Патенты с меткой «пленок»

Способ получения тонких пленок для конденсаторных структур

Загрузка...

Номер патента: 18396

Опубликовано: 30.08.2014

Авторы: Голосов Дмитрий Анатольевич, Завадский Сергей Михайлович, Каланда Николай Александрович, Гурский Леонид Ильич

МПК: C23C 14/08, C23C 14/28, H01G 7/06...

Метки: получения, тонких, конденсаторных, структур, пленок, способ

Текст:

...контроля над процессом получения однородных и однофазных пленок 0,540,463 для улучшения их сегнетоэлектрических и структурных ха 2 18396 1 2014.08.30 рактеристик, оптимизация режимов напыления тонких пленок цирконата титаната свинца с целью получения их воспроизводимых физико-химических свойств. Поставленная задача решается за счет того, что при получении тонкой пленки цирконата титаната свинца первоначально изготавливают мишень, а затем...

Способ осаждения легированных фосфором пленок кремния

Загрузка...

Номер патента: 18138

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич, Солодуха Виталий Александрович, Пшеничный Евгений Николаевич, Трусов Виктор Леонидович

МПК: C23C 16/56, H01L 21/205, C23C 16/30...

Метки: пленок, кремния, осаждения, фосфором, способ, легированных

Текст:

...сопротивления. И, наконец, формирование аморфного подслоя кремния способствует снижению общей шероховатости осаждаемой пленки. При температуре осаждения ниже 540 С существенно снижается скорость осаждения,что снижает производительность процесса. При температуре выше 560 С осаждается аморфно-кристаллический подслой кремния, что приводит к повышению шероховатости поверхности осажденных пленок, а также к сегрегации фосфора на границах...

Способ получения тонких пленок с импедансом индуктивного типа

Загрузка...

Номер патента: 17897

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Федотова Юлия Александровна, Колтунович Томаш, Федотов Александр Кириллович, Жуковский Павел Викторович, Ларькин Андрей Викторович, Максименко Алексей Алексеевич

МПК: C23C 14/46, B82Y 30/00, C23C 14/06...

Метки: пленок, тонких, способ, импедансом, индуктивного, типа, получения

Текст:

...чередующихся пластин металлаи диэлектрика 23, распыляют методом ионно-лучевого распыления в смешанной атмосфере кислорода и аргона при давлении кислорода 4,4110-2 Па и аргона 5,1910-2 Па, с последующим отжигом при температуре 5753 С в течение 15 мин. Сущность способа состоит в том, что он является одностадийным благодаря распылению композиционной мишени методом ионно-лучевого распыления в кислород-содержащей атмосфере. Соотношение площадей...

Способ получения тонких пленок SnS

Загрузка...

Номер патента: 17820

Опубликовано: 30.12.2013

Авторы: Башкиров Семен Александрович, Гременок Валерий Феликсович

МПК: H01L 31/18, C30B 29/46, C23C 14/24...

Метки: тонких, способ, получения, пленок

Текст:

...Сущность изобретения заключается в использовании для переноса паров испаряемого материала к подложке кварцевой трубки с температурой 60010 С. Способ получения пленкивключает следующие стадии получение порошкапутем сплавления олова и серы очистка стеклянной подложки напыление пленки . На первом этапе проводят получение поликристаллического порошкапутем сплавления олова и серы, взятых в стехиометрическом соотношении с точностью до 510-4 г....

Способ получения ультрачерных пленок на основе сплава никель-фосфор

Загрузка...

Номер патента: 17348

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Позняк Сергей Кондратьевич, Пуровская Ольга Геннадьевна, Цыбульская Людмила Сергеевна, Перевозников Сергей Сергеевич, Гаевская Татьяна Васильевна

МПК: C25D 5/48, C25D 3/56

Метки: ультрачерных, никель-фосфор, получения, способ, пленок, основе, сплава

Текст:

...другие,приведенные в литературе электролиты никелирования, не обеспечивают получение качественных покрытий никель-фосфор с требуемыми параметрами, которые при дальнейшей химической обработке в растворе минеральной кислоты или смеси минеральных кислот не дают равномерную ультрачерную пленку. Составы электролитов и технические характеристики покрытий из сплава никель-фосфор и ультрачерной пленки на основе Состав электролита Коэффициенты...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: C25D 9/08, C30B 29/10, H01L 21/02...

