Патенты с меткой «микросхемы»

Способ изготовления кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 18136

Опубликовано: 30.04.2014

Авторы: Ефименко Сергей Афанасьевич, Шикуло Владимир Евгеньевич, Солодуха Виталий Александрович, Малый Игорь Васильевич, Турцевич Аркадий Степанович, Наливайко Олег Юрьевич

МПК: H01L 27/04, H01L 21/77

Метки: изготовления, интегральной, способ, кремниевой, микросхемы

Текст:

...при низкой температуре (450 С). Для достижения требуемого результата отжиг может повторяться несколько раз, что приводит к увеличению цикла изготовления интегральной микросхемы. 3 18136 1 2014.04.30 В основу изобретения положено решение задачи повышения коэффициента усиления горизонтального транзистора на малых токах, повышения стабильности электрических параметров и увеличения процента выхода годных микросхем. Сущность изобретения заключается...

Способ изготовления межэлементных соединений микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 14850

Опубликовано: 30.10.2011

Авторы: Турцевич Аркадий Степанович, Кузик Сергей Владимирович, Довнар Николай Александрович, Лабан Эдуард Казимирович, Глухманчук Владимир Владимирович, Солодуха Виталий Александрович

МПК: H01L 21/28, H01L 23/48, H01L 21/02...

Метки: межэлементных, соединений, микросхемы, изготовления, способ

Текст:

...нанесения пассивирующих слоев фосфоросиликатного стекла и нитрида кремния. Таким образом исключается критичная технологическая операция по вскрытию в нанесенном пассивирующем слое фосфоросиликатного стекла окон к контактным площадкам для присоединения выводов. Пассивирующий слой нитрида кремния является более устойчивым к воздействию травителей и невлагопоглощающим. По этой причине операция по вскрытию окон к контактным площадкам является...

Интегральный тонкопленочный резистор кремниевой интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 11811

Опубликовано: 30.04.2009

Авторы: Глухманчук Владимир Владимирович, Соловьев Ярослав Александрович, Баранов Валентин Владимирович, Сякерский Валентин Степанович

МПК: H01L 29/00, H01L 49/02

Метки: тонкопленочный, кремниевой, резистор, интегральный, интегральной, микросхемы

Текст:

...сплава с низкотемпературным оксидом кремния. Формирование между резистивным слоем и межуровневым слоем диэлектрика слоя пентаоксида тантала толщиной 0,07-0,40 мкм, площадью, по меньшей мере,равной занимаемой резистивной пленкой, позволяет исключить взаимодействие резистивной пленки с материалом подложки и тем самым повысить надежность и стабильность параметров ИТР при термических воздействиях. При толщине слоя пентаоксида тантала менее...

Способ изготовления резистивно-коммутационной тонкопленочной интегральной микросхемы

Загрузка...

Номер патента: 6613

Опубликовано: 30.12.2004

Авторы: Воробьева Алла Ильинична, Сокол Виталий Александрович, Уткина Елена Апполинарьевна

МПК: H01L 49/02

Метки: способ, резистивно-коммутационной, микросхемы, интегральной, тонкопленочной, изготовления

Текст:

...в слое. Затем формируют дорожки межсоединений последующих уровней металлизации повторением операций осаждения пленки А, маскирования и анодного оксидирования. Это дает возможность получения резисторов с широким диапазоном номиналов от(1050)Ом до 100 Мом и ТКС (10-4104). Так как тонкопленочные резисторы изготавливаются на планарной поверхности подложки, они имеют высокую точность номиналов из-за значительного упрощения технологического...