Патенты с меткой «пластины»

Устройство для интерферометрического измерительного контроля клиновидной пластины

Загрузка...

Номер патента: U 10048

Опубликовано: 30.04.2014

Автор: Ляликов Александр Михайлович

МПК: G01B 9/02

Метки: устройство, клиновидной, интерферометрического, измерительного, контроля, пластины

Текст:

...создание устройства, обеспечивающего достижение технического результата, заключающегося в повышении быстродействия устройства при осуществлении измерительного контроля. Сущность полезной модели заключается в том, что известное устройство для интерферометрического измерительного контроля клиновидной пластины, включающее когерентный источник света с оптической системой формирования коллимированного зондирующего светового пучка, интерферометр с...

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: монокристаллического, качества, кремния, пластины, контроля, способ, поверхности

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Интерферометрическое устройство для измерения клиновидности прозрачной пластины

Загрузка...

Номер патента: U 9350

Опубликовано: 30.08.2013

Автор: Ляликов Александр Михайлович

МПК: G01B 9/00, G01B 11/26

Метки: клиновидности, устройство, интерферометрическое, пластины, измерения, прозрачной

Текст:

...признаков в плоскости экрана в каждой из областей первой и второй интерферограмм устанавливают первый и второй фотоприемники, которые соединяют с электронным блоком регистрации и индикации. На фигуре приведена оптическая схема интерферометрического устройства для измерения клиновидности прозрачных пластин. Интерферометрическое устройство для измерения клиновидности прозрачных пластин содержит осветительную систему, включающую когерентный...

Способ фотоселективного электрохимического осаждения меди на поверхность кремниевой пластины p-типа проводимости

Загрузка...

Номер патента: 17444

Опубликовано: 30.08.2013

Авторы: Кулак Анатолий Иосифович, Иванова Юлия Александровна, Иванов Дмитрий Константинович, Стрельцов Евгений Анатольевич

МПК: C25D 3/38, H01L 21/18, C25D 7/12...

Метки: способ, электрохимического, p-типа, осаждения, фотоселективного, проводимости, кремниевой, поверхность, меди, пластины

Текст:

...поддержания потенциала кремниевого электрода и для устойчивого поддержанияэлектролита, а увеличение содержания 33 более 0,7 моль/л ограничено растворимостью данного соединения в воде. Влияние концентрации компонентов и потенциалов на селективность процесса осаждения меди сопоставлено в таблице. Зависимость величины фототока, темнового тока осаждения меди на -кремний и степени селективности(отношение массы меди, осаждающейся под...

Устройство для интерферометрических исследований клиновидной пластины

Загрузка...

Номер патента: U 9258

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Ляликов Александр Михайлович, Бартасевич Анна Ивановна

МПК: G01B 9/02

Метки: устройство, исследований, клиновидной, интерферометрических, пластины

Текст:

...известном устройстве для интерферометрических исследований клиновидной пластины, включающем когерентный источник света с оптической системой формирования коллимированного зондирующего пучка, интерферометр с каналами объектного и опорного пучков, исследуемую клиновидную пластину, установленную в канале объектного пучка, регистратор интерференционной картины, согласно полезной модели, в контакте с поверхностью исследуемой клиновидной пластины...

Способ изготовления полупроводниковой пластины кремния

Загрузка...

Номер патента: 16226

Опубликовано: 30.08.2012

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Сенько Сергей Федорович, Петлицкий Александр Николаевич, Емельянов Антон Викторович, Гордиенко Анатолий Илларионович

МПК: H01L 21/322

Метки: кремния, способ, пластины, изготовления, полупроводниковой

Текст:

...аморфного кремния и поликристаллического кремния проводят в едином технологическом цикле. Сущность заявляемого технического решения заключается в частичном растворении оксида кремния в гидрогенизированном аморфном кремнии с образованием барьерного слоя, легко проницаемого для неконтролируемых примесей. Гидрогенизированный аморфный кремний (-) так же, как и поликристаллический кремний (поли-), является хорошим геттером для неконтролируемых...

Интерферометрический способ определения угла клиновидности прозрачной пластины

Загрузка...