Метки: способ, бинарных, или, соединений, aіvbvі, монокристаллического, подложках, групп, aііbvі, полупроводниковых, кремния, пленок, формирования

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Способ формирования полимерных пленок с золотыми наночастицами, полученными методом лазерной эрозии

Загрузка...

Номер патента: 16875

Опубликовано: 28.02.2013

Авторы: Козадаев Константин Владимирович, Щегрикович Дмитрий Васильевич, Гончаров Виктор Константинович

МПК: C08J 5/18, B82B 1/00, G02B 1/04...

Метки: лазерной, золотыми, способ, полимерных, эрозии, полученными, методом, наночастицами, формирования, пленок

Текст:

...содержатся мелкие (40-50 нм),жидкокапельные частицы 4, 5, сформированные за счет конденсационного механизма 5,6. Данные частицы в силу своей безынерционности увлекаются парами металла и движутся перпендикулярно поверхности металлической мишени. Если на пути данного пучка частиц поместить жидкую среду внедрения, содержащую полимерообразующее вещество, то возможно формирование суспензии наночастиц золота и полимерообразующего вещества....

Способ получения пленок феррит-шпинели

Загрузка...

Номер патента: 16206

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович, Труханов Алексей Валентинович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01F 10/20, C23C 14/58, C23C 14/06...

Метки: феррит-шпинели, получения, способ, пленок

Текст:

...30-60 минут в среде кислорода. Сущность изобретения заключается в следующем полированные пластины кремния ориентации (100), диаметром 76 мм служили подложками и препарировались по стандартной методике. Составная мишень формировалась компактированнием керамических образцов (1-)24 заданного состава в виде полиэдров размерами (8055 мм). 2 16206 1 2012.08.30 Распыление мишени производилось в среде кислорода при температуре внутри камеры 905...

Способ выращивания эпитаксиальных пленок селенида цинка на пористом кремнии

Загрузка...

Номер патента: 15905

Опубликовано: 30.06.2012

Авторы: Барсукова Екатерина Леонидовна, Постнова Лариса Ивановна, Левченко Владимир Иванович

МПК: C30B 29/48, C30B 23/06, G02B 1/10...

Метки: пористом, селенида, эпитаксиальных, способ, пленок, цинка, выращивания, кремнии

Текст:

...течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Новым в предложенном способе является то, что перед напылением пленок селенида цинка кремниевые подложки со слоем пористого кремния подвергают отжигу в вакууме в течение 1-2 часов при температуре 350-400 С. Сущность предложенного изобретения заключается в том, что предварительный отжиг в вакууме позволяет очистить поры в кремнии от адсорбированных газов и продуктов, образовавшихся в процессе...

Устройство для получения на твердой поверхности моно-или мультислойных пленок амфифильных соединений

Загрузка...

Номер патента: 15411

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Чижик Сергей Антонович, Жавнерко Геннадий Константинович, Чикунов Владислав Валентинович, Соломянский Александр Ефимович, Агабеков Владимир Енокович, Суслов Андрей Анатольевич

МПК: B05C 3/09

Метки: пленок, соединений, моно-или, устройство, поверхности, получения, твердой, мультислойных, амфифильных

Текст:

...не являющихся ПАВ, и неорганических наночастиц. Задачей, на решение которой направлено предлагаемое изобретение, является создание устройства, позволяющего формировать моно- и мультислойные композиционные покрытия на поверхности подложек из амфифильных органических соединений,высокомолекулярных веществ и неорганических наночастиц как методом послойного осаждения из раствора, так и по технологии ЛБ. Устройство также должно позволять получать...

Способ осаждения тонких пленок SiGe

Загрузка...

