоревич, Паршуто Александр Эрнстович

МПК: H05K 1/00, H05K 3/28

Метки: полупроводниковых, платы, приборов, конструкция

Текст:

...основание 1 выполнено из алюминиевых сплавов с высокой теплопроводностью, а в качестве диэлектрического материала на одной поверхности или на всей поверхности основания 1, для улучшения адгезии и диэлектрической проницаемости, размещен инициирующий нанослой 2 плотного оксида алюминия 23 толщиной 10-200 нм, на котором размещен макрослой 3 пористого оксида алюминия 23 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: твердых, бора, способ, планарных, изготовления, создании, схем, интегральных, приборов, полупроводниковых, источников

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, состав, системы, фоторезиста, изготовлении, удаления, приборов, полупроводниковых

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, способ, приборов, изготовления, металлизации, системы

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Способ изготовления кремниевых быстродействующих приборов

Загрузка...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович

МПК: H01L 21/263

Метки: приборов, быстродействующих, способ, изготовления, кремниевых

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводниковых, способ, быстродействующих, радиационной, обработки, приборов, приборных, структур, изготовлении

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Становский Владимир Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, способ, примесей, кремниевые, приборов, изготовления, акцепторных, пластины, диффузии, полупроводниковых

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Устройство для измерения характеристик излучения оптических излучающих приборов

Загрузка...

Номер патента: U 7393

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Михайлов Юрий Тимофеевич, Ракуш Владимир Валентинович, Корнилович Ирина Викторовна

МПК: G01J 3/00, G01J 4/00, G01J 1/00...

Метки: излучающих, устройство, измерения, излучения, оптических, характеристик, приборов

Текст:

...На фиг. 4 представлена схема в разрезе в горизонтальной плоскости индексирующего механизма. Устройство содержит (фиг. 1) измерительный прибор 1 с приемником 2 излучения и револьверную головку 3 для смены оптических излучающих приборов, имеющую индексирующий механизм (фиг. 4). Револьверная головка 3 (фиг. 1) содержит каркас 4, верхнее кольцо 5 с выемками 6(фиг. 1, 4), нижнее кольцо 7 и шарики 8, стойку 9, пружину 10, толкатель 11,...

Приспособление для испытаний оптических приборов

Загрузка...

Номер патента: U 7054

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Корнилович Ирина Викторовна, Ракуш Владимир Валентинович, Михайлов Юрий Тимофеевич, Музычка Ольга Васильевна

МПК: G01M 11/08

Метки: приборов, оптических, приспособление, испытаний

Текст:

...плите отверстия для вывода излучения испытываемого прибора, назначение пластины из прозрачного материала для оптической связи с испытываемым оптическим прибором через упомянутое отверстие в плите позволяют визуально наблюдать выходное излучение испытываемого оптического излучающего прибора, отраженное от упомянутой пластины из прозрачного материала, во время проведения испытаний прибора на воздействие механических нагрузок и,...

Сплав для пайки электронных приборов

Загрузка...

Номер патента: 13824

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Майонов Александр Владимирович, Буслюк Виктор Вячеславович, Купченко Геннадий Владимирович, Азаркова Екатерина Александровна, Поко Ольга Александровна

МПК: B23K 35/24, C22C 9/02

Метки: сплав, электронных, пайки, приборов

Текст:

...переходного электрического сопротивления. Это отрицательно сказывается на электрическом контакте кристалл-держатель при повышенной ( 125 С) температуре эксплуатации электронного прибора, что может привести к возникновению такого вида отказов, как переменный контакт, особенно важный для изделий ответственного назначения. Задачей настоящего изобретения является снижение температуры плавления сплава для пайки электронных приборов. Поставленная...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02

Метки: металлизации, способ, полупроводниковых, приборов, кремниевых, системы, изготовления

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Устройство уплотнительное для спуска на тросе или штанге приборов в скважину

Загрузка...

