Патенты с меткой «полупроводниковой»

Способ определения времени существования зоны расплава на поверхности полупроводниковой кремниевой мишени

Загрузка...

Номер патента: 18209

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Костюкевич Евгений Алексеевич, Асташинский Валентин Миронович, Кузмицкий Антон Михайлович

МПК: G01J 5/00

Метки: способ, расплава, поверхности, мишени, зоны, полупроводниковой, времени, кремниевой, существования, определения

Текст:

...потоками. 18209 1 2014.06.30 Поставленная задача решается тем, что в способе определения времени существования зоны расплава на поверхности полупроводниковой кремниевой мишени, при котором воздействуют на полупроводниковую мишень высокоэнергетическим плазменным потоком из магнитоплазменного компрессора с образованием над поверхностью мишени интенсивно излучающего ударно-сжатого слоя плазмы, регистрируют долю прошедшего через мишень...

Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния

Загрузка...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Петлицкий Александр Николаевич, Сенько Сергей Федорович, Емельянов Виктор Андреевич, Гордиенко Анатолий Илларионович, Емельянов Антон Викторович

МПК: H01L 21/322

Метки: изготовления, способ, пластины, кремния, полупроводниковой

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: функциональное, полупроводниковой, ориентации, кремниевой, покрытие, пластины, 111

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: пластины, полупроводниковой, функциональное, кремниевой, покрытие, ориентации, 111

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: 111, изготовления, способ, кремниевой, полупроводниковой, пластины, ориентации

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, пластины, 001, изготовления, кремниевой, способ, полупроводниковой

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Способ контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 11/30, G01N 21/88, H01L 21/66...

Метки: структуры, пластины, частности, изделия, контроля, способ, поверхности, полупроводниковой, качества

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Устройство для контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Антон Викторович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: G01B 9/00, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: пластины, изделия, поверхности, качества, контроля, структуры, частности, устройство, полупроводниковой

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Способ создания окисной пленки на поверхности полупроводниковой либо металлической подложки

Загрузка...

Номер патента: 14296

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Пилипенко Владимир Александрович, Петлицкая Татьяна Владимировна, Витязь Петр Александрович, Ковалева Светлана Анатольевна, Жорник Виктор Иванович

МПК: B82B 3/00, C25D 11/02

Метки: подложки, поверхности, окисной, металлической, полупроводниковой, либо, способ, пленки, создания

Текст:

...например монокристаллического кремния, эпитаксиальные пленки кремния, а также поликристаллический кремний, алюминий и др. Сущность изобретения поясняется прилагаемыми фигурами. Фиг. 1 - блок-схема для реализации предлагаемого способа на основе атомно-силового микроскопа (АСМ). Фиг. 2 - АСМ 3 - изображение топографии поверхности монокристаллического кремния КДБ-12 (111) с локальной окисной пленкой, полученной после первого этапа сканирования...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Емельянов Виктор Андреевич

МПК: C09K 13/00, H01L 21/02

Метки: пластины, контроля, полупроводниковой, способ, очистки, качества, кремниевой, растворе, поверхности, ph больше 7, химической

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Способ определения дозы ионного легирования полупроводниковой структуры

Загрузка...

Номер патента: 10818

Опубликовано: 30.06.2008

Автор: Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: дозы, структуры, ионного, определения, легирования, способ, полупроводниковой

Текст:

...см-3 и 1,041019 см-3 3, 10, т.е. все функции 11, 12, 13 описывают реакцию невырожденногона ионное облучение. Резистивный 1 и переходный 4 слои могут быть получены любым традиционным способом - эпитаксия осаждение поликристаллического полупроводника с одновременным или последующим его легированием до уровня не ниже (2-3)10 см-3 ионная имплантация. В последнем случае структура -(-) не имеет резкой границы, которая тогда условно...

Способ измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре

Загрузка...

Номер патента: 8857

Опубликовано: 28.02.2007

Авторы: Пшенко Анатолий Николаевич, Киселев Владимир Иосифович

МПК: H01L 21/66

Метки: измерения, структуре, способ, полупроводниковой, имплантированной, ионов, дозы

Текст:

...и масс-спектрального рабочего диапазона.Поставленная задача достигается тем, что в способе измерения имплантированной дозы ионов в полупроводниковой структуре, включающем формирование на полупроводни шахковой подложке тестового элемента полевого типа, содержащего Контактные площадки истока И стока для зондовь 1 х измерений электрофизической характеристики тестового элемента в зависимости от приложенного К нему электрического...

Способ измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины

Загрузка...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Ухов Виктор Анатольевич, Пеньков Анатолий Петрович, Чигирь Григорий Григорьевич

МПК: H01L 21/66

Метки: пластины, способ, поверхности, измерения, кремниевой, полупроводниковой, нарушенного, слоя, глубины

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...