Номер патента: 15299

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Солодуха Виталий Александрович, Лепешкевич Геннадий Вольдемарович, Комаров Фадей Фадеевич, Пшеничный Евгений Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: C23C 16/30, H01L 21/205

Метки: способ, пленок, осаждения, тонких

Текст:

...осаждения, с другой стороны, с уменьшением температуры возрастает содержаниев пленкахпри одинаковых концентрациях моногермана в газовой фазе. При температурах ниже 560 скорость осаждения пленок нелегированного кремния при пониженном давлении становится менее 2,0 нм/мин, что позволяет увеличить длительность осаждения пленок толщиной 25 нм до 12 минут, что способствует повышению управляемости и воспроизводимости процесса осаждения по толщине и...

Способ химического осаждения из газовой фазы пленок вольфрама

Загрузка...

Номер патента: 15149

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Сидерко Александр Александрович, Наливайко Олег Юрьевич, Турцевич Аркадий Степанович, Каленик Вера Ивановна, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/285, C23C 16/14

Метки: вольфрама, осаждения, фазы, газовой, пленок, химического, способ

Текст:

...от 360 до 475 С и давлении от 4 до 60 мм рт.ст., с подачей или без подачи азота, прекращение подачи моносилана и гексафторида вольфрама, создание в реакторе давления для осаждения основного слоя и осаждение основного слоя вольфрама восстановлением гексафторида вольфрама водородом при температуре от 360 до 475 С и давлении от 70 до 90 мм рт.ст. перед осаждением зародышевого слоя проводят выдержку пластины в среде моносилана с потоком от...

Способ выращивания монокристаллических пленок Y3Al5O12:Yb3+

Загрузка...

Номер патента: 15126

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Гурецкий Сергей Арсеньевич, Лугинец Александр Михайлович, Кулешов Николай Васильевич, Кравцов Андрей Валерьевич, Колесова Ирина Михайловна, Мащенко Александр Георгиевич

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, y3al5o12:yb3+, монокристаллических, способ

Текст:

...концентрации кристаллообразующих окислов для надежного контроля толщины МП невозможно из-за резкого повышения вязкости раствора-расплава при более низких температурах 3. Задачей данного способа является снижение энергетических затрат и обеспечение возможности получения тонких пленок 10 - 100 мкм. Поставленная задача решается тем, что в способе выращивания монокристаллической пленки 35123, при котором готовят раствор-расплав,...

Способ получения наноразмерных пленок BaxSr1-XTiO3

Загрузка...

Номер патента: 14780

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Новицкий Николай Николаевич, Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович

МПК: C30B 23/06, H01L 27/00, C30B 29/32...

Метки: способ, baxsr1-xtio3, получения, пленок, наноразмерных

Текст:

...пленки титаната бария-стронция, который заключается в том, что с помощью ионно-лучевого распыления в среде смеси газов аргона и кислорода напыляли буферный слой диоксида титана (2) на подложку из ситала. В дальнейшем на слой Т 2 методом ионно-лучевого распыления при температуре 620640 С наносили наноразмерную пленку 1-3. Недостатком данного способа является большая толщина гетероструктуры пленка 1-3 - буферный слой за счет большей (20 нм)...

Способ получения тонких пленок ферромолибдата стронция

Загрузка...

Номер патента: 14627

Опубликовано: 30.08.2011

Авторы: Гурский Леонид Ильич, Телеш Евгений Владимирович, Каланда Николай Александрович

МПК: C23C 14/08, H01F 10/10, C23C 14/46...

Метки: пленок, стронция, способ, ферромолибдата, тонких, получения

Текст:

...пленку 26- на подогреваемую монокристаллическую подложку 3 с ориентацией (001). Новым, по мнению авторов, является то, что для напыления пленок использовали двухлучевой ионный источник, формирующий два независимых ионных пучка, один из которых служит для распыления материала мишени, а второй - для предварительной ионной очистки подложки и мишени, причем напыление пленок ферромолибдата стронция осуществляют в средеионами аргона с одновременной...

