Патенты с меткой «омического»

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою нитрида галлия p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 15439

Опубликовано: 28.02.2012

Авторы: Труханов Алексей Валентинович, Пашкевич Михаил Викторович, Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00, B82B 3/00...

Метки: галлия, способ, эпитаксиальному, контакта, изготовления, прозрачного, слою, p-gan, омического, нитрида

Текст:

..., причем сначала наносят первый слой омического контактатолщиной 3 нм с собственной проводимостью -типа, затем слой золота толщиной 4 нм, а потом на полученную двухслойную контактную структуру наносят второй слойтолщиной не менее 3 нм и в результате формируют контактную структуру ///-. Новым, по мнению авторов, является то, что перед нанесением первого слоятолщиной 3 нм на слой - наносят слой аморфного нитрида галлия толщиной не менее...

Материал для тонкопленочного омического контакта к кремнию

Загрузка...

Номер патента: 13808

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Плебанович Владимир Иванович, Колос Светлана Валентиновна, Белоус Анатолий Иванович

МПК: H01L 23/48, C22C 19/05

Метки: омического, тонкопленочного, материал, кремнию, контакта

Текст:

...ванадий 0,5-1,2 алюминий 0,5-1,5 никель остальное. Сущность заявляемого технического решения заключается в обеспечении химического взаимодействия между формируемой пленкой и полупроводниковой подложкой. Полупроводниковая пластина при хранении на воздухе тут же окисляется с образованием оксида кремния толщиной около 2 нм. Эта тонкая пленка химически достаточно инертна и препятствует взаимодействию никеля и кремния для образования...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 13804

Опубликовано: 30.12.2010

Авторы: Стогний Александр Иванович, Новицкий Николай Николаевич

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: прозрачного, контакта, p-gan, омического, слою, способ, эпитаксиальному, изготовления

Текст:

...контактной структуры к - достигается по сравнению с прототипом тем, что при нанесении и последующем удалении дополнительных слоев оксида алюминия происходит преимущественное заполнение пустот (проколов), образовавшихся при росте пленки, диэлектрическим материалом, близкого по свойствам к соединениям нитридов третьей группы элементов, без его постороннего присутствия на плоских (бездефектных) участках поверхности, т.е. осуществляется...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GаN

Загрузка...

Номер патента: 13504

Опубликовано: 30.08.2010

Авторы: Луценко Евгений Викторович, Шуленков Алексей Серафимович, Новицкий Николай Николаевич, Стогний Александр Иванович, Данильчик Александр Викторович, Яблонский Геннадий Петрович, Павловский Вячеслав Николаевич

МПК: H01L 21/02, H01L 33/00

Метки: способ, p-gan, эпитаксиальному, слою, контакта, прозрачного, изготовления, омического

Текст:

...изобретения является увеличение термической стабильности и деградационной прочности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою -, заключающемся в ионноплазменной очистке поверхности эпитаксиального слоя - с последующим нанесением омического контакта наноразмерной толщины на нагретую до температуры 350-370 С...

Способ изготовления прозрачного омического контакта к эпитаксиальному слою p-GaN

Загрузка...

Номер патента: 8569

Опубликовано: 30.10.2006

Авторы: Хойкен Михаель, Стогний Александр Иванович, Луценко Евгений Викторович, Шинеллер Бернд, Шуленков Алексей Серафимович, Яблонский Геннадий Петрович

МПК: H01L 21/283, H01L 33/00, H01L 21/28...

Метки: прозрачного, изготовления, p-gan, способ, эпитаксиальному, слою, омического, контакта

Текст:

...контроля за процессом термообработок при окислении, т.к. в противном случае происходит потеря прозрачности и изменение контактных характеристик в условиях длительной эксплуатации, а также недостаточная термостойкость контакта. Задачей предлагаемого изобретения является увеличение термической стабильности прозрачных омических контактов к -. Поставленная задача решается следующим образом. В способе изготовления прозрачного омического контакта к...