Патенты с меткой «полупроводниковых»

Способ изготовления силовых быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии

Загрузка...

Номер патента: 18059

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, изготовления, быстродействующих, ядерно-легированном, полупроводниковых, способ, силовых, приборов

Текст:

...Задачей изобретения является увеличение процента выхода годных приборов за счет лучшего соотношения частотных и статических характеристик. Способ изготовления силовых и быстродействующих полупроводниковых приборов на ядерно-легированном кремнии, при котором полностью сформированные приборные структуры с переходами и контактами перед посадкой в корпуса облучают при температуре 340-360 С в течение времени 5-10 мин до флюенса 21014-31014 см-2....

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17712

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Антон Викторович, Новиков Виктор Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: изоляция, межуровневая, диэлектрическая, полупроводниковых, приборов

Текст:

...травление слоев ПХО, нитрида кремния и термического диоксида кремния, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа отсутствуют самостоятельные операции гидрогенизации поверхности нитрида обработкой в водородсодержащей плазме, нанесения полиамидокислоты и ее сушка, термообработки слоя полиамидекислоты для ее превращения в полиимид они все заменены на всего одну операцию осаждения ПХО. Отсутствует также операция адгезионной...

Способ модификации поверхности полупроводниковых нанокристаллов (квантовых точек) для использования их в биологии и медицине

Загрузка...

Номер патента: 17861

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Еремин Александр Николаевич, Жавнерко Геннадий Константинович, Агабеков Владимир Енокович

МПК: C09K 11/54, B82Y 15/00, B82Y 40/00...

Метки: нанокристаллов, способ, медицине, поверхности, квантовых, биологии, использования, точек, полупроводниковых, модификации

Текст:

...мМ 3 с 200 мМ ). Функционализированные квантовые точки , переведенные из обращенных мицелл АОТ в водную среду, при 5 17861 1 2013.12.30 естественном или искусственном освещении во времени увеличивают интенсивность флуоресценции, а их растворы характеризуются меньшей величиной светорассеяния. В процессе фотоактивации практически полностью восстанавливается флуоресценция квантовых точек , функционализированных БСА в обращенных мицеллах АОТ(фиг....

Способ изготовления межуровневой диэлектрической изоляции для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 17618

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Новиков Виктор Александрович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, диэлектрической, межуровневой, способ, приборов, изоляции, полупроводниковых

Текст:

...изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния требуемой толщины и конфигурации, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка,совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, травление контактных окон, удаление фоторезиста. В отличие от прототипа,...

Способ получения полупроводниковых твердых растворов

Загрузка...

Номер патента: 17457

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Пушкарев Анатолий Васильевич, Желудкевич Александр Ларионович, Корзун Борис Васильевич, Олехнович Николай Михайлович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46

Метки: твердых, получения, способ, полупроводниковых, растворов

Текст:

...твердых растворов на основе тройных соединений 2 и 2 заключается в следующем. Вначале подготавливают шихту заданного состава с 00,15 из предварительно полученных тройных соединений 2 и 2. Шихту гомогенизируют в шаровой мельнице. После этого шихту запрессовывают в таблетки, помещают в камеру высокого давления и подвергают термобарической обработке в течение 3-20 мин при давлении 4-6 ГПа и температуре 9701270 . Далее таблетки извлекают из...

Способ травления пленки диоксида кремния при аэрозольной химической очистке полупроводниковых пластин

Загрузка...

Номер патента: 17333

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Турцевич Аркадий Степанович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: B08B 3/02, G05D 23/00, H01L 21/02...

Метки: диоксида, аэрозольной, способ, кремния, пленки, травления, полупроводниковых, пластин, химической, очистке

Текст:

...с прототипом показывает, что заявляемый способ отличается от известного тем, что перед травлением выполняют термостабилизацию поверхности пластин путем подачи деионизованной воды комнатной температуры в течение 3-7 мин при вращении пластин со скоростью 20-200 об./мин и сброса воды с пластин при вращении со скоростью 350-450 об./мин в течение 10-25 с. Использование идентичной или сходной совокупности отличительных признаков для решения...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович

МПК: C30B 29/10, C25D 9/08, H01L 21/02...