Номер патента: U 6268

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Алампиев Олег Александрович, Титов Виктор Иванович, Емельянчиков Сергей Петрович, Кротиков Сергей Петрович

МПК: E21B 33/03

Метки: уплотнительное, устройство, тросе, или, спуска, приборов, штанге, скважину

Текст:

...задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, повышение удобства эксплуатации и увеличение ресурса работы устьевого оборудования путем улучшения центровки сальникового уплотнения относительно троса или штанги. 2 62682010.06.30 Сущность полезной модели поясняется чертежами, где на фиг. 1 показан общий вид устройства уплотнительного для спуска на тросе или штанге приборов в скважину, на фиг. 2 выноска А на фиг. 1. Решение...

Штыревой радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 12883

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Бобученко Дмитрий Степанович, Доманевский Дмитрий Сергеевич, Хорунжий Игорь Анатольевич

МПК: F28D 15/04, H05K 7/20, H01L 23/34...

Метки: охлаждения, штыревой, приборов, полупроводниковых, радиатор

Текст:

...перенос тепла от оснований штырьков к их торцам осуществлен с помощью встроенных в штырьки миниатюрных тепловых труб. На чертеже стрелками показано направление потока охлаждающей радиатор внешней среды, например воздушной. В радиаторе 1 внутрь каждого штырька 3 встроена миниатюрная тепловая труба 4,выполненная в виде герметически закрытого контейнера 5, из которого откачан воздух, а на внутренних стенках 6 контейнера 5 размещена...

Устройство контроля и юстировки оптических приборов

Загрузка...

Номер патента: U 5874

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Поконечный Здислав Иосифович, Тареев Анатолий Михайлович, Маслакова Наталья Илларионовна, Горбачевская Ольга Романовна

МПК: G01B 11/26

Метки: устройство, оптических, юстировки, контроля, приборов

Текст:

...4, первую сетку 5 с проекционной маркой и первый объектив 6 с выходным зрачком 7, и, по меньшей мере, два боковых коллиматора симметрично расположенных относительно первого коллиматора, каждый из которых включает установленные на одной оси второй осветитель 8, вторую сетку 9 с проекционной маркой и второй объектив 10 с выходным зрачком 11. На выходе боковых коллиматоров в ходе их коллимированных световых пучков соосно с боковыми...

Способ дистанционного контроля метрологических характеристик автоматизированных радиоизмерительных приборов диапазона СВЧ

Загрузка...

Номер патента: 12574

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Толочко Татьяна Константиновна, Кострикин Анатолий Михайлович, Гусинский Александр Владимирович

МПК: G01R 17/00

Метки: свч, радиоизмерительных, способ, автоматизированных, метрологических, характеристик, контроля, дистанционного, приборов, диапазона

Текст:

...структура измерительной системы. В состав системы входят управляющая ЭВМ 1, находящаяся в испытательной лаборатории, модемы 2,4, с помощью которых осуществляется связь по стандартным линиям связи 3, ЭВМ с контроллером КОП 5, входящая в состав измерителя комплексных параметров СВЧ - устройств, измеритель комплексных параметров СВЧ - устройств 6, эталонный комплект мер 7, испытательная лаборатория 8, удаленная лаборатория 9. Управление...

Устройство для изучения виртуальных измерительных приборов

Загрузка...

Номер патента: U 5405

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Широков Олег Геннадьевич, Ивинский Леонид Константинович, Гончаров Игорь Михайлович, Зализный Дмитрий Иванович

МПК: G01R 13/00, G09B 23/00

Метки: устройство, изучения, виртуальных, измерительных, приборов

Текст:

...электрической сети до 15 А, напряжений в трехфазной электрической сети до 400 В, а также температуры трансформаторного масла от 0 до 90 С,температуры воздуха от 0 до 40 С и передавать их в персональный компьютер. Трехфазная нагрузка - лампы накаливания и конденсаторы, в различных комбинациях подключаемые к соответствующим фазным напряжениям трехфазной сети с помощью соответствующих однофазных коммутационных аппаратов, позволяют...

