Патенты с меткой «планарный»

Вертикально-освещаемый планарный лавинный фотодиод

Загрузка...

Номер патента: U 5908

Опубликовано: 28.02.2010

Авторы: Чиж Александр Леонидович, Малышев Сергей Александрович, Василевский Юрий Георгиевич

МПК: H01L 31/10

Метки: лавинный, фотодиод, планарный, вертикально-освещаемый

Текст:

...фотодиода по фоточувствительной поверхности, вызванную краевым лавинным пробоем. Сущность полезной модели поясняется фиг.1, на которой изображн поперечный разрез вертикально-освещаемого планарного лавинного фотодиода, где 1 - первый металлический электрод 2 - первый полупроводник первого типа проводимости 3 - первый полупроводник с собственной проводимостью 4 - второй полупроводник первого типа проводимости 5 - второй полупроводник с...

Планарный электростатический микрокоммутатор

Загрузка...

Номер патента: 10530

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Ефремов Георгий Игнатьевич, Мухуров Николай Иванович

МПК: H01H 59/00

Метки: микрокоммутатор, планарный, электростатический

Текст:

...цепей, на выступе поперечной перемычки сформирован дополнительный подвижный контакт, а напротив другой стороны выступа выполнено цилиндрическое металлизированное отверстие радиусом , электрически соединенное с коммутирующей дорожкой, в которое плотно вставлен диэлектрический металлизированный вкладыш, образующий с дополнительным подвижным контактом нормально замкнутый контакт с соответствующим контактным усилием, при этом расстояниеот...

Твердый планарный источник диффузии бора для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов

Загрузка...

Номер патента: 9818

Опубликовано: 30.10.2007

Авторы: Ануфриев Дмитрий Леонидович, Матюшевский Анатолий Петрович, Глухманчук Владимир Владимирович, Шильцев Владимир Викторович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02

Метки: приборов, твердый, интегральных, источник, бора, планарный, диффузии, полупроводниковых, изготовления, схем

Текст:

...не требуется специальная регенерация источников. Оксид кремния - аэросил, представляющий собой мелкодисперсную (размер частиц 520 нм) двуокись кремния, служит загустителем, что способствует поддерживанию во взвешенном состоянии частиц оксида бора при смешивании компонентов диффузанта и нанесении их на поверхность кремниевой подложки для создания твердого планарного источника бора. При содержании оксида бора менее 60 мас.снижается масса...

Планарный микроэлектродный массив

Загрузка...

Номер патента: U 2563

Опубликовано: 30.04.2006

Авторы: Денисов Андрей Анатольевич, Черенкевич Сергей Николаевич, Молчанов Павел Геннадьевич, Кульчицкий Владимир Адамович

МПК: A61B 5/0408

Метки: планарный, микроэлектродный, массив

Текст:

...искажения при записи сигнала с микроэлектрода, осуществляемой во время стимуляции клетки через соседние микроэлектроды. Задачей полезной модели является уменьшение перекрестных искажений сигналов микроэлектродов, вызванных присутствием межэлектродной емкости. Поставленная задача достигается следующим образом. Предложен планарный микроэлектродный массив, выполненный в виде изолирующей подложки, содержащий набор внеклеточных микроэлектродов,...