Способ получения тонких пленок сульфоселенида олова

Загрузка...

Номер патента: 14255

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Гременок Валерий Феликсович, Зарецкая Елена Петровна

МПК: H01L 31/18, C30B 29/10

Метки: получения, олова, пленок, сульфоселенида, тонких, способ

Текст:

...контактом) различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) базового слоя оловаотжиг полученной структуры в парах серы и селена (селенизация/сульфиризация) при атмосферном давлении в потоке азота 2 в реакторной системе. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогеновив базовый слой олова с образованием многофазной смеси из...

Способ получения магнитомягких пленок сплавов кобальт-фосфор

Загрузка...

Номер патента: 13741

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Шадров Владимир Григорьевич

МПК: H01F 10/12, C25D 3/56, C25D 5/48...

Метки: способ, магнитомягких, получения, пленок, сплавов, кобальт-фосфор

Текст:

...Области повышенной плотности вещества (ячейки) обогащены атомами переходных металлов, области пониженной плотности вещества (каналы) - атомами металлоида. Далее полученную аморфную пленку подвергали изотермическому отжигу в вакууме 110-3 Па, продолжительность и температура отжига соответственно составляют 1 час и 240 С. Результаты просвечивающей электронной микроскопии и ренгеноструктурного анализа свидетельствуют о наличии смеси аморфной фазы...

Способ получения биоразлагаемых полимерных пленок

Загрузка...

Номер патента: 13658

Опубликовано: 30.10.2010

Авторы: Гольдаде Виктор Антонович, Пинчук Леонид Семенович, Короткий Максим Васильевич, Ермолович Ольга Анатольевна, Гончарова Екатерина Петровна

МПК: B29C 47/08

Метки: биоразлагаемых, способ, получения, пленок, полимерных

Текст:

...мкм. Пленки, изготовленные способом-прототипом, состояли из ПЭВД - 60 мас. , кукурузного крахмала (ГОСТ 7697-82) в смеси (31) с глицерином(ГОСТ 6259-75) - 15 мас. , ПЭ с привитой итаконовой кислотой марки ПФ-1 (ТУ РБ 03535.297.015-97) - 23 мас. , 24 - 2 мас.Композиции готовили механическим смешением компонентов, а затем с помощью экструзионного агрегата, оснащенного щелевой головкой и вальцами, перерабатывали в пленки толщиной 1505 мкм....

Электролит для получения нанокристаллических магнитных пленок

Загрузка...

Номер патента: 13031

Опубликовано: 30.04.2010

Авторы: Немцевич Людмила Васильевна, Точицкий Тадеуш Антонович, Дмитриева Алла Эдуардовна, Шадров Владимир Григорьевич

МПК: C25D 3/56, H01F 1/12

Метки: пленок, электролит, нанокристаллических, магнитных, получения

Текст:

...раствора 24 или 3-процентного раствора . Затем полученный электролит фильтруют с использованием фильтров типа синяя лента и, добавляя дистиллированную воду, доводят объем электролита до 1 л. Процесс электролитического осаждения ведут при температуре электролита 20 С,плотности тока 15 мА/см 2. В качестве анода используется чистый никель в качестве подложек - полированную медную фольгу. За 20 мин осаждается пленка толщиной 3 мкм,...

Способ получения монокристаллических пленок висмутзамещенного железо-иттриевого феррита граната

Загрузка...

Номер патента: 12462

Опубликовано: 30.10.2009

Авторы: Гесь Александр Петрович, Климза Алексей Антонович, Телеш Евгений Владимирович, Волчик Татьяна Владимировна, Гурский Леонид Ильич, Каланда Николай Александрович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/10

Метки: пленок, железо-иттриевого, висмутзамещенного, феррита, монокристаллических, способ, граната, получения

Текст:

...неустойчивости раствора-расплава присутствие свинца в растворе расплаве приводит к снижению прозрачности монокристаллических пленок феррита граната в видимом диапазоне, а высокая химическая агрессивность свинецсодержащего раствора-расплава к технологической оснастке является причиной необходимости использования платиновых тиглей и соответственно потери дорогостоящего металла при их коррозии. Задачей настоящего изобретения является...