Номер патента: 15822

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Ляликов Александр Михайлович, Буть Андрей Иванович

МПК: G01B 11/26, G01J 9/02

Метки: способ, угла, пластины, клиновидности, определения, прозрачной, интерферометрический

Текст:

...для реализации заявляемого способа, а на последующих фигурах схематически изображены контуры световых волн (окружность) и исследуемой пластины (ромб) после освещения исследуемой пластины световой волной (фиг. 2) и при формировании первого и второго изображений исследуемой пластины за счет бокового сдвига интерферирующих разделенных волн. Устройство для реализации заявляемого способа содержит когерентный источник света 1, например...

Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15194

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: ориентации, полупроводниковой, 111, пластины, функциональное, покрытие, кремниевой

Текст:

...тетраэдров,находящихся в двойниковой ориентации по отношению к первичным и обращенных вершиной в сторону нерабочей поверхности пластины. Пересечение совокупностей тетраэдров, образованных плоскостями скольжения 111 и 110, обеспечивает получение устойчивой взаимосвязанной структуры, состоящей из дислокаций и дефектов упаковки и управляемой параметрами рисунка покрытия. Дальнейшее разделение элементов рисунка в покрытии приводит к образованию...

Функциональное покрытие полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15193

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302

Метки: кремниевой, ориентации, 111, функциональное, пластины, полупроводниковой, покрытие

Текст:

...элементы больших размеров исчезают. Это приводит к резкому снижению глубины дислокационной структуры, ее локализации вблизи нерабочей поверхности пластины и потере эффективности. Совокупность плоскостей скольжения дислокаций, формируемую такой фрактальной структурой, можно описать следующим образом. Вначале формируется сетка сдвоенных тетраэдров с основанием, совпадающим с первичным элементом рисунка покрытия. При первом разделении...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (111)

Загрузка...

Номер патента: 15059

Опубликовано: 30.12.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: ориентации, полупроводниковой, пластины, кремниевой, 111, изготовления, способ

Текст:

...эпитаксии и т.п. Если контролируемые нарушения выполнены вдоль одного из направлений типа 112, дислокации генерируются преимущественно в одной из соответствующих конкретно выбранному направлению плоскостей (1 1 0 ) , (10 1 ) и (01 1 ) , перпендикулярных плоскости (111), и при последующих операциях беспрепятственно достигают рабочей поверхности пластины, усиливая тем самым рост линий скольжения. Требования по шагу расположения линий...

Способ изготовления полупроводниковой кремниевой пластины ориентации (001)

Загрузка...

Номер патента: 14926

Опубликовано: 30.10.2011

Автор: Сенько Сергей Федорович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/02

Метки: пластины, изготовления, 001, полупроводниковой, ориентации, способ, кремниевой

Текст:

...направ 3 14926 1 2011.10.30 лений - 100 или 010. В случае формирования механических нарушений в обоих направлениях одновременно эффективность блокирования роста линий скольжения соответственно повышается. Выбор количества направлений осуществляют исходя из особенностей формируемой активной структуры (например, толщины эпитаксиальной пленки),режимов эпитаксии и т.п. Требования по шагу расположения линий механических нарушений продиктованы...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 14380

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Матюшевский Анатолий Петрович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович, Становский Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/02

Метки: акцепторных, способ, приборов, силовых, пластины, кремниевые, примесей, диффузии, полупроводниковых, изготовления

Текст:

...деструкции, удаление слоя легированных алюминием пленок вне областей последующей диффузии, загрузку кремниевых пластин для диффузии в реактор, нагретый до температуры ниже температуры диффузии, в держателе-лодочке, установленных параллельно друг другу, перпендикулярно потоку газов, нагрев до температуры диффузии и термообработку при этой температуре, снижение температуры до температуры загрузки и выгрузку, маскирующий слой оксида кремния...

Способ контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14195

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01N 21/88, G01B 11/30, H01L 21/66...

