Патенты с меткой «пленок»

Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур

Загрузка...

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Каланда Николай Александрович, Завадский Сергей Михайлович, Гурский Леонид Ильич

МПК: C23C 14/08, C23C 14/28, H01G 7/06...

Метки: структур, конденсаторных, тонких, способ, получения, пленок

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Трусов Виктор Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Солодуха Виталий Александрович, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205, C23C 16/56...

Метки: легированных, кремния, способ, осаждения, фосфором, пленок

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ получения тонких пленок с импедансом индуктивного типа

Загрузка...

Номер патента: 17897

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Ларькин Андрей Викторович, Жуковский Павел Викторович, Максименко Алексей Алексеевич, Колтунович Томаш, Федотова Юлия Александровна, Федотов Александр Кириллович

МПК: C23C 14/06, B82Y 30/00, C23C 14/46...

Метки: способ, пленок, тонких, импедансом, индуктивного, получения, типа

Текст:

...чередующихся пластин металлаи диэлектрика 23, распыляют методом ионно-лучевого распыления в смешанной атмосфере кислорода и аргона при давлении кислорода 4,4110-2 Па и аргона 5,1910-2 Па, с последующим отжигом при температуре 5753 С в течение 15 мин. Сущность способа состоит в том, что он является одностадийным благодаря распылению композиционной мишени методом ионно-лучевого распыления в кислород-содержащей атмосфере. Соотношение площадей...

Способ получения тонких пленок SnS

Загрузка...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Гременок Валерий Феликсович, Башкиров Семен Александрович

МПК: C30B 29/46, H01L 31/18, C23C 14/24...

Метки: пленок, получения, тонких, способ

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Способ получения ультрачерных пленок на основе сплава никель-фосфор

Загрузка...

Номер патента: 17348

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Пуровская Ольга Геннадьевна, Перевозников Сергей Сергеевич, Позняк Сергей Кондратьевич, Гаевская Татьяна Васильевна, Цыбульская Людмила Сергеевна

МПК: C25D 3/56, C25D 5/48

Метки: сплава, ультрачерных, основе, никель-фосфор, пленок, способ, получения

Текст:

...другие,приведенные в литературе электролиты никелирования, не обеспечивают получение качественных покрытий никель-фосфор с требуемыми параметрами, которые при дальнейшей химической обработке в растворе минеральной кислоты или смеси минеральных кислот не дают равномерную ультрачерную пленку. Составы электролитов и технические характеристики покрытий из сплава никель-фосфор и ультрачерной пленки на основе Состав электролита Коэффициенты...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Чубенко Евгений Борисович, Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/10, C25D 9/08...

Метки: подложках, или, кремния, способ, монокристаллического, формирования, пленок, групп, aіvbvі, aііbvі, полупроводниковых, бинарных, соединений

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Способ формирования полимерных пленок с золотыми наночастицами, полученными методом лазерной эрозии

Загрузка...

Номер патента: 16875

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Козадаев Константин Владимирович, Гончаров Виктор Константинович, Щегрикович Дмитрий Васильевич

МПК: B82B 1/00, C08J 5/18, G02B 1/04...

Метки: лазерной, пленок, наночастицами, способ, золотыми, методом, формирования, полимерных, полученными, эрозии

Текст:

...содержатся мелкие (40-50 нм),жидкокапельные частицы 4, 5, сформированные за счет конденсационного механизма 5,6. Данные частицы в силу своей безынерционности увлекаются парами металла и движутся перпендикулярно поверхности металлической мишени. Если на пути данного пучка частиц поместить жидкую среду внедрения, содержащую полимерообразующее вещество, то возможно формирование суспензии наночастиц золота и полимерообразующего вещества....

Способ получения пленок феррит-шпинели

Загрузка...

Номер патента: 16206

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Стогний Александр Иванович, Пашкевич Михаил Викторович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: C23C 14/58, H01F 10/20, C23C 14/06...

Метки: получения, феррит-шпинели, пленок, способ

Текст:

...30-60 минут в среде кислорода. Сущность изобретения заключается в следующем полированные пластины кремния ориентации (100), диаметром 76 мм служили подложками и препарировались по стандартной методике. Составная мишень формировалась компактированнием керамических образцов (1-)24 заданного состава в виде полиэдров размерами (8055 мм). 2 16206 1 2012.08.30 Распыление мишени производилось в среде кислорода при температуре внутри камеры 905...

Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии

Загрузка...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Постнова Лариса Ивановна, Барсукова Екатерина Леонидовна, Левченко Владимир Иванович

МПК: G02B 1/10, C30B 23/06, C30B 29/48...

Метки: пленок, пористом, цинка, выращивания, кремнии, селенида, эпитаксиальных, способ

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Устройство для получения на твердой поверхности моно-или мультислойных пленок амфифильных соединений

Загрузка...

Номер патента: 15411

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Соломянский Александр Ефимович, Чижик Сергей Антонович, Агабеков Владимир Енокович, Суслов Андрей Анатольевич, Чикунов Владислав Валентинович, Жавнерко Геннадий Константинович

МПК: B05C 3/09

Метки: получения, твердой, мультислойных, моно-или, поверхности, соединений, устройство, амфифильных, пленок

Текст:

...не являющихся ПАВ, и неорганических наночастиц. Задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является создание устройства, позволяющего формировать моно- и мультислойные композиционные покрытия на поверхности подложек из амфифильных органических соединений,высокомолекулярных веществ и неорганических наночастиц как методом послойного осаждения из раствора, так и по технологии ЛБ. Устройство также должно позволять получать...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Комаров Фадей Фадеевич, Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/205, C23C 16/30

Метки: тонких, пленок, способ, осаждения

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама

Загрузка...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Каленик Вера Ивановна, Солодуха Виталий Александрович, Сидерко Александр Александрович

МПК: C23C 16/14, H01L 21/285

Метки: вольфрама, химического, способ, фазы, газовой, осаждения, пленок

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Способ выращивания монокристаллических пленок Y3Al5O12:Yb3+

Загрузка...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Колесова Ирина Михайловна, Гурецкий Сергей Арсеньевич, Кулешов Николай Васильевич, Мащенко Александр Георгиевич, Лугинец Александр Михайлович, Кравцов Андрей Валерьевич

МПК: C30B 29/28, C30B 19/02

Метки: монокристаллических, y3al5o12:yb3+, способ, пленок, выращивания

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Способ получения наноразмерных пленок BaxSr1-XTiO3

Загрузка...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович

МПК: H01L 27/00, C30B 29/32, C30B 23/06...

Метки: получения, baxsr1-xtio3, способ, пленок, наноразмерных

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Способ получения тонких пленок ферромолибдата стронция

Загрузка...

Номер патента: 14627

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович

МПК: H01F 10/10, C23C 14/46, C23C 14/08...

Метки: получения, стронция, ферромолибдата, тонких, пленок, способ

Текст:

...пленку 26- на подогреваемую монокристаллическую подложку 3 с ориентацией (001). Новым, по мнению авторов, является то, что для напыления пленок использовали двухлучевой ионный источник, формирующий два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй - для предварительной ионной очистки подложки и мишени, причем напыление пленок ферромолибдата стронция осуществляют в средеионами аргона с одновременной...

Способ получения тонких пленок сульфоселенида олова

Загрузка...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18, C30B 29/10

Метки: сульфоселенида, способ, олова, получения, тонких, пленок

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Способ получения магнитомягких пленок сплавов кобальт-фосфор

Загрузка...

Номер патента: 13741

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Шадров Владимир Григорьевич

МПК: H01F 10/12, C25D 3/56, C25D 5/48...

Метки: пленок, способ, сплавов, кобальт-фосфор, получения, магнитомягких

Текст:

...Области повышенной плотности вещества (ячейки) обогащены атомами переходных металлов, области пониженной плотности вещества (каналы) - атомами металлоида. Далее полученную аморфную пленку подвергали изотермическому отжигу в вакууме 110-3 Па, продолжительность и температура отжига соответственно составляют 1 час и 240 С. Результаты просвечивающей электронной микроскопии и ренгеноструктурного анализа свидетельствуют о наличии смеси аморфной фазы...

Способ получения биоразлагаемых полимерных пленок

Загрузка...