Состав для травления пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 11821

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Иванчиков Александр Эдуардович, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна, Плебанович Владимир Иванович

МПК: H01L 21/02

Метки: пленок, травления, кремния, поликристаллического, состав

Текст:

...Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем аммиака водного (25 ).2.3. Закачать с помошью насоса в бак установки приготовления растворов расчетный объем воды.2.4. Взвесить расчетную массу хлорида аммония и высыпать в бак установки приготовления растворов.Оптимальные пределы концентраций основных компонентов заявляемого состава подтверждены примерами.Для приготовления заявляемого состава были...

Способ получения распыляемой мишени для осаждения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 10821

Опубликовано: 30.06.2008

Авторы: Гулай Анатолий Владимирович, Ильющенко Александр Федорович, Шевченок Александр Аркадьевич, Барай Сергей Георгиевич

МПК: B22F 3/08, H01L 21/00

Метки: пленок, получения, мишени, распыляемой, тонких, способ, осаждения

Текст:

...свежего порошка во вторичный позволяет довести параметры материала шихты практически до уровня параметров первичного материала, а также получить качество последующих технологических операций на том же уровне, что и при использовании только первичного порошка. После этого производят активирование шихты путем ее обработки в ультразвуковой ванне в дистиллированной воде или этиловом спирте с последующей сушкой в сушильном шкафу. Затем...

Раствор для безэлектролизного осаждения пленок золота на никелевые покрытия

Загрузка...

Номер патента: 10283

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Венгура Андрей Викторович, Воробьева Татьяна Николаевна, Врублевская Ольга Николаевна

МПК: C23C 18/31

Метки: золота, пленок, осаждения, никелевые, раствор, безэлектролизного, покрытия

Текст:

...известных растворов безэлектролизного золочения. По показателям качества пленки золота, получаемые из заявляемого раствора, превышают достигаемые по прототипу. Так, они имеют толщину 0,08-0,12 мкм,характеризуются равномерностью, хорошей адгезией к подложке, плотной упаковкой зерен и их малыми (десятки нанометров) размерами, способностью к пайке, ультразвуковой сварке (что свидетельствует о чистоте золота), хорошей защитной способностью...

Состав для изготовления диэлектрических толстых пленок с высокой теплопроводностью

Загрузка...

Номер патента: 9940

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Ахматович Селим, Аниченко Николай Георгиевич, Шишонок Елена Михайловна, Зверковска Эльжбета, Якубовска Малгожата

МПК: C04B 35/58, C04B 35/583

Метки: изготовления, высокой, теплопроводностью, диэлектрических, пленок, толстых, состав

Текст:

...стеклянной связки может быть использовано литий - висмут- боросиликатное стекло, содержащее 5, в количестве не более 15 от массы смеси стеклянной связки с микропорошком. Сущность изобретения заключается в том, что при использовании кубического нитрида бора в качестве функционального материала в смеси со стеклянной связкой для получения диэлектрических толстых пленок достигается их максимальная теплопроводность(250-300 /) за счет...

Состав для химической очистки поверхности пленок на основе алюминия

Загрузка...

Номер патента: 9415

Опубликовано: 30.06.2007

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Медведева Анна Борисовна, Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Турыгин Анатолий Викторович, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/70, C11D 7/60

Метки: основе, пленок, поверхности, алюминия, химической, очистки, состав

Текст:

...алюминия равномерный слой оксида алюминия, что способствует протеканию анодного процесса коррозии. 3. Вызывает коррозию алюминия за счет взаимного усиления катодного и анодного процессов коррозии. В основу изобретения положена задача повышения качества очистки поверхности путем исключения процесса коррозии алюминия при проведении химической очистки поверхности пленок на основе алюминия. Сущность изобретения заключается в том, что состав...

