Патенты с меткой «обратной»

Способ формирования металлизации обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18283

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Дудкин Александр Иванович, Керенцев Анатолий Федорович, Подковщиков Николай Николаевич, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: C23C 14/16, H01L 21/58

Метки: прибора, полупроводникового, металлизации, кристалла, способ, обратной, стороны, формирования

Текст:

...и повышению выхода годных ПП. Нанесение первого слоя золота толщиной 0,75-0,95 мкм при температуре 300-340 С способствует частичному проникновению кремния в слой золота, что улучшает качество присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине первого слоя золота менее 0,75 мкм образуется малое количество эвтектики золото-кремний, что приводит к снижению качества присоединения кристаллов к кристаллодержателю. При толщине слоя...

Металлизация обратной стороны кристалла полупроводникового прибора

Загрузка...

Номер патента: 18282

Опубликовано: 30.06.2014

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Керенцев Анатолий Федорович, Дудкин Александр Иванович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/58, C23C 14/16

Метки: обратной, кристалла, стороны, металлизация, прибора, полупроводникового

Текст:

...задачи объясняется следующим образом. Использование ванадия в качестве адгезионного слоя обеспечивает адгезию золота к кремнию с минимальным образованием возможных окисных прослоек, что способствует более эффективному диффузионному проникновению кремния в слой золота. Это приводит к улучшению качества присоединения кремниевого кристалла к кристаллодержателю полупроводникового прибора и повышению выхода годных ПП. Выполнение слоя золота...

Лазер на красителе со светоиндуцированной распределенной обратной связью

Загрузка...

Номер патента: 17687

Опубликовано: 30.10.2013

Авторы: Эфендиев Терлан Шаид оглы, Рубинов Анатолий Николаевич, Катаркевич Василий Михайлович

МПК: H01S 3/00

Метки: красителе, светоиндуцированной, лазер, распределенной, связью, обратной

Текст:

...красителя на длинах волн 1 и 2, - угол между гранью клина, контактирующей с раствором, и нормалью к границе раздела призма-раствор, гдеи- минимальная и максимальная длины волн из указанного диапазона, при этом на все грани призмы и внешние грани окон кюветы нанесены просветляющие покрытия соответственно на длинах волн накачки и генерации перестройки длины волны генерации. Сущность предлагаемого изобретения поясняется фигурами на фиг. 1...

Многолучевая лампа обратной волны

Загрузка...

Номер патента: 16356

Опубликовано: 30.10.2012

Авторы: Киринович Ирина Федоровна, Рудницкий Антон Сергеевич, Кураев Александр Александрович, Аксенчик Анатолий Владимирович

МПК: H01J 25/46

Метки: обратной, многолучевая, лампа, волны

Текст:

...узкими стенками волновода, а длина отрезкаизогнутого волновода, расположенного между соседними соосными отверстиями, и периодэлектродинамической системы определены в соответствии с выражением для условия фазового синхронизма 2 2 01( 2 )0 - относительная скорость электронов 0 - начальная скорость электронов- скорость света в вакууме- длина волны генерируемого сигнала 0 - частота генерируемого сигнала 0 - длина волны генерируемого сигнала в...

Лазер со стационарной распределенной обратной связью

Загрузка...

Номер патента: 15839

Опубликовано: 30.04.2012

Авторы: Эфендиев Терлан Шаид оглы, Катаркевич Василий Михайлович, Рубинов Анатолий Николаевич

МПК: H01S 3/00, H01S 3/213

Метки: стационарной, лазер, связью, распределенной, обратной

Текст:

...выдерживали в течение 1 часа при этой температуре. Приготовленный таким образом раствор (концентрация красителя при этом составляла 2,510-4 моль/л при весовой концентрации наночастиц 2 2,5 ) заливали в кювету, в которой он студенился при комнатной температуре в течение не менее одних суток. Возбуждение РОС-лазера осуществлялось излучением второй гармоники АИГ 3 лазера. Излучение накачки, сфокусированное в полоску, направлялось на входную грань...

Твердотельный лазер на красителях с распределенной обратной связью

Загрузка...