Метки: подложках, пленок, способ, или, соединений, полупроводниковых, aііbvі, aіvbvі, бинарных, кремния, монокристаллического, групп, формирования

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Конструкция металлокомпозиционной заготовки для плат полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8931

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Томило Вячеслав Анатольевич, Соколов Юрий Валентинович, Багаев Сергей Игоревич, Паршуто Александр Александрович, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Паршуто Александр Эрнстович, Поболь Игорь Леонидович

МПК: C09D 163/00, H05K 3/28

Метки: металлокомпозиционной, конструкция, заготовки, приборов, полупроводниковых, плат

Текст:

...фракционного состава гранул 7 нитрида алюминия более 6000 нм сопровождается тем, что большие гранулы, как показывает эксперимент, имеют низкий коэффициент заращивания, т.е. не происходит их обволакивания матричным материалом пористого макрослоя 3 оксида пористого в процессе формирования композита макрослой 3 оксида пористого - гранулы 7 нитрида алюминия. Формирование композита при этом сопровождается возникновением дефектов...

Способ аэрозольного удаления фоторезиста и полимерных загрязнений с поверхности полупроводниковых кремниевых пластин после плазмохимического травления

Загрузка...

Номер патента: 16838

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Кисель Анатолий Михайлович, Турцевич Аркадий Степанович, Иванчиков Александр Эдуардович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/30

Метки: фоторезиста, полимерных, плазмохимического, аэрозольного, полупроводниковых, загрязнений, поверхности, способ, травления, кремниевых, удаления, после, пластин

Текст:

...а увеличение концентрации аммиака более 1,5 объемных частей приводит к увеличению скорости травления пленки 2 и подтравам поликремния. Снижение концентрации перекиси водорода в смеси аммиака, перекиси водорода и воды менее 1,0 объемной части приводит к увеличению привнесенной дефектности, и наблюдаются подтравы поликремния, а увеличение концентрации перекиси водорода более 1,5 объемных частей приводит к неполному удалению полимера. Снижение...

Способ струйной очистки поверхности полупроводниковых кремниевых пластин с металлизированной разводкой на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 16480

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/44, B08B 3/08

Метки: алюминия, очистки, кремниевых, пластин, металлизированной, основе, разводкой, полупроводниковых, струйной, поверхности, способ

Текст:

...водой в течение менее 60 с при скорости вращения менее 50 об./мин поверхность недостаточно гидрофилизируется, что приводит к подтраву поверхности алюминия и снижениювыхода ИМС. При предварительной обработке пластин деионизированной водой в течение более 180 секунд и скорости более 150 об./мин наблюдается коррозия алюминия и выход годных снижается. Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2, где на фиг. 1 представлено значительное и...

Алмазная паста для полирования полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 16495

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Корбит Александр Анатольевич, Олехнович Олег Николаевич, Якубовская Светлана Владимировна, Бабаскина Светлана Юрьевна, Кузей Анатолий Михайлович

МПК: C09G 1/02

Метки: паста, материалов, полупроводниковых, алмазная, полирования

Текст:

...Это обусловливает воспроизводимость эксплуатационных свойств алмазной пасты,высокую абразивную способность и высокое качество обработанной поверхности. Сущность способа поясняют примеры конкретного выполнения. Пример 1 (по прототипу) Нагревают жидкий синтанол в количестве 58,0 вес.до 40-50 С, смешивают с зернами абразива АСМ 10/7 (10,0 вес. ), после чего при перемешивании прибавляют жидкий циклимид в количестве 3,0 вес.и предварительно...

Межуровневая диэлектрическая изоляция для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8388

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Новиков Виктор Александрович, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, межуровневая, диэлектрическая, приборов, изоляция

Текст:

...их выхода годных. Процесс изготовления заявляемой межуровневой диэлектрической изоляции состоит из следующих технологических операций формирование промежуточного диоксида кремния, формирование слоя нитрида кремния, осаждение ПХО с одновременной гидрогенизацией всей структуры, нанесение фоторезиста и его сушка, совмещение и экспонирование фоторезиста, проявление фоторезиста, зачистка дна контактных окон, последовательное травление слоев...

