Патенты с меткой «приборов»

Плата для монтажа электронных компонентов приборов

Загрузка...

Номер патента: 18545

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Паршуто Александр Александрович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Соколов Юрий Валентинович, Томило Вячеслав Анатольевич, Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Эрнстович, Багаев Сергей Игоревич

МПК: H05K 1/05

Метки: монтажа, компонентов, электронных, приборов, плата

Текст:

...оксида алюминия 3 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения химической совместимости слоев 3 и 4 размещен интерфейс-слой 6 на основе оксидов переходных металлов тугоплавких группы 6, выполненный преимущественно на основе оксидов вольфрама, или рения, или титана, на котором для улучшения адгезии расположен металлический,инициирующий токопроводящий микрослой 4 (1,0-15 мкм), на котором размещен металлический...

Способ изготовления силовых быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: силовых, приборов, способ, полупроводниковых, ядерно-легированном, изготовления, кремнии, быстродействующих

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрическая, межуровневая, изоляция, приборов, полупроводниковых

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Блок вторичных показывающих приборов

Загрузка...

Номер патента: U 9692

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Волков Сергей Иванович, Яковлева Ольга Евгеньевна

МПК: G01D 11/00, B60K 35/00

Метки: вторичных, блок, приборов, показывающих

Текст:

...так как требуется изготовление отдельных деталей колонок и втулок с внутренней резьбой, и снижает надежность изделия из-за наличия большого количества резьбовых соединений. Предлагаемая полезная модель направлена на решение следующих задач снижение затрат по сборке блока вторичных показывающих приборов за счет упрощения сборки с сокращением технологических операций повышение надежности блока вторичных показывающих приборов. Для...

Комбинация приборов транспортного средства

Загрузка...

Номер патента: U 9570

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Плавинский Роман Владимирович, Юрковец Ирина Викторовна, Шорец Алексей Викторович, Владимиров Александр Дмитриевич, Логвин Виталий Борисович

МПК: B60K 35/00, B60K 37/00

Метки: транспортного, комбинация, средства, приборов

Текст:

...отдельных параметров, выводимых на дисплей проверки работоспособности сигнализаторов и подсветки. Техническая сущность полезной модели поясняется фигурами. На фиг. 1 показана конструкция комбинации приборов. На фиг. 2 показан внешний вид комбинации приборов спереди. На фиг. 3 показан вид комбинации приборов сзади. Заявляемая комбинация приборов состоит из корпуса 1, экрана 2, стекла 3, печатной платы 4 с установленными на ней...

Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневой, изоляции, приборов, полупроводниковых, изготовления, диэлектрической, способ

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Устройство для охлаждения осветительных приборов

Загрузка...

Номер патента: U 9489

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Васильев Леонид Леонардович, Куликовский Вадим Казимирович, Васильев Леонард Леонидович

МПК: F21V 29/00, F21S 13/00

Метки: приборов, охлаждения, осветительных, устройство

Текст:

...ограничение теплоотвода на больших нагрузках из-за запаривания фитиля. Задачей предлагаемого технического решения является повышение эффективности устройства для охлаждения любых осветительных приборов за счет обеспечения высокой теплопередающей способности в широком диапазоне тепловых нагрузок и упрощение конструкции устройства. Задача решается следующим образом. Устройство для охлаждения осветительных приборов, содержащих светодиоды,...

Конструкция металлокомпозиционной заготовки для плат полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8931

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Багаев Сергей Игоревич, Томило Вячеслав Анатольевич, Паршуто Александр Александрович, Паршуто Александр Эрнстович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Поболь Игорь Леонидович, Соколов Юрий Валентинович

МПК: H05K 3/28, C09D 163/00

Метки: полупроводниковых, заготовки, металлокомпозиционной, конструкция, плат, приборов

Текст:

...фракционного состава гранул 7 нитрида алюминия более 6000 нм сопровождается тем, что большие гранулы, как показывает эксперимент, имеют низкий коэффициент заращивания, т.е. не происходит их обволакивания матричным материалом пористого макрослоя 3 оксида пористого в процессе формирования композита макрослой 3 оксида пористого - гранулы 7 нитрида алюминия. Формирование композита при этом сопровождается возникновением дефектов...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, межуровневая, полупроводниковых, диэлектрическая, изоляция

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Конструкция платы для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8380

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Томило Вячеслав Анатольевич, Соколов Юрий Валентинович, Паршуто Александр Эрнстович, Поболь Игорь Леонидович, Паршуто Александр Александрович, Багаев Сергей Игоревич