Номер патента: U 7845

Опубликовано: 30.12.2011

Авторы: Рубинов Анатолий Николаевич, Эфендиев Терлан Шаид оглы, Катаркевич Василий Михайлович

МПК: H01S 3/00

Метки: распределенной, обратной, твердотельный, связью, красителях, лазер

Текст:

...значение температурного коэффициента показателя преломления /, у стекла ЛК 6 температурный коэффициент показателя преломления имеет отрицательное значение (ГОСТ 13659-78). Длина волны генерации г такого лазера определяется формулойк н,гпргде к и пр - показатели преломления композита МКС с ЭП и материала призмы соответственно, н - длина волны излучения накачки,- угол падения пучка накачки на границу раздела призма - композит. 2...

Лазер с распределенной обратной связью с объемной стационарной решеткой

Загрузка...

Номер патента: 14574

Опубликовано: 30.06.2011

Авторы: Катаркевич Василий Михайлович, Рубинов Анатолий Николаевич, Эфендиев Терлан Шаид оглы

МПК: H01S 3/213, H01S 3/00

Метки: объемной, связью, распределенной, решеткой, обратной, лазер, стационарной

Текст:

...энергии импульсов 50 мДж/см. Доза облучения составляла 200 Дж/см 2. Из фиг. 1 видно, что наличие продуктов фотораспада приводит к появлению дополнительного поглощения геля в коротковолновой области спектра. Качественно подобная картина трансформации спектра поглощения наблюдается и при облучении желатинового геля, активированного другими красителями. В качестве примера на фиг. 2 приведены спектры поглощения необлученного (кривая 1) и...

Способ формирования металлизации обратной стороны кремниевой пластины

Загрузка...

Номер патента: 9677

Опубликовано: 30.08.2007

Авторы: Соловьев Ярослав Александрович, Ануфриев Дмитрий Леонидович, Глухманчук Владимир Владимирович, Турцевич Аркадий Степанович

МПК: H01L 21/02, H01L 23/48

Метки: кремниевой, пластины, обратной, способ, формирования, металлизации, стороны

Текст:

...кремний) придает буферному слою дополнительную устойчивость к процессам электромиграции и шипообразования, которые могут происходить во время пайки кристалла, а также в процессе эксплуатации ИСМЭ. Кроме того, нанесение сплавов алюминия в качестве материала буферного слоя позволяет ограничить взаимную диффузию кремния и алюминия повысить стойкость металлизации к воздействию повышенной температуры. Утонение кремниевой пластины со...

Способ обратной литографии

Загрузка...

Номер патента: 7220

Опубликовано: 30.09.2005

Авторы: Болдышева Ирина Петровна, Лыньков Леонид Михайлович, Белятко Дмитрий Петрович, Прудник Александр Михайлович

МПК: H01L 21/033

Метки: литографии, обратной, способ

Текст:

...алюминия, формирование контактной маски путем селективного травления пленки алюминия,нанесение пленки рабочего материала и удаление контактной маски 2. Недостатком данного способа является ограниченный диапазон применяемых рабочих материалов. Задачей настоящего изобретения является получение технического результата, который выражается в понижении температуры взрыва (удаления) контактной маски, что позволит расширить диапазон используемых...

Способ бурения скважин с обратной промывкой и установка для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 6637

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Панасюк Анатолий Иванович, Капустин Владимир Николаевич, Кедо Сергей Антонович

МПК: E21B 21/02

Метки: осуществления, бурения, промывкой, способ, обратной, скважин, установка

Текст:

...с частицами разбуренных пород, которые с помощью созданного мощного гидравлического потока мгновенно подхватывают, перемешивают и через диффузорный отводящий патрубок, расположенный сверху на вершине конусообразной полости эжектора, и трубу скважинной колонны ускоренно подают на поверхность. Установка для осуществления предложенного способа бурения скважин с обратной промывкой содержит транспортное средство 1 с подъемными лебедками (на...

Способ обратной литографии

Загрузка...

Номер патента: 2428

Опубликовано: 30.09.1998

Авторы: Прудник Александр Михайлович, Лыньков Леонид Михайлович, Богуш Вадим Анатольевич, Петров Николай Петрович, Жданович Сергей Вячеславович

МПК: H01L 21/312

Метки: способ, обратной, литографии

Текст:

...вакуумной камере установки УВН-2 М-3 электронно-лучевым методом наносили пленку алюминия толщиной 1 мкм. На технологической линии Лада на пленку алюминия наносили слой резиста. С помощью стандартных методов вскрывали окна в слое алюминия. Затем методом газофазного окисления в смеси аргона, моносилана и кислорода при температуре 370 С осаждали рабочую пленку 2 толщиной 1,5 мкм. Затем на установке Изоприн структуру подвергали импульсной...