Номер патента: 13658

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Пинчук Леонид Семенович, Гольдаде Виктор Антонович, Ермолович Ольга Анатольевна, Короткий Максим Васильевич, Гончарова Екатерина Петровна

МПК: B29C 47/08

Метки: биоразлагаемых, способ, получения, пленок, полимерных

Текст:

...мкм. Пленки, изготовленные способом-прототипом, состояли из ПЭВД - 60 мас. , кукурузного крахмала (ГОСТ 7697-82) в смеси (31) с глицерином(ГОСТ 6259-75) - 15 мас. , ПЭ с привитой итаконовой кислотой марки ПФ-1 (ТУ РБ 03535.297.015-97) - 23 мас. , 24 - 2 мас.Композиции готовили механическим смешением компонентов, а затем с помощью экструзионного агрегата, оснащенного щелевой головкой и вальцами, перерабатывали в пленки толщиной 1505 мкм....

Электролит для получения нанокристаллических магнитных пленок

Загрузка...

Номер патента: 13031

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Шадров Владимир Григорьевич, Немцевич Людмила Васильевна, Дмитриева Алла Эдуардовна, Точицкий Тадеуш Антонович

МПК: C25D 3/56, H01F 1/12

Метки: электролит, получения, магнитных, пленок, нанокристаллических

Текст:

...раствора 24 или 3-процентного раствора . Затем полученный электролит фильтруют с использованием фильтров типа синяя лента и, добавляя дистиллированную воду, доводят объем электролита до 1 л. Процесс электролитического осаждения ведут при температуре электролита 20 С,плотности тока 15 мА/см 2. В качестве анода используется чистый никель в качестве подложек - полированную медную фольгу. За 20 мин осаждается пленка толщиной 3 мкм,...

Способ получения монокристаллических пленок висмутзамещенного железо-иттриевого феррита граната

Загрузка...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Телеш Евгений Владимирович, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович, Климза Алексей Антонович, Гесь Александр Петрович, Волчик Татьяна Владимировна

МПК: C30B 19/00, C30B 29/10

Метки: железо-иттриевого, монокристаллических, граната, пленок, висмутзамещенного, феррита, получения, способ

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович

МПК: H01L 21/02

Метки: состав, травления, пленок, поликристаллического, кремния

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Способ получения распыляемой мишени для осаждения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 10821

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гулай Анатолий Владимирович, Ильющенко Александр Федорович, Барай Сергей Георгиевич, Шевченок Александр Аркадьевич

МПК: B22F 3/08, H01L 21/00

Метки: способ, мишени, получения, пленок, осаждения, распыляемой, тонких

Текст:

...свежего порошка во вторичный позволяет довести параметры материала шихты практически до уровня параметров первичного материала, а также получить качество последующих технологических операций на том же уровне, что и при использовании только первичного порошка. После этого производят активирование шихты путем ее обработки в ультразвуковой ванне в дистиллированной воде или этиловом спирте с последующей сушкой в сушильном шкафу. Затем...

Раствор для безэлектролизного осаждения пленок золота на никелевые покрытия

Загрузка...

Номер патента: 10283

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Воробьева Татьяна Николаевна, Венгура Андрей Викторович, Врублевская Ольга Николаевна

МПК: C23C 18/31

Метки: пленок, осаждения, никелевые, золота, раствор, безэлектролизного, покрытия

Текст:

...известных растворов безэлектролизного золочения. По показателям качества пленки золота, получаемые из заявляемого раствора, превышают достигаемые по прототипу. Так, они имеют толщину 0,08-0,12 мкм,характеризуются равномерностью, хорошей адгезией к подложке, плотной упаковкой зерен и их малыми (десятки нанометров) размерами, способностью к пайке, ультразвуковой сварке (что свидетельствует о чистоте золота), хорошей защитной способностью...

Состав для изготовления диэлектрических толстых пленок с высокой теплопроводностью

Загрузка...

Номер патента: 9940

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Шишонок Елена Михайловна, Якубовска Малгожата, Зверковска Эльжбета, Аниченко Николай Георгиевич, Ахматович Селим

МПК: C04B 35/583, C04B 35/58

Метки: диэлектрических, изготовления, состав, теплопроводностью, пленок, толстых, высокой

Текст:

...стеклянной связки может быть использовано литий - висмут- боросиликатное стекло, содержащее 5, в количестве не более 15 от массы смеси стеклянной связки с микропорошком. Сущность изобретения заключается в том, что при использовании кубического нитрида бора в качестве функционального материала в смеси со стеклянной связкой для получения диэлектрических толстых пленок достигается их максимальная теплопроводность(250-300 /) за счет...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Емельянов Виктор Андреевич, Турыгин Анатолий Викторович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: алюминия, очистки, состав, химической, основе, пленок, поверхности

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Способ определения оптических параметров тонких пленок и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 8787

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Примак Игорь Ульянович, Хомченко Александр Васильевич, Романенко Алексей Андреевич, Лебединский Юрий Анатольевич, Костюченко Дмитрий Николаевич, Сотский Борис Александрович, Пехтерев Александр Владимирович, Глазунов Евгений Валерьевич

МПК: G01N 21/01, G01N 21/55, G01B 11/06...

