Патенты с меткой «прибора»

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Подковщиков Николай Николаевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: полупроводникового, способ, кристалла, формирования, прибора, металлизации, стороны, обратной

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: кристалла, стороны, металлизация, обратной, прибора, полупроводникового

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18281

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: кремниевого, кристалла, присоединения, способ, прибора, полупроводникового, кристаллодержателю

Текст:

...золота. Это приведет к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество...

Узел соединения штуцера с корпусом прибора тормозной системы железнодорожного транспорта

Загрузка...

Номер патента: U 9250

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Смирнов Дмитрий Сергеевич, Фокин Алексей Николаевич, Козлов Андрей Николаевич

МПК: B60T 17/06, F16L 35/00

Метки: тормозной, корпусом, соединения, системы, узел, транспорта, штуцера, прибора, железнодорожного

Текст:

...обеспечивающей снижение трудоемкости монтажа трубы к прибору, а также исключающей возможность попадания прядей льна внутрь прибора, и возможность эксплуатации соединения в необходимом диапазоне температур с сохранением герметичности при наличии вибрационных и динамических нагрузок с увеличением при этом межремонтных сроков. Указанный технический результат достигается тем, что узел соединения штуцера с корпусом прибора тормозной системы...

Соединение жесткого штуцера прибора или машины с эластичным полимерным трубопроводом жидкости или газа

Загрузка...

Номер патента: U 8286

Опубликовано: 30.06.2012

Автор: Зуев Александр Борисович

МПК: F16L 33/16

Метки: или, полимерным, жесткого, жидкости, трубопроводом, газа, эластичным, прибора, машины, соединение, штуцера

Текст:

...поверхности в форме плоскости, перпендикулярной оси канала трубопровода, и шар, усеченный по меньшей мере с одной стороны сквозного диаметрального канала с формированием поверхности в форме усеченного конуса. В предпочтительных формах реализации заявляемого соединения наружный диаметр распорного элемента определен как сумма величин наружного диаметра эластичного полимерного трубопровода и толщины его стенки. 3 82862012.06.30 Распорный...

Емкостной зонд прибора оперативного контроля огнезащищенности древесины

Загрузка...

Номер патента: U 8126

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Арестович Дмитрий Николаевич, Денисевич Александр Петрович, Филиппович Геннадий Александрович, Яцукович Александр Геннадьевич, Филиппович Андрей Геннадьевич

МПК: A62C 99/00

Метки: контроля, емкостной, прибора, оперативного, огнезащищенности, зонд, древесины

Текст:

...расстоянием между зубьями гребенки, относительной диэлектрической проницаемостью стеклотекстолита и диэлектрической проницаемостью контактируемого с ним материала. Такой датчик имеет следующие недостатки датчик жестко закреплен на конструкции прибора, что не исключает перекоса датчика при контакте с измеряемым образцом результат измерения в такой конструкции в значительной степени зависит от прижимного усилия, что является особенно...

Электрический фильтр для прибора оперативного контроля огнезащищенности древесины

Загрузка...

Номер патента: U 8125

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Арестович Дмитрий Николаевич, Филиппович Андрей Геннадьевич, Шашок Виктор Николаевич, Денисевич Александр Петрович, Филиппович Геннадий Александрович, Яцукович Александр Геннадьевич

МПК: A62C 99/00

Метки: древесины, прибора, оперативного, контроля, электрический, фильтр, огнезащищенности

Текст:

...(прототипом) является электрический фильтр прибора для измерения диэлектрической проницаемости материалов 1. Фильтрующие свойства прибора определяются индуктивностью (дросселем) 3 и конденсатором 4. Такой фильтр имеет следующие недостатки низкие фильтрующие свойства в области как высоких, так и низких частот, что снижает помехозащищенность прибора значительную неравномерность коэффициента передачи в диапазоне частот. Последний фактор...