МПК: H05K 1/00, H05K 3/28

Метки: платы, конструкция, приборов, полупроводниковых

Текст:

...основание 1 выполнено из алюминиевых сплавов с высокой теплопроводностью, а в качестве диэлектрического материала на одной поверхности или на всей поверхности основания 1, для улучшения адгезии и диэлектрической проницаемости, размещен инициирующий нанослой 2 плотного оксида алюминия 23 толщиной 10-200 нм, на котором размещен макрослой 3 пористого оксида алюминия 23 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, создании, способ, приборов, полупроводниковых, бора, твердых, источников, интегральных, планарных, схем

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: удаления, фоторезиста, системы, изготовлении, полупроводниковых, приборов, состав, металлизации

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: полупроводниковых, изготовления, металлизации, способ, системы, приборов

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Способ изготовления кремниевых быстродействующих приборов

Загрузка...

Номер патента: 15639

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Гурин Павел Михайлович, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, приборов, быстродействующих, изготовления, способ

Текст:

...сильно облученных кремниевых -переходах процессы рекомбинации, генерации и захвата носителей заряда идут через различные радиационные дефекты - центры (РД). Это обстоятельство делает возможным независимое влияние на такие характеристики эпитаксиальных приборов, как генерационный ток, прямое падение напряжения и время жизни неравновесных носителей заряда (ННЗ). При оптимальных, для конкретных приборных структур, режимах облучения и...

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: приборных, радиационной, приборов, полупроводниковых, обработки, быстродействующих, структур, изготовлении, способ

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Солодуха Виталий Александрович, Становский Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, силовых, кремниевые, полупроводниковых, диффузии, пластины, акцепторных, приборов, примесей, способ

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Устройство для измерения характеристик излучения оптических излучающих приборов

Загрузка...

Номер патента: U 7393

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Ракуш Владимир Валентинович, Михайлов Юрий Тимофеевич, Корнилович Ирина Викторовна

МПК: G01J 1/00, G01J 3/00, G01J 4/00...

Метки: устройство, измерения, излучающих, приборов, характеристик, оптических, излучения

Текст:

...На фиг. 4 представлена схема в разрезе в горизонтальной плоскости индексирующего механизма. Устройство содержит (фиг. 1) измерительный прибор 1 с приемником 2 излучения и револьверную головку 3 для смены оптических излучающих приборов, имеющую индексирующий механизм (фиг. 4). Револьверная головка 3 (фиг. 1) содержит каркас 4, верхнее кольцо 5 с выемками 6(фиг. 1, 4), нижнее кольцо 7 и шарики 8, стойку 9, пружину 10, толкатель 11,...

Приспособление для испытаний оптических приборов

Загрузка...

Номер патента: U 7054

Опубликовано: 28.02.2011

Авторы: Ракуш Владимир Валентинович, Корнилович Ирина Викторовна, Михайлов Юрий Тимофеевич, Музычка Ольга Васильевна

МПК: G01M 11/08

Метки: приборов, приспособление, оптических, испытаний

Текст:

...плите отверстия для вывода излучения испытываемого прибора, назначение пластины из прозрачного материала для оптической связи с испытываемым оптическим прибором через упомянутое отверстие в плите позволяют визуально наблюдать выходное излучение испытываемого оптического излучающего прибора, отраженное от упомянутой пластины из прозрачного материала, во время проведения испытаний прибора на воздействие механических нагрузок и,...

Сплав для пайки электронных приборов

Загрузка...

Номер патента: 13824

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Купченко Геннадий Владимирович, Азаркова Екатерина Александровна, Майонов Александр Владимирович, Буслюк Виктор Вячеславович, Поко Ольга Александровна

МПК: B23K 35/24, C22C 9/02

Метки: приборов, сплав, электронных, пайки

Текст:

...переходного электрического сопротивления. Это отрицательно сказывается на электрическом контакте кристалл-держатель при повышенной ( 125 С) температуре эксплуатации электронного прибора, что может привести к возникновению такого вида отказов, как переменный контакт, особенно важный для изделий ответственного назначения. Задачей настоящего изобретения является снижение температуры плавления сплава для пайки электронных приборов. Поставленная...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 13466

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 23/52, H01L 21/02

Метки: системы, полупроводниковых, способ, приборов, металлизации, изготовления, кремниевых

Текст:

...структуры после травления алюминия. Недостатком прототипа является то, что барьерный слой формируется не только на поверхности межуровневого диэлектрика, но и непосредственно в контактных окнах. Поскольку он обладает сравнительно высоким электрическим сопротивлением по сравнению с металлом и имеет электронный тип проводимости, это приводит к увеличению переходного сопротивления контактов, особенно к -областям, что снижает качество системы...

