Патенты с меткой «монокристаллического»

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: кремния, качества, пластины, монокристаллического, поверхности, контроля, способ

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Способ получения монокристаллического антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Изотов Александр Дмитриевич, Малышев Максим Леонидович, Трухан Владимир Михайлович

МПК: C30B 21/02, C01G 45/00, C30B 29/10...

Метки: антимонида, способ, монокристаллического, получения, марганца

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Клышко Алексей Александрович, Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: H01L 21/02, C25D 9/08, C30B 29/10...

Метки: монокристаллического, кремния, пленок, подложках, или, полупроводниковых, способ, соединений, формирования, бинарных, групп, aіvbvі, aііbvі

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Стабилизирующая добавка для абразивных суспензий на основе оксида алюминия для шлифовки пластин монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 10513

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Гайшун Владимир Евгеньевич, Тюленкова Ольга Ивановна, Косенок Янина Александровна, Мельниченко Игорь Михайлович

МПК: C09G 1/00

Метки: кремния, абразивных, суспензий, пластин, алюминия, шлифовки, оксида, стабилизирующая, монокристаллического, основе, добавка

Текст:

...и эксплутационных характеристик абразивной суспензии. Известен также состав, включающий в себя глицерин, дистиллированную воду, карбоксиполиметилен и триэтаноламин 3. Однако данный состав не обеспечивает необходимое качество шлифования пластин монокристаллического кремния, поскольку содержит до 25 глицерина. Заявляемое изобретение решает задачу получения высокоэффективной стабилизирующей добавки для абразивной суспензии на...

Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации

Загрузка...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Мица Александр Владимирович, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич, Голякевич Татьяна Васильевна

МПК: G02B 5/28, G02B 1/10

Метки: покрытие, модификации, дифосфида, кадмия, просветляющее, двухкомпонентное, тетрагональной, оптического, ахроматическое, элемента, монокристаллического

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...