Способ изготовления мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14985

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Сарычев Олег Эрнстович, Выговский Станислав Вячеславович, Турцевич Аркадий Степанович, Зубович Анатолий Николаевич, Глухманчук Владимир Владимирович

МПК: H01L 23/12

Метки: изготовления, мощного, способ, прибора, полупроводникового

Текст:

...металлокерамических корпусов. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления мощного полупроводникового прибора, при котором выполняют части его корпуса в виде основания, обечайки,выводов, ободка, крышки и термокомпенсатора, в обечайке выполняют два сквозных отверстия и выемку для выводов, упомянутые части корпуса обезжиривают, промывают в деионизованной воде, сушат и отжигают изготавливают керамические изоляторы...

Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 14318

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, изоляция, диэлектрическая, полупроводникового, межуровневая

Текст:

...обнажается поверхность пленки на основе диоксида кремния, к которой полиимид имеет очень слабую адгезию. Толщина пленки нитрида кремния более 0,15 мкм нецелесообразна в связи с тем, что затраты на ее формирование увеличиваются без получения дополнительных преимуществ. Кроме того, в структуре растут механические напряжения, которые приводят к возникновению характерных дефектов, в частности пор в диэлектрической изоляции, что приводит к снижению...

Способ автоматической поверки стрелочного измерительного прибора с матричной системой отображения информации и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 13628

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Алексеев Александр Николаевич, Колпаков Владимир Иванович, Мозжаров Сергей Евгеньевич, Зиновенко Виктор Семенович, Сакевич Валерий Николаевич

МПК: G01R 35/00

Метки: отображения, устройство, способ, измерительного, поверки, автоматической, матричной, системой, информации, осуществления, стрелочного, прибора

Текст:

...при включенном осветителе шкалы, запоминают полученные изображения, переводят их в бинарный вид и кадрируют, выделяя индивидуально для каждой поверяемой отметки фрагменты изображения, необходимые для расчета относительного положения стрелки и поверяемой отметки, рассчитывают относительную погрешность указанного расположения и выдают сигнал о результатах расчета, далее осуществляют поверку матричной системы отображения информации сначала в...

Способ изготовления полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 13237

Опубликовано: 30.06.2010

Авторы: Шведов Сергей Васильевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: способ, прибора, изготовления, полупроводникового

Текст:

...нитрида кремния в водороде химическая связь между атомами кремния и азота разрывается, а на оборванные связи присоединяется водород. Связь кремния с водородом при контакте с воздухом окисляется, а связь азота с водородом, представляющая собой не что иное как модифицирующие аминогруппы, остается стабильной вплоть до нанесения пленки полиамидокислоты. Поскольку нитрид кремния содержит очень много азота, количество образовавшихся...

Межуровневая диэлектрическая изоляция полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: U 6196

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/02

Метки: межуровневая, диэлектрическая, прибора, полупроводникового, изоляция

Текст:

...дефектов. Кроме того, пленки нитрида кремния характеризуются высокими барьерными свойствами по отношению к катионным загрязнениям, что обеспечивает дополнительные преимущества заявляемой конструкции. Минимальная толщина нитрида кремния, равная 0,02 мкм, обусловлена тем, что при меньших значениях существующие методы получения таких пленок не обеспечивают их сплошность, формируемая пленка носит островковый характер. Кроме того, в процессе...

Корпус мощного полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12545

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Осипов Александр Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Выговский Станислав Вячеславович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Горобец Григорий Александрович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 23/00

Метки: мощного, корпус, полупроводникового, прибора

Текст:

...стекла С-76-4 с обечайкой из стали, которые имеют существенное различие в коэффициентах термического линейного расширения (КТЛР), что способствует возникновению в стеклоспае механических напряжений, приводящих к образованию сквозных и несквозных микротрещин в стекле и снижению герметичности по ВУ 12545 С 12009.10.30сле термоциклирования. Так как стеклоспай обладает низкой устойчивостью К механическим деформациям выводов при эксплуатации,...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 12022

Опубликовано: 30.06.2009

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович, Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: кристалла, полупроводникового, способ, прибора, кристаллодержателю, присоединения, кремниевого

Текст:

...кремниевого кристалла к кристаллодержателю ПП, повышает выход годных ИСМЭ, а также упрощает технологию изготовления кристалла полупроводникового прибора, так как не требуется наносить многослойную припоеобразующую композицию на обратную сторону кристалла. Выбор отношения массы дозы припоя к произведению площади кристалла и плотности припоя из диапазона (1,0-1,96), где- необходимая толщина паяного соединения,объясняется следующим образом....