Устройство уплотнительное для спуска на тросе или штанге приборов в скважину

Загрузка...

Номер патента: U 6268

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Кротиков Сергей Петрович, Титов Виктор Иванович, Алампиев Олег Александрович, Емельянчиков Сергей Петрович

МПК: E21B 33/03

Метки: штанге, приборов, скважину, или, уплотнительное, устройство, тросе, спуска

Текст:

...задача, на решение которой направлена заявляемая полезная модель, повышение удобства эксплуатации и увеличение ресурса работы устьевого оборудования путем улучшения центровки сальникового уплотнения относительно троса или штанги. 2 62682010.06.30 Сущность полезной модели поясняется чертежами, где на фиг. 1 показан общий вид устройства уплотнительного для спуска на тросе или штанге приборов в скважину, на фиг. 2 выноска А на фиг. 1. Решение...

Штыревой радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 12883

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Хорунжий Игорь Анатольевич, Бобученко Дмитрий Степанович, Доманевский Дмитрий Сергеевич

МПК: H01L 23/34, F28D 15/04, H05K 7/20...

Метки: штыревой, охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

Текст:

...перенос тепла от оснований штырьков к их торцам осуществлен с помощью встроенных в штырьки миниатюрных тепловых труб. На чертеже стрелками показано направление потока охлаждающей радиатор внешней среды, например воздушной. В радиаторе 1 внутрь каждого штырька 3 встроена миниатюрная тепловая труба 4,выполненная в виде герметически закрытого контейнера 5, из которого откачан воздух, а на внутренних стенках 6 контейнера 5 размещена...

Устройство контроля и юстировки оптических приборов

Загрузка...

Номер патента: U 5874

Опубликовано: 30.12.2009

Авторы: Маслакова Наталья Илларионовна, Тареев Анатолий Михайлович, Горбачевская Ольга Романовна, Поконечный Здислав Иосифович

МПК: G01B 11/26

Метки: приборов, оптических, контроля, юстировки, устройство

Текст:

...4, первую сетку 5 с проекционной маркой и первый объектив 6 с выходным зрачком 7, и, по меньшей мере, два боковых коллиматора симметрично расположенных относительно первого коллиматора, каждый из которых включает установленные на одной оси второй осветитель 8, вторую сетку 9 с проекционной маркой и второй объектив 10 с выходным зрачком 11. На выходе боковых коллиматоров в ходе их коллимированных световых пучков соосно с боковыми...

Способ дистанционного контроля метрологических характеристик автоматизированных радиоизмерительных приборов диапазона СВЧ

Загрузка...

Номер патента: 12574

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Кострикин Анатолий Михайлович, Гусинский Александр Владимирович, Толочко Татьяна Константиновна

МПК: G01R 17/00

Метки: радиоизмерительных, дистанционного, автоматизированных, характеристик, контроля, способ, свч, приборов, метрологических, диапазона

Текст:

...структура измерительной системы. В состав системы входят управляющая ЭВМ 1, находящаяся в испытательной лаборатории, модемы 2,4, с помощью которых осуществляется связь по стандартным линиям связи 3, ЭВМ с контроллером КОП 5, входящая в состав измерителя комплексных параметров СВЧ - устройств, измеритель комплексных параметров СВЧ - устройств 6, эталонный комплект мер 7, испытательная лаборатория 8, удаленная лаборатория 9. Управление...

Устройство для изучения виртуальных измерительных приборов

Загрузка...

Номер патента: U 5405

Опубликовано: 30.08.2009

Авторы: Ивинский Леонид Константинович, Зализный Дмитрий Иванович, Широков Олег Геннадьевич, Гончаров Игорь Михайлович

МПК: G09B 23/00, G01R 13/00

Метки: измерительных, изучения, устройство, виртуальных, приборов

Текст:

...электрической сети до 15 А, напряжений в трехфазной электрической сети до 400 В, а также температуры трансформаторного масла от 0 до 90 С,температуры воздуха от 0 до 40 С и передавать их в персональный компьютер. Трехфазная нагрузка - лампы накаливания и конденсаторы, в различных комбинациях подключаемые к соответствующим фазным напряжениям трехфазной сети с помощью соответствующих однофазных коммутационных аппаратов, позволяют...