Конструкция платы для полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: U 8380

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Соколов Юрий Валентинович, Паршуто Александр Эрнстович, Паршуто Александр Александрович, Багаев Сергей Игоревич, Хлебцевич Всеволод Алексеевич, Томило Вячеслав Анатольевич, Поболь Игорь Леонидович

МПК: H05K 1/00, H05K 3/28

Метки: конструкция, приборов, платы, полупроводниковых

Текст:

...основание 1 выполнено из алюминиевых сплавов с высокой теплопроводностью, а в качестве диэлектрического материала на одной поверхности или на всей поверхности основания 1, для улучшения адгезии и диэлектрической проницаемости, размещен инициирующий нанослой 2 плотного оксида алюминия 23 толщиной 10-200 нм, на котором размещен макрослой 3 пористого оксида алюминия 23 толщиной 20-80 мкм. На макрослое 3 пористого оксида алюминия для улучшения...

Способ изготовления твердых планарных источников бора при создании полупроводниковых приборов и интегральных схем

Загрузка...

Номер патента: 15732

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Дудкин Александр Иванович, Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/02

Метки: планарных, источников, изготовления, способ, полупроводниковых, схем, твердых, приборов, бора, интегральных, создании

Текст:

...процесс создания диффузанта из-за недостаточного связывания оксида бора и аэросила продуктами гидролиза тетраэтоксисилана, что также обусловливает плохое качество и низкий выход годных ТПИБ. Сушка пластин с нанесенным диффузантом на воздухе производится с целью перевода диффузанта из пастообразного в твердое состояние за счет испарения спирта и воды из водно-спиртового раствора ТЭОС. Первый этап термообработки при температуре...

Геттерирующее покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 15745

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Гордиенко Анатолий Илларионович, Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых, геттерирующее, покрытие

Текст:

...еще большим количеством ненасыщенных химических связей. Поэтому присутствие такого слоя между оксидом и поликристаллическим кремнием не снижает эффективность геттерирования. Наличие водорода в его составе приводит к возникновению химического взаимодействия между 2 и - с образованием высокоподвижных функциональных групп -. Эти группы диффундируют вглубь - и далее в поли-, что приводит к уменьшению толщины 2 от 2,5 нм до значений не более...

Состав для удаления фоторезиста при изготовлении системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15743

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, состав, приборов, металлизации, фоторезиста, изготовлении, полупроводниковых, удаления

Текст:

...поскольку все 2 15743 1 2012.04.30 продукты его разложения являются газообразными. Кислород не участвует в реакции гидролиза, поэтому гидролиз поверхности полиимидной пленки, как и в случае прототипа,протекает согласно реакции Протекание данной химической реакции обусловлено контактом раствора с поверхностью полиимидной пленки по окончании процесса удаления фоторезиста. Водные растворы моноэтаноламина обладают основными свойствами....

Способ изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15742

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: H01L 21/28

Метки: системы, способ, приборов, полупроводниковых, изготовления, металлизации

Текст:

...к неоправданно высокому расходу реактивов на проведение данного процесса. Задачей настоящего изобретения является снижение удельного расхода реактивов за счет повышения срока годности состава. Поставленная задача решается тем, что в способе изготовления системы металлизации полупроводниковых приборов, включающем формирование на полупроводниковой пластине полиимидной пленки, формирование фоторезистивной маски, формирование топологического...

Способ радиационной обработки приборных структур при изготовлении быстродействующих полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 15720

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Марченко Игорь Георгиевич

МПК: H01L 21/263

Метки: обработки, полупроводниковых, быстродействующих, способ, изготовлении, приборов, приборных, радиационной, структур

Текст:

...энергетические уровни - центры захвата и рекомбинации носителей заряда. В этом случае при тех же параметрах процесса переключения из проводящего состояния в блокирующее приборы с неоднородным профилем времени жизни неравновесных носителей заряда в базе будут иметь меньшие падения прямого напряжения на приборной структуре 4, 5. Уменьшение концентрации в экранируемых структурах более глубоких рекомбинационных уровней обеспечивает снижение...

Способ формирования функционального покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15747

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, функционального, формирования, полупроводниковых, пластин, способ, кремниевых, 001, покрытия

Текст:

...по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию...