Способ определения оптических параметров тонких пленок и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 8787

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Пехтерев Александр Владимирович, Романенко Алексей Андреевич, Примак Игорь Ульянович, Сотский Борис Александрович, Хомченко Александр Васильевич, Глазунов Евгений Валерьевич, Лебединский Юрий Анатольевич, Костюченко Дмитрий Николаевич

МПК: G01N 21/01, G01B 11/06, G01N 21/55...

Метки: тонких, осуществления, определения, оптических, устройство, параметров, пленок, способ

Текст:

...пр. Откуда находят показатель преломления п и коэффициент поглощения 1 пленки (п п 11), при этом бп / п 0,02, б 1/1 0,0113.Недостатком известного устройства является то, что измерения связаны с проведением дополнительных измерений на различных призмах. Нахождение угла уо при определенной величине зазора между призмой и пленкой (1 также вызывает затруднения, т.к. необходимо вести сканирование по углу у и в то же время измерять...

Устройство порционной подачи порошка в установке вакуумного напыления пленок по методу вспышки

Загрузка...

Номер патента: U 2901

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Галяс Анатолий Иванович, Ткаченко Тамара Михайловна

МПК: B65B 1/00

Метки: вспышки, установке, порошка, пленок, подачи, напыления, методу, вакуумного, устройство, порционной

Текст:

...использования емкости с порошком, закрепленной на одном стержне с вибратором и потому находящейся в непрерывном колебательном движении, в устройстве предложено использовать неподвижно закрепленную емкость с порошком и отдельный механизм ее встряхивания, содержащий электромагнитное реле и толкатель, прикрепленный к якорю реле. В момент срабатывания якорь реле опускается на катушки, рывком движет за собой толкатель, толкатель ударяет по...

Способ получения пленок твердых растворов Zn2-2xCuxInxIV2

Загрузка...

Номер патента: 7739

Опубликовано: 28.02.2006

Авторы: Зарецкая Елена Петровна, Гременок Валерий Феликсович, Залесский Валерий Борисович

МПК: H01L 31/18

Метки: растворов, твердых, получения, пленок, zn2-2xcuxinxiv2, способ

Текст:

...синтеза и рекристаллизации слоя. Экспериментально показано,что превышение концентрации индия над стехиометрической на 5-10 ат.необходимо для компенсации потерь индия в процессе синтеза, вызванного образованием легколетучего бинарного халькогенида индия при Т 150 С 3. Выбор температурного интервала обусловлен следующими факторами при температуре ниже 150 С происходит термическая диффузия халькогена в базовый слой с образованием многофазной...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 2326

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Шершнев Алексей Евгеньевич, Морозов Владимир Петрович, Шалупаев Сергей Викентьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: пленок, получения, установка, алмазоподобных

Текст:

...Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что в установке для нанесения алмазоподобных пленок, содержащей лазер, формирующий объектив, ва 2 23262005.12.30 куумную камеру и расположенные внутри нее ионно-лучевой источник, держатель мишени и держатель подложки, на которую осаждается испаряемый материал мишени, ионнолучевой источник и держатель мишени последовательно установлены на оптической оси установки по...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 1980

Опубликовано: 30.06.2005

Авторы: Шалупаев Сергей Викентьевич, Шершнев Алексей Евгеньевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Морозов Владимир Петрович

МПК: C23C 14/28

Метки: установка, пленок, алмазоподобных, получения

Текст:

...временное распределение интенсивности в пичках импульсов, что способствует повышению однородности состава плазмы эрозионного факела и приводит к значительному уменьшению попадания крупных осколков материала мишени на подложку. Выполнение формирующего объектива в виде оптической системы для формирования лазерного пучка в пучок кольцевого сечения приводит к существенному увеличению как телесного угла разлета продуктов испарения, так и вь 1...

Способ формирования диэлектрических пленок

Загрузка...