Способ выявления глубоких уровней в p-n-переходе полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11643

Опубликовано: 28.02.2009

Авторы: Жданович Николай Евгеньевич, Марченко Игорь Георгиевич, Шведов Сергей Васильевич

МПК: H01L 21/66

Метки: прибора, глубоких, полупроводникового, выявления, уровней, способ, p-n-переходе

Текст:

...максимум, то делают вывод о присутствии дефектов с ГУ. Для каждого значения среднего токаопределяют по графику Т, при которой зависимостьдостигает максимума. Для каждой пары ближайших значений средних токов 1,2 и соответствующих им температур 1 и Т 2 вычисляют энергию термической ионизации ГУпо формуле (1). Вычисляют среднее арифметическое значениевсех полученных таким образом величин , которое и является наиболее вероятным значением...

Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11169

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, системы, изготовления, полупроводникового, способ, металлизации

Текст:

...пределах приводят к постоянному перераспределению механических напряжений в структуре и возникновению все новых разрывов гидрооксидной пленки. При этом с каждым новым циклом прекращается рост бугорков, возникших при проведении предыдущего цикла, и начинается рост новых бугорков. Однако, поскольку длительность каждого цикла довольно мала, бугорки не успевают вырасти большими. Таким образом, кристаллизация пленки и формирование омических...

Способ изготовления полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11168

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: прибора, изготовления, полупроводникового, способ

Текст:

...толщины собственного оксида, образующегося при хранении структур на воздухе (2 нм), и поэтому является гарантом стабильности полученной поверхности. Время окисления зависит от режимов обработки (давления кислорода, мощности и т.д.), но в большинстве случаев не превышает 5 мин. Типичные значения составляют 0,5-1 мин. Такие процессы обработки в плазме кислорода широко используются в технологии микроэлектроники, например, для удаления...

Способ изготовления системы металлизации кремниевого полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 11167

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович, Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: системы, изготовления, способ, полупроводникового, кремниевого, металлизации, прибора

Текст:

...используют частично имидизированные пленки. Требуемая адгезия достигается химическим взаимодействием ПАК с алюминием с образованием химической связи между ними в соответствии с реакцией Продукт реакции можно классифицировать как соль. Ее образование сопровождается возникновением положительных ионов алюминия на границе раздела металл - ПИ. Наличие таких ионов, даже связанных в химическое соединение, не может способствовать повышению...

Способ изготовления системы металлизации полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10921

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Портнов Лев Яковлевич, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, полупроводникового, металлизации, способ, системы, прибора

Текст:

...проводят путем трехкратного - пятнадцатикратного воздействия импульсами магнитного поля энергией 0,5-10 кДж каждый. Сущность заявляемого технического решения заключается в селективном высокоэнергетическом воздействии на металлическую пленку при магнитно-импульсной обработке,что приводит к ее быстрой рекристаллизации без возникновения дефектов. Импульсное магнитное поле, взаимодействуя с полупроводниковой структурой, обусловливает...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 10417

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Керенцев Анатолий Федорович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/48, H01L 21/02

Метки: прибора, металлизация, полупроводникового

Текст:

...кристалла и кристаллодержателя. При суммарной толщине слоев многослойной структуры серебро-олово более 15 мкм не происходит дальнейшего улучшения качества присоединения кремниевого кристалла к подложкодержателю полупроводникового прибора, поскольку излишки расплавленного припоя выдавливаются из-под кристалла, что экономически нецелесообразно. Для обеспечения качества сборки ИСМЭ необходимо, чтобы температура плавления припоя...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8858

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Леонид Петрович, Кавунов Андрей Петрович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 23/482, H01L 23/48, H01L 21/60...