Способ ускоренной отбраковки полупроводниковых приборов с повышенной чувствительностью параметров к дестабилизирующим воздействиям

Загрузка...

Номер патента: 11849

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: приборов, параметров, чувствительностью, полупроводниковых, отбраковки, способ, повышенной, дестабилизирующим, ускоренной, воздействиям

Текст:

...смещения. Даже при современных методах создания приборных структур, в которых защитные покрытия поверхности весьма совершенны, в них происходят процессы генерации и перемещения зарядов. Анализ источников этих зарядов применительно к кремниевым структурам показывает, что при воздействии ионизирующего облучения происходит увеличение скорости накопления поверхностных зарядов и изменение соответствующих параметров испытуемых структур. Причины...

Композиция для получения твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11789

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Бересневич Людмила Брониславовна, Мойсейчук Константин Леонидович, Кузик Сергей Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: схем, полупроводниковых, получения, твердых, источников, приборов, изготовлении, интегральных, бора, композиция

Текст:

...мас.затрудняется процесс создания ТИБ и снижается их качество. Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого источника бора. При содержании аэросила менее 2,5 мас.затрудняется процесс нанесения пасты...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 11642

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: отбраковки, основе, приборов, радиационной, стойкости, способ, кремния, полупроводниковых

Текст:

...кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной концентрацией кислорода. При исследовании характеристик облученных приборов на основе кислородного кремния этот факт обязательно следует принимать во внимание, так как роль кислорода в образовании радиационных дефектов чрезвычайно...

Объектив для приборов ночного видения

Загрузка...

Номер патента: 11575

Опубликовано: 28.02.2009

Автор: Шишкин Игорь Петрович

МПК: G02B 9/00, G02B 13/14

Метки: видения, ночного, приборов, объектив

Текст:

...обеспечивает высокое качество изображения при совместной работе с ЭОПами нулевого поколения, имеющими катод сферической формы, и который имеет при этом малое количество элементов. Поставленная задача достигается тем, что в объективе для приборов ночного видения,содержащем установленные по ходу луча первый элемент в виде одиночной положительной плосковыпуклой линзы, обращенной выпуклостью к предмету, второй элемент в виде склейки из...

Многослойное пассивирующее покрытие для высоковольтных полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 11325

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Пуцята Владимир Михайлович, Солодуха Виталий Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, пассивирующее, покрытие, многослойное, высоковольтных, приборов

Текст:

...приводящие к нарушению сплошности пассивирующих слоев, изгибу и разрушению подложки,что обусловливает снижение выхода годных. При нанесении в качестве фосфорсодержащего легкоплавкого стекла борофосфоросиликатного стекла (БФСС) толщиной 0,6-2,0 мкм с суммарным содержанием бора и фосфора 8-10 мас.при содержании фосфора 3,8-5,0 мас.появляется дополнительное преимущество-возможность оплавления стекла при более низких температурах, что...

Полиимидная композиция для защиты кристаллов полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 11322

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Галиева Жаннета Николаевна, Глоба Анастасия Ивановна, Крутько Эльвира Тихоновна, Жарская Тамара Александровна, Глоба Иван Иванович

МПК: C08L 79/00

Метки: полупроводниковых, приборов, защиты, схем, интегральных, композиция, полиимидная, кристаллов

Текст:

...влияние на теплофизические характеристики покрытия, благодаря чему достигается меньшая разница между коэффициентами термического расширения материалов, из которых изготовлены функциональные элементы кристалла, и защитного покрытия, обеспечивая меньшую вероятность повреждения микроэлементов структуры по причине несогласованности этих характеристик. Экспериментально установлено, что эффект снижения усадки защитного покрытия и повышения выхода...

Система изменения угла расходимости и направления лазерного излучения приборов наведения

Загрузка...

Номер патента: U 4930

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Топленикова Татьяна Васильевна, Тареев Анатолий Михайлович, Поконечный Здислав Иосифович, Горбачевская Ольга Романовна, Неменёнок Александр Иванович

МПК: F41G 7/00

Метки: наведения, угла, излучения, система, приборов, лазерного, направления, расходимости, изменения

Текст:

...на первой оптической оси под углом 45 к ней перед первым блоком 1 линз панкратической системы с возможностью вывода из хода лучей света первого блока 1 и второго блока 7 линз панкратической системы в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Отражатель 13 установлен на второй оптической оси перед вторым блоком 7 линз панкратической системы и параллелен первому отражателю 12. В конкретном исполнении отражатели 12 и 13 выполнены в...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Кресло Сергей Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: силовых, приборов, примесей, акцепторных, изготовления, диффузии, полупроводниковых, пластины, кремниевые, способ

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Способ диффузии бора из твердых источников бора при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Загрузка...

