Патенты с меткой «монокристаллического»

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: способ, качества, монокристаллического, поверхности, пластины, контроля, кремния

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Способ получения монокристаллического антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Маренкин Сергей Федорович, Шёлковая Татьяна Васильевна, Малышев Максим Леонидович, Изотов Александр Дмитриевич

МПК: C30B 21/02, C01G 45/00, C30B 29/10...

Метки: получения, способ, монокристаллического, антимонида, марганца

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Чубенко Евгений Борисович, Клышко Алексей Александрович

МПК: C25D 9/08, C30B 29/10, H01L 21/02...

Метки: монокристаллического, соединений, формирования, бинарных, пленок, полупроводниковых, способ, или, aіvbvі, групп, кремния, aііbvі, подложках

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Стабилизирующая добавка для абразивных суспензий на основе оксида алюминия для шлифовки пластин монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 10513

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Гайшун Владимир Евгеньевич, Косенок Янина Александровна, Мельниченко Игорь Михайлович, Тюленкова Ольга Ивановна

МПК: C09G 1/00

Метки: пластин, алюминия, абразивных, стабилизирующая, шлифовки, монокристаллического, суспензий, оксида, основе, кремния, добавка

Текст:

...и эксплутационных характеристик абразивной суспензии. Известен также состав, включающий в себя глицерин, дистиллированную воду, карбоксиполиметилен и триэтаноламин 3. Однако данный состав не обеспечивает необходимое качество шлифования пластин монокристаллического кремния, поскольку содержит до 25 глицерина. Заявляемое изобретение решает задачу получения высокоэффективной стабилизирующей добавки для абразивной суспензии на...

Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации

Загрузка...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Трухан Владимир Михайлович, Мица Александр Владимирович, Голякевич Татьяна Васильевна, Шелег Александр Устинович, Фекешгази Иштван Винцеевич

МПК: G02B 1/10, G02B 5/28

Метки: монокристаллического, двухкомпонентное, покрытие, кадмия, оптического, ахроматическое, модификации, тетрагональной, элемента, дифосфида, просветляющее

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...