Патенты с меткой «монокристаллического»

Способ контроля качества поверхности пластины монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 18135

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Медведева Анна Борисовна, Кисель Анатолий Михайлович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/88

Метки: контроля, качества, пластины, кремния, способ, поверхности, монокристаллического

Текст:

...газофазного химического осаждения пленку диоксида кремния (2) толщиной 1-2 мкм, удаляют часть осажденной пленки диоксида кремния до толщины 0,3-0,6 мкм методом химико-механической планаризации(ХМП), осуществляют визуальный контроль пластины и по полученной цветовой интерференционной картине на поверхности пластины судят о качества ее поверхности. Заявляемый способ отличается от известного тем, что он позволяет одновременно...

Способ получения монокристаллического антимонида марганца

Загрузка...

Номер патента: 17952

Опубликовано: 28.02.2014

Авторы: Изотов Александр Дмитриевич, Маренкин Сергей Федорович, Малышев Максим Леонидович, Трухан Владимир Михайлович, Шёлковая Татьяна Васильевна

МПК: C30B 29/10, C30B 21/02, C01G 45/00...

Метки: монокристаллического, антимонида, способ, получения, марганца

Текст:

...размер монокристаллов ,диаметр которых уменьшается с ростом скорости кристаллизации от 20 до 0,5 мкм. Длина монокристаллов наоборот увеличивается от 100 до 300 мкм. Полученный таким образом направленно закристаллизованный сплав после охлаждения печи извлекают из ампулы и подвергают магнитной сепарации с целью извлечения ферромагнитных монокристаллов антимонида марганца. На дифракционной картине скола (фиг. 1) видно, что эвтектическая...

Способ формирования пленок бинарных полупроводниковых соединений групп AІІBVІ или AІVBVІ на подложках из монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 17212

Опубликовано: 30.06.2013

Авторы: Бондаренко Виталий Парфирович, Клышко Алексей Александрович, Чубенко Евгений Борисович

МПК: H01L 21/02, C30B 29/10, C25D 9/08...

Метки: соединений, полупроводниковых, подложках, aіvbvі, кремния, монокристаллического, или, aііbvі, формирования, бинарных, способ, пленок, групп

Текст:

...Для улучшения равномерности осаждения и повышения планарности пленок полупроводниковых соединений на пористый кремний методом катодного электрохимического осаждения может быть нанесен тонкий слой металла толщиной 0,01-0,5 мкм. Наличие тонкого слоя металла на поверхности пористого кремния приводит к повышению эквипотенциальности и равномерности распределения катодного тока в процессе осаждения. В качестве таких металлов могут быть...

Стабилизирующая добавка для абразивных суспензий на основе оксида алюминия для шлифовки пластин монокристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 10513

Опубликовано: 30.04.2008

Авторы: Тюленкова Ольга Ивановна, Косенок Янина Александровна, Мельниченко Игорь Михайлович, Гайшун Владимир Евгеньевич

МПК: C09G 1/00

Метки: добавка, пластин, абразивных, алюминия, монокристаллического, оксида, кремния, основе, шлифовки, стабилизирующая, суспензий

Текст:

...и эксплутационных характеристик абразивной суспензии. Известен также состав, включающий в себя глицерин, дистиллированную воду, карбоксиполиметилен и триэтаноламин 3. Однако данный состав не обеспечивает необходимое качество шлифования пластин монокристаллического кремния, поскольку содержит до 25 глицерина. Заявляемое изобретение решает задачу получения высокоэффективной стабилизирующей добавки для абразивной суспензии на...

Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации

Загрузка...

Номер патента: 10304

Опубликовано: 28.02.2008

Авторы: Голякевич Татьяна Васильевна, Трухан Владимир Михайлович, Шелег Александр Устинович, Мица Александр Владимирович, Фекешгази Иштван Винцеевич

МПК: G02B 5/28, G02B 1/10

Метки: монокристаллического, покрытие, просветляющее, кадмия, модификации, дифосфида, элемента, оптического, ахроматическое, тетрагональной, двухкомпонентное

Текст:

...луча и от 3,35 до 3,00 для необыкновенного луча, которая обеспечила повышение пропускания оптических элементов из 2(т) до уровня свыше 99,90 в диапазоне от 550 до 1100 нм. Ахроматическое двухкомпонентное просветляющее покрытие для оптического элемента из монокристаллического дифосфида кадмия тетрагональной модификации, содержащее четыре чередующихся слоя с низким и высоким показателями преломления из диоксида кремния и диоксида циркония...