Номер патента: 6426

Опубликовано: 30.09.2004

Авторы: Пинаева Маргарита Михайловна, Сокол Виталий Александрович

МПК: H01L 21/316

Метки: способ, формирования, диэлектрических, пленок

Текст:

...или соли РЗМ и кислота (органическая или неорганическая), при взаимодействии которых образуется комплексонат РЗМ, диссоциирующий в растворе с образованием комплексного аниона, содержащего РЗМ. В зависимости от анодируемого материала и требований, предъявляемых к АОП, связанных с областью их применения, электролит содержит различные РЗМ при различных концентрациях, азотосодержащее соединение основного характера, выбранное из ряда аммиак,ГМТА,...

Катодный узел для ионно-плазменного нанесения пленок

Загрузка...

Номер патента: 6143

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Малащенко Алексей Терентьевич, Пиун Виктор Михайлович, Каморников Игорь Михайлович

МПК: C23C 14/34, C23C 14/35

Метки: пленок, ионно-плазменного, катодный, узел, нанесения

Текст:

...кольцеобразной пластины. В соответствии с изобретением улучшается не только охлаждение катода-мишени, но и постоянного магнита. Создание камеры охлаждения, согласно предложенному, и выполнение катода-мишени и держателя в виде пластин обеспечивает интенсивное охлаждение катода-мишени, за счет эффективного теплоотвода от катода-мишени через пластинудержатель, с одной стороны, и эффективное охлаждение магнитных наконечников и магнитопровода...

Устройство для нанесения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 6131

Опубликовано: 30.06.2004

Авторы: Авраменко Владимир Борисович, Минько Леонид Яковлевич, Кузмицкий Антон Михайлович

МПК: H05H 1/00

Метки: нанесения, пленок, тонких, устройство

Текст:

...камерах. Сущность изобретения поясняется чертежом, где представлен общий вид предлагаемого устройства (фиг. 1). Устройство содержит полый цилиндрический корпус 1, электродные камеры 2, разрядную камеру 3, два электрода 4, расположенные с противоположных сторон цилиндри 2 6131 1 ческого корпуса 1, канал для прохождения разряда 5 и отверстие в боковой поверхности для прохождения плазмы 6, регулятор объема электродных камер 7. Устройство...

Способ получения халькопиритных CuInSe2, Сu (In, Ga) Se2 или CuGaSe2 тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 5894

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Залесский Валерий Борисович, Ковалевский Вячеслав Иосифович, Гременок Валерий Феликсович, Курдесов Федор Васильевич

МПК: H01L 31/18

Метки: способ, пленок, cugase2, халькопиритных, cuinse2, тонких, получения, или

Текст:

...процессе,на первой стадии которого на исходную подложку различными методами вакуумного напыления (термическим, ионно-плазменным и т.п.) наносятся -, или - металлические пленки с требуемым для синтезируемого соединения атомным соотношением, на второй стадии осуществляется отжиг металлических пленок в парах селена (селенизация),отличающийся тем, что селенизация металлических пленок осуществляется при атмосферном давлении в квазизамкнутой...

Способ получения алмазоподобных углеродных пленок

Загрузка...

Номер патента: 6030

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Федосенко Николай Николаевич, Шалупаев Сергей Викентьевич, Шолох Владимир Федорович, Шершнев Евгений Борисович, Зайцев Валентин Алексеевич, Никитюк Юрий Валерьевич, Старовойтов Александр Семенович

МПК: C23C 14/28

Метки: углеродных, пленок, получения, алмазоподобных, способ

Текст:

...перенасыщения, необходимые для эффективного формирования пленки. Структура и время существования термолизованной области, а также энергетическое распределение испаренных частиц мишени, из которых состоит эрозионный факел, напрямую зависят от параметров лазерного излучения профиля импульса, плотности мощности энергии в импульсе, длительности импульса. При воздействии на мишень импульсом лазерного излучения состав эрозионного факела...

Способ создания конфигурации тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников

Загрузка...