Номер патента: 10529

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Матюшевский Анатолий Петрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, бора, микросхем, источников, интегральных, способ, диффузии, приборов, твердых, изготовлении

Текст:

...на ней кремниевыми пластинами и ТИБ до первоначального уровня температуры в потоке азота с кислородом также обусловливает интенсивноеокисление поверхности кремниевых пластин, сопровождающееся обеднением бором приповерхностной области кремниевых пластин, приводящим К увеличению разброса поверхностного сопротивления и снижению выхода годных. Кроме того, отсутствие кварцевого экрана и в данном способе приводит к разбросу поверхностного...

Система изменения угла расходимости лазерного излучения приборов наведения

Загрузка...

Номер патента: 10502

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Кунделева Наталия Ефимовна, Тареев Анатолий Михайлович

МПК: G02B 23/02, F41G 7/00

Метки: угла, расходимости, изменения, лазерного, наведения, приборов, излучения, система

Текст:

...его вывода с первой оси в направлении, параллельном его отражающей плоскости. Введение в систему изменения угла расходимости лазерного излучения приборов наведения последовательно установленных на второй оптической оси, параллельной первой,второго блока линз панкратической системы, второго объектива и оптического компенсатора, а также установленного на второй оси перед вторым блоком линз панкратической системы второго отражателя, оптически...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 10429

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, интегральных, создании, источников, способ, приборов, полупроводниковых, твердых, планарных, схем, бора

Текст:

...активация источников бора.При содержании оксида бора в композиции менее 32,0 мас. снижается срок службы ТПИБ. При содержании оксида бора в композиции более 36 мас. затрудняется процесс создания ТПИБ и снижается их качество.Аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 5-20 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддержанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и...

Способ изготовления системы металлизации кремниевых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10527

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Плебанович Владимир Иванович, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/52, H01L 23/48...

Метки: изготовления, кремниевых, способ, полупроводниковых, системы, металлизации, приборов

Текст:

...к снижению ВНО. Происходит разрыв токоведущей дорожки и отказ прибора.Использование сплавов алюминия дает заметный положительный эффект за счет снижения концентрации электрически активных дефектов, однако не является радикальным методом, поскольку не сводит влияние дефектов к нулю. Поэтому системы металлизациис использованием сплавов алюминия также характеризуются наличием значительной электромиграции.Наиболее близким К изобретению, его...

Способ отбраковки полупроводниковых приборов на основе кремния по радиационной стойкости

Загрузка...

Номер патента: 10133

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Коршунов Федор Павлович, Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Метки: кремния, отбраковки, радиационной, способ, основе, стойкости, приборов, полупроводниковых

Текст:

...полученном одним и тем же способом, может существенно различаться. Так, в тянутом кремнии, выращенном методом Чохральского и являющемся базовым материалом большинства диодов, транзисторов и тиристоров средней мощности,концентрация кислорода может составлять от 11017 до 31018 см-2. Поэтому в условиях реального производства биполярные полупроводниковые приборы одного и того же типа могут быть получены на исходном кремнии с различной...

Способ регулирования времени жизни неосновных носителей заряда при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9993

Опубликовано: 30.12.2007

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Коршунов Федор Павлович

МПК: H01L 21/02

Метки: заряда, полупроводниковых, регулирования, носителей, способ, жизни, быстродействующих, изготовлении, неосновных, времени, приборов

Текст:

...Флюенс облучения выбран в интервале 11016 - 51016 см-2, поскольку при флюенсе меньше 11016 см-2 концентрация образующихся при отжиге дефектов недостаточна для снижения времени жизни неосновных носителей до уровня, позволяющего добиться требуемых ТУ параметров быстродействия (время обратного восстановления). При флюенсе выше 51016 см-2 в результате отжига наряду с введением эффективных центров рекомби 2 9993 1 2007.12.30 нации также...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Ануфриев Дмитрий Леонидович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, бора, схем, твердый, изготовления, диффузии, интегральных, полупроводниковых, планарный, источник

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...