Способ ускоренной отбраковки полупроводниковых приборов с повышенной чувствительностью параметров к дестабилизирующим воздействиям

Загрузка...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: ускоренной, дестабилизирующим, приборов, способ, полупроводниковых, чувствительностью, отбраковки, повышенной, воздействиям, параметров

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Бересневич Людмила Брониславовна, Кузик Сергей Владимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Мойсейчук Константин Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: источников, изготовлении, композиция, бора, полупроводниковых, схем, получения, приборов, интегральных, твердых

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: основе, способ, полупроводниковых, радиационной, кремния, отбраковки, приборов, стойкости

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Объектив для приборов ночного видения

Загрузка...

Номер патента: 11575

Опубликовано: 28.02.2009

Автор: Шишкин Игорь Петрович

МПК: G02B 9/00, G02B 13/14

Метки: приборов, объектив, ночного, видения

Текст:

...обеспечивает высокое качество изображения при совместной работе с ЭОПами нулевого поколения, имеющими катод сферической формы, и который имеет при этом малое количество элементов. Поставленная задача достигается тем, что в объективе для приборов ночного видения,содержащем установленные по ходу луча первый элемент в виде одиночной положительной плосковыпуклой линзы, обращенной выпуклостью к предмету, второй элемент в виде склейки из...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Солодуха Виталий Александрович, Пуцята Владимир Михайлович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: высоковольтных, многослойное, покрытие, приборов, полупроводниковых, пассивирующее

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Полиимидная композиция для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Глоба Анастасия Ивановна, Галиева Жаннета Николаевна, Глоба Иван Иванович, Жарская Тамара Александровна, Крутько Эльвира Тихоновна

МПК: C08L 79/00

Метки: полупроводниковых, схем, полиимидная, композиция, интегральных, защиты, приборов, кристаллов

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Система изменения угла расходимости и направления лазерного излучения приборов наведения

Загрузка...

Номер патента: U 4930

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Топленикова Татьяна Васильевна, Неменёнок Александр Иванович, Горбачевская Ольга Романовна, Тареев Анатолий Михайлович, Поконечный Здислав Иосифович

МПК: F41G 7/00

Метки: лазерного, излучения, наведения, приборов, изменения, расходимости, угла, система, направления

Текст:

...на первой оптической оси под углом 45 к ней перед первым блоком 1 линз панкратической системы с возможностью вывода из хода лучей света первого блока 1 и второго блока 7 линз панкратической системы в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Отражатель 13 установлен на второй оптической оси перед вторым блоком 7 линз панкратической системы и параллелен первому отражателю 12. В конкретном исполнении отражатели 12 и 13 выполнены в...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Кресло Сергей Михайлович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, изготовления, полупроводниковых, диффузии, примесей, кремниевые, силовых, пластины, приборов, акцепторных

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: бора, микросхем, твердых, приборов, способ, источников, диффузии, интегральных, изготовлении, полупроводниковых

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Система изменения угла расходимости лазерного излучения приборов наведения

Загрузка...

Номер патента: 10502

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Тареев Анатолий Михайлович, Кунделева Наталия Ефимовна

МПК: F41G 7/00, G02B 23/02

Метки: наведения, лазерного, изменения, излучения, расходимости, приборов, система, угла

Текст:

...его вывода с первой оси в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Введение в систему изменения угла расходимости лазерного излучения приборов наведения последовательно установленных на второй оптической оси, параллельной первой,второго блока линз панкратической системы, второго объектива и оптического компенсатора, а также установленного на второй оси перед вторым блоком линз панкратической системы второго отражателя, оптически...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: интегральных, полупроводниковых, способ, схем, создании, приборов, бора, источников, планарных, изготовления, твердых

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Белоус Анатолий Иванович, Плебанович Владимир Иванович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02, H01L 23/48...

Метки: изготовления, металлизации, системы, полупроводниковых, приборов, способ, кремниевых

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: кремния, полупроводниковых, способ, отбраковки, стойкости, основе, приборов, радиационной

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Коршунов Федор Павлович, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, времени, заряда, носителей, приборов, изготовлении, регулирования, неосновных, быстродействующих, жизни, полупроводниковых

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: источник, твердый, приборов, схем, планарный, бора, диффузии, интегральных, изготовления, полупроводниковых

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...