Номер патента: 5926

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Лыньков Леонид Михайлович, Петров Николай Петрович, Болдышева Ирина Петровна

МПК: H01L 39/24, H01L 39/22

Метки: сверхпроводников, пленок, конфигурации, высокотемпературных, тонких, создания, способ

Текст:

...(380-390 кг силы/см 2) водорода в течение 0,5 ч при (300-350 С), а также то, что в качестве тугоплавкого металла используетсяс примесью(0,8-0,85 вес.). Сущность данного изобретения заключается в том, что термообработка в паро-водородной среде приводит к образованию гидридов тугоплавкого металла, изменению структуры пленки и нарушению целостности слоя. Это способствует более полному удалению окисленного слоя тугоплавкого металла и дает...

Способ получения распыляемых мишеней для осаждения тонких пленок

Загрузка...

Номер патента: 4682

Опубликовано: 30.09.2002

Авторы: Полынкова Елена Владимировна, Колешко Владимир Михайлович, Гулай Анатолий Владимирович, Шевченок Александр Аркадьевич

МПК: H01J 37/34, H01J 37/32, C23C 14/34...

Метки: пленок, мишеней, способ, распыляемых, осаждения, получения, тонких

Текст:

...кроме этого образуют соединения состава 23 и . Получение мишеней в соответствии с заявляемым способом осуществляется следующим образом. Из медного листа вырезают пластины необходимого размера, служащие теплоотводящим основанием для графитовой мишени (фиг. 1). Затем на пластины наносят гранулы из материала на основе меди (фиг. 2). Диаметр гранул может быть равен 0,2-0,8 мм, толщина слоя гранул 1 мм. Полученная композиция подвергается...

Установка для получения алмазоподобных пленок

Загрузка...

Номер патента: U 323

Опубликовано: 30.09.2001

Авторы: Шершнев Евгений Борисович, Морозов Владимир Петрович, Зайцев Валентин Алексеевич, Старовойтов Александр Семенович, Никитюк Юрий Валерьевич, Федосенко Николай Николаевич, Шалупаев Сергей Викентьевич

МПК: C23C 14/28

Метки: алмазоподобных, пленок, получения, установка

Текст:

...эффекта являются повышение качества получаемых покрытий и надежности работы установки, рост ее производительности за счет сокращения времени простоя и наладки. Достижение указанного технического результата обеспечивается тем, что установка для нанесения алмазоподобных пленок, содержащая рабочий лазер, формирующий объектив, вакуумную камеру и расположенные внутри нее держатели с мишенью и подложкой, на которую осаждается испаряемый материал...

Способ осаждения пленок фосфоросиликатного стекла

Загрузка...

Номер патента: 3924

Опубликовано: 30.06.2001

Авторы: Буслов Игорь Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Смагин Дмитрий Леонидович, Пшеничный Евгений Николаевич, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 21/316

Метки: фосфоросиликатного, осаждения, стекла, способ, пленок

Текст:

...концентрации фосфора в пленке, так как соотношение потоков ТЭОС/ДМФ поддерживается более точно. Дополнительным преимуществом является более экономное использование реагентов. При температуре испарителя ТЭОС ниже 50 С из-за относительно низкого давления паров реагентов снижается скорость осаждения, что повышает издержки производства. При температуре испарителя ТЭОС более 70 С из-за относительно высокого давления паров трудно...

Способ получения магнитных пленок в вакууме

Загрузка...

Номер патента: 2509

Опубликовано: 30.12.1998

Авторы: Фигурин Кирилл Борисович, Вершина Алексей Константинович, Береснев Александр Николаевич, Фигурин Борис Леонидович

МПК: C23C 14/36

Метки: вакууме, способ, получения, магнитных, пленок

Текст:

...субструктуры кристаллов вызывает появление магнитного момента (разворота) 2509 1 кристаллов в направлении легкого намагничивания. Оптимизация ориентирующего магнитного воздействия по отношению к процессу кристаллизации нейтрализует негативное влияние внутреннего трения и обеспечивает технический результат. Напыленный материал конденсируется на подложку в аморфном (некристаллическом) состоянии на требуемую толщину. По окончании процесса...