Метки: изделия, контроля, пластины, полупроводниковой, частности, структуры, качества, поверхности, способ

Текст:

...дефектного участка поверхности превращается в точку) в области между экраном и держателем образцов, что значительно затрудняет идентификацию этих дефектов. Заявляемое изобретение поясняется чертежами, где на фиг. 1 приведена схема осуществления контроля, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого способа (б). Свет от точечного источника...

Устройство для контроля качества поверхности изделия, в частности, полупроводниковой пластины и/или структуры

Загрузка...

Номер патента: 14194

Опубликовано: 30.04.2011

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Емельянов Антон Викторович

МПК: G01B 9/00, G01B 11/30, G01N 21/88...

Метки: изделия, частности, качества, полупроводниковой, пластины, поверхности, структуры, устройство, контроля

Текст:

...где на фиг. 1 приведена схема заявляемого устройства, а на фиг. 2-6 приведены светотеневые изображения поверхностей полупроводниковых пластин и структур, полученные с помощью прототипа (а) и заявляемого устройства (б). Заявляемое устройство содержит точечный источник оптического излучения 1, держатель образцов 2, выполненный в виде кольцевой опоры, внутри которой создается разрежение за счет подключения к вакуумной магистрали или насосу...

Устройство для поворота режущей пластины

Загрузка...

Номер патента: U 4963

Опубликовано: 30.12.2008

Авторы: Михайлов Михаил Иванович, Лисеенко Ирина Владимировна

МПК: B23B 27/16

Метки: поворота, устройство, режущей, пластины

Текст:

...связан с зубчатым колесом, а в средней части поворотной оси выполнены конические лыски, кинематически связанные с торцем упорного винта. На фиг. 1 изображен вид вдоль оси шпинделя станка на устройство, на фиг. 2 - вид А на приводной элемент, на фиг. 3 - вид Б на резец, на фиг. 4 - сечение В-В поворотной оси резца, на фиг. 5 - вид сверху на резец. Устройство для поворота режущей пластины, состоит из приводного элемента (фиг. 2) и...

Способ контроля качества химической очистки поверхности полупроводниковой кремниевой пластины в растворе c pH больше 7

Загрузка...

Номер патента: 11176

Опубликовано: 30.10.2008

Авторы: Иванчиков Александр Эдуардович, Плебанович Владимир Иванович, Емельянов Виктор Андреевич, Кисель Анатолий Михайлович, Медведева Анна Борисовна

МПК: H01L 21/02, C09K 13/00

Метки: ph больше 7, поверхности, контроля, пластины, качества, химической, очистки, растворе, кремниевой, способ, полупроводниковой

Текст:

...примера реализации заявляемого способа проведены исследования контроля качества кремниевых пластин после химической очистки в перекисно-аммиачном растворе. Для этого были изготовлены 16 контрольных кремниевых пластин. Для изготовления контрольных пластин были взяты кремниевые подложки КДБ 12 диаметром 150 мм, на которых были выполнены следующие технологические операции ионное легирование фосфором с энергией ионов Е 60 кэВ и дозой Д 800...

Способ диффузии акцепторных примесей в кремниевые пластины для изготовления силовых полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 10881

Опубликовано: 30.08.2008

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Турцевич Аркадий Степанович, Шильцев Владимир Викторович, Соловьев Ярослав Александрович, Кресло Сергей Михайлович

МПК: H01L 21/02

Метки: изготовления, способ, полупроводниковых, силовых, кремниевые, акцепторных, примесей, диффузии, приборов, пластины

Текст:

...глубина диффузии примеси при постоянной температуре пропорциональна корню квадратному от времени процесса. Удаление слоя легированных пленок вне областей последующей диффузии двухсторонней фотолитографией производится для исключения паразитной диффузии акцепторных примесей в тех областях кремниевой пластины,где этого не требуется. Создание микронеровностей поверхности со средней шероховатостью 0,3-1,0 мкм и глубиной нарушенного слоя 2,0-8,0...

Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины

Загрузка...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Турцевич Аркадий Степанович, Соловьев Ярослав Александрович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: обратной, стороны, формирования, пластины, металлизации, способ, кремниевой

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Алмазный круг с внутренней режущей кромкой для резки монокристаллов кубической сингонии на пластины

Загрузка...