Способ формирования функционального покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15753

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: способ, кремниевых, полупроводниковых, функционального, формирования, покрытия, пластин, ориентации, 001

Текст:

...в качестве первичного элемента островка и соответственно островка в случае выбора окна) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е....

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15599

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: 001, способ, пластин, ориентации, кремния, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15593

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: изготовления, способ, пластин, 001, кремния, ориентации, полупроводниковых

Текст:

...упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им окон, т.е. 1/3 часть от глубины проникновения дефектов предыдущего уровня. Дальнейшее разделение оставшихся восьми частей островков пленки по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15592

Опубликовано: 30.04.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, 001, полупроводниковых, кремния, способ, изготовления, пластин

Текст:

...центральной части на диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым уровнем формирования элементов рисунка возникает все новый уровень дислокационной структуры. Одновременное наличие элементов рисунка различного размера и фрактальный характер их...

Способ формирования геттерирующего покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 15321

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Виктор Андреевич, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322, C23C 16/22

Метки: пластин, способ, геттерирующего, кремниевых, формирования, покрытия, полупроводниковых

Текст:

...перед нанесением слоя поликристаллического кремния дополнительно проводят осаждение пленки гидрогенизированного аморфного кремния толщиной 10-100 нм а также тем, что осаждение пленок гидрогенизированного аморфного кремния и слоя поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15320

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 14/34

Метки: пластин, кремния, полупроводниковых, изготовления, способ

Текст:

...для эпитаксиальной рекристаллизации поликристаллического кремния (поли-). В то же время они не являются барьером для диффузии неконтролируемых примесей в область геттера, поскольку имеют одинаковую с ними химическую природу - неконтролируемые примеси существуют в кремнии преимущественно в виде силицидов. Выбор из всей совокупности силицидов именно силицида титана или тантала обусловлен следующими факторами. Эти силициды характеризуются...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния

Загрузка...

Номер патента: 15319

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/322, C23C 8/02

Метки: полупроводниковых, кремния, пластин, изготовления, способ

Текст:

...в течение 30-150 с, далее в плазме аргона в течение 10-60 с, а затем в плазме кислорода в течение времени, необходимого для получения пленки требуемой толщины. Сущность заявляемого технического решения заключается в полном удалении оксида кремния, образовавшегося в результате проведения химобработки и при хранении пластин на воздухе, и последующем окислении чистой поверхности кремния в плазме кислорода. Процессы химической отмывки...

Способ формирования функционального покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15476

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: ориентации, 001, кремниевых, покрытия, полупроводниковых, формирования, способ, пластин, функционального

Текст:

...в 3 раза меньше размеров первичных элементов, глубина проникновения генерируемых ими 5 15476 1 2012.02.28 дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения, генерируемых вновь образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность таких вновь образованных окон в нитриде кремния (или островков диоксида кремния, что то же самое) можно рассматривать как...

Способ формирования функционального покрытия для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15475

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: пластин, полупроводниковых, ориентации, функционального, кремниевых, формирования, покрытия, 001, способ

Текст:

...и 2) с размером сторонына 9 равных частей квадратной формы и замена центральной части на контрастную по отношению к данному элементу приводят к возникновению нового элемента (34 в случае выбора в качестве первичного элемента 2 и, соответственно, 2 в случае выбора 34) с размером стороны, равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение но 5 15475 1 2012.02.28...

Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15474

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: ориентации, кремниевых, полупроводниковых, пластин, покрытие, 001, функциональное

Текст:

...равным 1/3. При этом образуется новый, второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно...

Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15473

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: 001, покрытие, функциональное, кремниевых, ориентации, полупроводниковых, пластин

Текст:

...второй уровень элементов рисунка, сопровождающийся возникновением новых границ. Возникновение новых границ, в свою очередь, сопровождается генерацией дислокаций вдоль этих границ. Однако, поскольку линейные размеры элементов второго уровня в 3 раза меньше размеров элементов первого уровня (т.е. первичных элементов), глубина проникновения генерируемых ими дислокаций в пластину соответственно уменьшается. Совокупность плоскостей скольжения,...

Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15463

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 33/16, H01L 21/302

Метки: кремниевых, покрытие, пластин, ориентации, 001, полупроводниковых, функциональное

Текст:

...на 9 равных квадратных частей и удаление центральной части) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных окон и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов покрытия возникает все новый уровень дислокационной структуры. Фрактальный характер рисунка в слое 34 обеспечивает...

Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15470

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 33/16

Метки: покрытие, 001, функциональное, ориентации, пластин, кремниевых, полупроводниковых

Текст:

...разделение оставшихся восьми частей островков слоя 34 по тому же правилу (разделение на 9 равных квадратных частей и замена центральной части на дополнительный диоксид кремния) приводит к формированию следующего уровня дислокационной структуры. Глубина его залегания определяется размерами вновь образованных элементов и составляет 1/3 часть от глубины залегания дефектов предыдущего уровня. С каждым новым этапом формирования элементов...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 15464

Опубликовано: 28.02.2012

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/02

Метки: пластин, ориентации, полупроводниковых, кремния, изготовления, 001, способ

Текст:

...образованным элементом, также образует пирамиду с основанием, совпадающим с этим элементом. Совокупность всех вновь образованных элементов рисунка приводит к формированию новой совокупности пирамидальных дефектов по всей площади пластины. Образуется новый, второй уровень дефектов структуры (дислокации и дефекты упаковки) кремния с глубиной проникновения, определяемой размерами соответствующих им элементов, т.е. 1/3 от глубины проникновения...

Способ получения гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов

Загрузка...

Номер патента: 15120

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович

МПК: C01G 28/00, C30B 23/06, C30B 29/10...

Метки: получения, полупроводниковых, способ, материалов, гетероструктуры, основе

Текст:

...в однотемпературную печь сопротивления, температура в которой контролируется регулятором температуры (РИФ-101). Процесс взаимодействия компонентов проводят при температурах 1070-1080 в течение 120-150 часов. Затем печь выключают и извлекают слиток. Однофазность твердых растворов (1-)3(1-) подтверждена рентгенофазовым анализом (ДРОН-3). На фиг. 1 приведен результат рентгенофазового анализа твердого раствора состава(0,060,94)3(0,80,2)2. На...

Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15080

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, полупроводниковых, кремниевых, пластин, 111, покрытие, функциональное

Текст:

...формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении первичных элементов покрытия на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором...

Функциональное покрытие для полупроводниковых кремниевых пластин ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15079

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, кремниевых, покрытие, 111, пластин, функциональное, ориентации

Текст:

...совпадает с первичным элементом в пленке нитрида кремния. Основание второго тетраэдра лежит на высоте, равной половине высоты первого тетраэдра, находится в двойниковой ориентации по отношению к основа 5 15079 1 2011.12.30 нию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е....

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15075

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремния, 111, способ, ориентации, изготовления, пластин, полупроводниковых

Текст:

...с основанием, совпадающим с первичным элементом пленки нитрида кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы 5 15075 1 2011.12.30 меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элементов, площадь основания которых в 42 раза меньше...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15192

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, способ, пластин, полупроводниковых, кремния, изготовления, 111

Текст:

...первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров,основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в пленке нитрида кремния. Очевидно,что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит...

Способ формирования функционального покрытия на полупроводниковых кремниевых пластинах ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15191

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластинах, функционального, 111, способ, покрытия, формирования, полупроводниковых, ориентации, кремниевых

Текст:

...основанию первого тетраэдра, а его вершина обращена в сторону нерабочей поверхности пластины. Грани этого второго тетраэдра частично образованы гранями тетраэдров, основания которых совпадают с вновь образованными (т.е. образованными в результате вписывания нового элемента) элементами рисунка в покрытии. Очевидно, что образование второго тетраэдра и октаэдра происходит за счет явления самоформирования. Аналогично происходит формирование...

Способ изготовления полупроводниковых пластин кремния ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15074

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: способ, полупроводниковых, изготовления, пластин, ориентации, 111, кремния

Текст:

...что то же самое, при соблюдении заявляемой ориентации углов элементов) кремния. При первом разделении первичных элементов пленки нитрида кремния на элементы меньшего размера в объеме кремниевой пластины формируется новый уровень сетки дислокаций, представляющий собой также тетраэдры, но площадь их основания уже в 41 раза меньше. При втором разделении элементов образуется 42 элемента, площадь основания которых в 42 раза меньше по отношению к...