Метки: металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...полупроводникового прибора.Адгезионный слой титана толщиной (0,07-0,15) мкм служит для улучшения адгезии слоя никеля или никеля с ванадием к буферному слою алюминия или его сплава, вовторь 1 х, структура А 1/Т 1 устойчива к электромиграции и шипообразованию из-за образования интерметаллического соединения А 1 Т 13. Интерметаллическое соединение А 1 Т 13 образуется на границе раздела алюминий - титан во время присоединения кремниевого...

Металлизация полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8887

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Портнов Лев Яковлевич, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 23/48, H01L 23/482, H01L 21/60...

Метки: прибора, полупроводникового, металлизация

Текст:

...(О,1-1,О) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационного хранения пластин, а также первичное смачивание поверхности кристаллодержателя во время присоединения кремниевого кристалла. Верхний слой олова толщиной менее 0,1 мкм не обеспечивает достаточной защиты от окисления нижележащего слоя свинца, что приводит к ухудшению смачиваемости кристаллодержателя при посадке и снижению качества монтажа...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8885

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Тарасиков Михаил Васильевич, Зубович Анатолий Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: кремниевого, присоединения, кристаллодержателю, кристалла, способ, прибора, полупроводникового

Текст:

...свинца в многослойной структуре необходим для формирования оловянносвинцового припоя во время присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора, т.к. олово в чистом виде непригодно к использованию в качестве припоя.Верхний слой олова в многослойной структуре толщиной (0,1-1,0) мкм обеспечивает защиту нижележащего слоя свинца от окисления на воздухе во время межоперационногохранения пластин, а также...

Способ присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 8759

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович, Ануфриев Леонид Петрович, Портнов Лев Яковлевич, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/60, H01L 21/58

Метки: кристаллодержателю, кристалла, прибора, полупроводникового, присоединения, способ, кремниевого

Текст:

...требований технологического процесса сборки. С другой стороны, для получения качественного присоединения кристалла к кристаллодержателю полупроводникового при ВУ 8759 С 12006.12.30бора И достижения высокого выхода годных приборов необходимо обеспечить полное и равномерное растекание припоя по паяемой поверхности кремниевого кристалла и кристаллодержателя во время присоединения, а также согласовать их термические коэффициенть 1 линейного...

Корпусная конструкция электронного прибора (Варианты)

Загрузка...

Номер патента: U 2921

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Тишкевич Сергей Матвеевич, Козарезов Николай Васильевич

МПК: G12B 9/02, H05K 7/18

Метки: прибора, конструкция, варианты, электронного, корпусная

Текст:

...призмы,крепежные элементы для взаимодействия с панелью внешнего установочного устройства,при этом одна из боковых поперечных стенок корпуса снабжена прорезями для вывода контактных соединителей узла электронной схемы, согласно полезной модели, крепежные элементы выполнены в виде упоров, которые смонтированы на наружных поверхностях продольных боковых стенок корпуса с возможностью плотного контакта с внешним установочным устройством, при...

Расположение детали прибора

Загрузка...

Номер патента: 5462

Опубликовано: 30.09.2003

Авторы: ЗИНШТЕДЕН, Клаудиа, ЛАНГЕЛЬС, Штефан, БЕГЕЛЬ-ПЕТТЕР, Юрген, ХЕЛЛЕР, Младен

МПК: E05D 5/02

Метки: детали, расположение, прибора

Текст:

...в результате чего оказывается влияние на величину зазора между неподвижной и створчатой рамами. В частности, такие средства по п. 13 формулы изобретения могут содержать винт, который в целях экономии места может быть выполнен по п. 14 формулы изобретения в виде потайного винта. На чертежах представлены примеры осуществления изобретения. На фиг. 1 показан вид в перспективе двух расположенных рядом участков рамы, связанных между собой...