Номер патента: 8715

Опубликовано: 30.12.2006

Авторы: Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович, Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич

МПК: B24D 5/12, B24D 3/00

Метки: сингонии, кромкой, резки, кубической, внутренней, алмазный, круг, монокристаллов, пластины, режущей

Текст:

...слоя.Придание наклона торцу режущей кромки Круга приводит К появлению устойчивой осевой силы, направленной в сторону острого угла Кромки. Если острый угол кромки примыкает К торцу остающейся части слитка, эта сила прижимает режущий круг К остающейся части слитка и препятствует отклонению инструмента от плоскости реза в сторону отрезаемой пластины. ОтКлонению Круга от плоскости реза в сторону остающейся части слитка препятствует высокая...

Способ резки слитков кремния на пластины

Загрузка...

Номер патента: 8451

Опубликовано: 30.08.2006

Авторы: Сенько Сергей Федорович, Зеленин Виктор Алексеевич, Емельянов Виктор Андреевич, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 21/302, H01L 21/304, B28D 5/02...

Метки: резки, слитков, кремния, способ, пластины

Текст:

...слитка не происходит из-за высокой жесткости последнего. Все это значительно стабилизирует процесс резки и снижает осевое биение режущего круга. Снижение осевого биения режущего круга приводит к более равномерному распределению и снижению глубины нарушенных слоев на поверхностях отрезаемых пластин и к 3 8451 1 2006.08.30 заметному улучшению геометрических параметров отрезаемых пластин - уменьшается прогиб пластин и исчезает микроволнистость...

Способ нанесения инструментального покрытия на пластины для металлорежущих инструментов

Загрузка...

Номер патента: 7494

Опубликовано: 30.12.2005

Авторы: Снарский Андрей Станиславович, Пантелеенко Федор Иванович

МПК: B23K 35/36

Метки: инструментального, покрытия, способ, пластины, инструментов, нанесения, металлорежущих

Текст:

...покрытия на данных режимах и при данной выдержке происходит рафинирование металла, снижается (практически до 0 ) пористость обработанного покрытия, структура приобретает мелкодисперсное строение. Проведением последующего отпуска на заявляемых режимах достигается снятие закалочных напряжений, повышение пластичности и трещиностойкости покрытия. При этом сохраняется достаточно высокий уровень твердости покрытия за счет протека 3 7494 1...

Способ измерения глубины нарушенного слоя на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины

Загрузка...

Номер патента: 5907

Опубликовано: 30.03.2004

Авторы: Ануфриев Леонид Петрович, Чигирь Григорий Григорьевич, Ухов Виктор Анатольевич, Пеньков Анатолий Петрович

МПК: H01L 21/66

Метки: поверхности, измерения, слоя, нарушенного, кремниевой, пластины, способ, полупроводниковой, глубины

Текст:

...слои,что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению нарушенного слоя. При использовании углов падения пучка ионов в диапазоне 10-45 увеличения нарушенного слоя и формирования микрорельефа на поверхности кремниевой пластины не наблюдается при выборе пучка ионов с атомным номером менее 7 (легкие ионы) наблюдается внедрение падающих ионов в поверхностные слои, что приводит к дополнительному дефектообразованию и увеличению...

Способ соединения термопластичной торцевой пластины с корпусом упаковочного контейнера

Загрузка...

Номер патента: 971

Опубликовано: 15.12.1995

Автор: Ульф Недстед

МПК: B65B 31/02

Метки: термопластичной, корпусом, пластины, торцевой, соединения, упаковочного, способ, контейнера

Текст:

...стороны,на некоторое растоянне от кожуха 1. Когда зажимное приспособ ление З поцжато к верхнему концу кожуха 1, периферийная кромкаконцевой пластины 6 зажимается в то же время воздухонепроницаемо между круговой контактной поверхностью 15 на закимном устройстве 3, обращенной вниз, и соответствующей поверхностью верхнего конца кожуха 1, обращенной вверх.Опорный элемент 10 донной части 2 возле корпуса 5 упаковочногоконтейнера также поддерживает...