Метки: пленок, осуществления, параметров, способ, устройство, тонких, определения, оптических

Текст:

...пр. Откуда находят показатель преломления п и коэффициент поглощения 1 пленки (п п 11), при этом бп / п 0,02, б 1/1 0,0113.Недостатком известного устройства является то, что измерения связаны с проведением дополнительных измерений на различных призмах. Нахождение угла уо при определенной величине зазора между призмой и пленкой (1 также вызывает затруднения, т.к. необходимо вести сканирование по углу у и в то же время измерять...

Устройство порционной подачи порошка в установке вакуумного напыления пленок по методу вспышки

Загрузка...

Номер патента: U 2901

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Ткаченко Тамара Михайловна, Галяс Анатолий Иванович

МПК: B65B 1/00

Метки: порошка, пленок, методу, вакуумного, устройство, установке, вспышки, порционной, напыления, подачи

Текст:

...использования емкости с порошком, закрепленной на одном стержне с вибратором и потому находящейся в непрерывном колебательном движении, в устройстве предложено использовать неподвижно закрепленную емкость с порошком и отдельный механизм ее встряхивания, содержащий электромагнитное реле и толкатель, прикрепленный к якорю реле. В момент срабатывания якорь реле опускается на катушки, рывком движет за собой толкатель, толкатель ударяет по...

Способ получения пленок твердых растворов Zn2-2xCuxInxIV2

Загрузка...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, пленок, получения, твердых, zn2-2xcuxinxiv2, растворов

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 2326

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Морозов Владимир Петрович, Шершнев Алексей Евгеньевич, Шалупаев Сергей Викентьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, получения, установка, алмазоподобных

Текст:

...Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что в установке для нанесения алмазоподобных пленок, содержащей лазер, формирующий объектив, ва 2 23262005.12.30 куумную камеру и расположенные внутри нее ионно-лучевой источник, держатель мишени и держатель подложки, на которую осаждается испаряемый материал мишени, ионнолучевой источник и держатель мишени последовательно установлены на оптической оси установки по...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 1980

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шалупаев Сергей Викентьевич, Морозов Владимир Петрович, Шершнев Алексей Евгеньевич, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: алмазоподобных, получения, установка, пленок

Текст:

...временное распределение интенсивности в пичках импульсов, что способствует повышению однородности состава плазмы эрозионного факела и приводит к значительному уменьшению попадания крупных осколков материала мишени на подложку. Выполнение формирующего объектива в виде оптической системы для формирования лазерного пучка в пучок кольцевого сечения приводит к существенному увеличению как телесного угла разлета продуктов испарения, так и вь 1...

Способ формирования диэлектрических пленок

Загрузка...

Номер патента: 6426

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Сокол Виталий Александрович, Пинаева Маргарита Михайловна

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрических, пленок, способ, формирования

Текст:

...или соли РЗМ и кислота (органическая или неорганическая), при взаимодействии которых образуется комплексонат РЗМ, диссоциирующий в растворе с образованием комплексного аниона, содержащего РЗМ. В зависимости от анодируемого материала и требований, предъявляемых к АОП, связанных с областью их применения, электролит содержит различные РЗМ при различных концентрациях, азотосодержащее соединение основного характера, выбранное из ряда аммиак,ГМТА,...

Катодный узел для ионно-плазменного нанесения пленок

Загрузка...

Номер патента: 6143

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Пиун Виктор Михайлович, Каморников Игорь Михайлович, Малащенко Алексей Терентьевич

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35

Метки: узел, катодный, ионно-плазменного, нанесения, пленок

Текст:

...кольцеобразной пластины. В соответствии с изобретением улучшается не только охлаждение катода-мишени, но и постоянного магнита. Создание камеры охлаждения, согласно предложенному, и выполнение катода-мишени и держателя в виде пластин обеспечивает интенсивное охлаждение катода-мишени, за счет эффективного теплоотвода от катода-мишени через пластинудержатель, с одной стороны, и эффективное охлаждение магнитных наконечников и магнитопровода...

Устройство для нанесения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 6131

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Авраменко Владимир Борисович, Минько Леонид Яковлевич, Кузмицкий Антон Михайлович

МПК: H05H 1/00

Метки: тонких, нанесения, устройство, пленок

Текст:

...камерах. Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлен общий вид предлагаемого устройства (фиг. 1). Устройство содержит полый цилиндрический корпус 1, электродные камеры 2, разрядную камеру 3, два электрода 4, расположенные с противоположных сторон цилиндри 2 6131 1 ческого корпуса 1, канал для прохождения разряда 5 и отверстие в боковой поверхности для прохождения плазмы 6, регулятор объема электродных камер 7. Устройство...

Способ получения халькопиритных CuInSe2, Сu (In, Ga) Se2 или CuGaSe2 тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ковалевский Вячеслав Иосифович, Курдесов Федор Васильевич, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: cuinse2, или, cugase2, пленок, тонких, способ, получения, халькопиритных

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...

Способ получения алмазоподобных углеродных пленок

Загрузка...

Номер патента: 6030

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Никитюк Юрий Валерьевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Зайцев Валентин Алексеевич, Федосенко Николай Николаевич, Шершнев Евгений Борисович, Шолох Владимир Федорович, Старовойтов Александр Семенович

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, углеродных, получения, алмазоподобных, способ

Текст:

...перенасыщения, необходимые для эффективного формирования пленки. Структура и время существования термолизованной области, а также энергетическое распределение испаренных частиц мишени, из которых состоит эрозионный факел, напрямую зависят от параметров лазерного излучения профиля импульса, плотности мощности энергии в импульсе, длительности импульса. При воздействии на мишень импульсом лазерного излучения состав эрозионного факела...

Способ создания конфигурации тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 5926

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Петров Николай Петрович, Болдышева Ирина Петровна, Лыньков Леонид Михайлович

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: создания, способ, тонких, конфигурации, пленок, сверхпроводников, высокотемпературных

Текст:

...(380-390 кг силы/см 2) водорода в течение 0,5 ч при (300-350 С), а также то, что в качестве тугоплавкого металла используетсяс примесью(0,8-0,85 вес.). Сущность данного изобретения заключается в том, что термообработка в паро-водородной среде приводит к образованию гидридов тугоплавкого металла, изменению структуры пленки и нарушению целостности слоя. Это способствует более полному удалению окисленного слоя тугоплавкого металла и дает...

Способ получения распыляемых мишеней для осаждения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 4682

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Полынкова Елена Владимировна, Гулай Анатолий Владимирович, Колешко Владимир Михайлович, Шевченок Александр Аркадьевич

МПК: H01J 37/32, H01J 37/34, C23C 14/34...

Метки: пленок, получения, способ, тонких, осаждения, распыляемых, мишеней

Текст:

...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 323

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Морозов Владимир Петрович, Зайцев Валентин Алексеевич, Шершнев Евгений Борисович, Старовойтов Александр Семенович, Федосенко Николай Николаевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Никитюк Юрий Валерьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: получения, алмазоподобных, пленок, установка

Текст:

...эффекта являются повышение качества получаемых покрытий и надежности работы установки, рост ее производительности за счет сокращения времени простоя и наладки. Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что установка для нанесения алмазоподобных пленок, содержащая рабочий лазер, формирующий объектив, вакуумную камеру и расположенные внутри нее держатели с мишенью и подложкой, на которую осаждается испаряемый материал...

Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Наливайко Олег Юрьевич, Буслов Игорь Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич

МПК: H01L 21/316

Метки: осаждения, стекла, пленок, фосфоросиликатного, способ

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Способ получения магнитных пленок в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 2509

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Фигурин Кирилл Борисович, Вершина Алексей Константинович, Фигурин Борис Леонидович, Береснев Александр Николаевич

МПК: C23C 14/36

Метки: магнитных, получения, пленок, способ, вакууме

Текст:

...субструктуры кристаллов вызывает появление магнитного момента (разворота) 2509 1 кристаллов в направлении легкого намагничивания. Оптимизация ориентирующего магнитного воздействия по отношению к процессу кристаллизации нейтрализует негативное влияние внутреннего трения и обеспечивает технический результат. Напыленный материал конденсируется на подложку в аморфном (некристаллическом) состоянии на требуемую толщину. По окончании процесса...